• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제54권4호
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• pp.144-148
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• 2005

In this study, the microwave dielectric properties of $0-6TiTe_3O_8-0.4MgTiO_3$ ceramic with $H_3BO_3$ and SnO were investigated to reduce the sintering time for the LTCC application. According to the X-ray diffraction patterns, both of $0-6TiTe_3O_8-0.4MgTiO_3$ ceramic with $H_3BO_3$ and SnO had the columbite structure of $TiTe_3O_8$ Phase, the ilmenite structure of $MgTiO_3$ phase. The density and dielectric constant of the $0-6TiTe_3O_8-0.4MgTiO_3$ ceramics with $H_3BO_3$ sintered at $830^{\circ}C$ for 1 hour were decreased but the quality factor was not changed with addition of $H_3BO_3$. Also the temperature coefficient of resonant frequency was not changed hardly. In the case of addition of SnO, the density and dielectric constant were increased but the quality factor was decreased and the temperature coefficient of resonant frequency was shifted to the negative(-) direction.

• 한국수정란이식학회:학술대회논문집
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• 한국수정란이식학회 2002년도 국제심포지엄
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• pp.79-79
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• 2002

본 연구에서는 in vitro에서 성숙된 난자의 핵성숙(Polar Body extrusion)에 소요되는 시간과 배반포 단계로의 발달능력 사이의 관계를 비교하여 조기에 발달능력을 가진 embryo를 선발할 수 있는 IVP 체계를 개발하고자 하였으며 in vitro maturation(IVM)에 따른 first polar body(PB) 형성, IVM과 IVF 시간이 oocyte의 발달에 미치는 영향과 생산된 배반포의 세포수를 평가하였다. IVM은 TCM199 배양액을 사용하였고 in vitro fertilization(IVF)은 Fer -TALP용액을 사용하였으며 in vitro culture(IVC)는 CRlaa 배양액을 사용하여 2일까지는 0.3% BSA를 3일 부터는 10%FBS와 bovine oviduct epithelial cell을 첨가하여 배양하였다. IVM 시간에 따른 PB의 출현율은 0hr(0%), 6hr(0%), 12hr(0%), 14hr(8.7%), 16hr(40.5%), 18hr(48.0%), 20hr(65%), 22(68%) 그리고 24hr(74.5%)을 보였으며 IVM 시간에 따른 cleavage 및 8cell 발달율 사이에는 유의적인 차이가 없었으나 배반포(BL) 및 8cell에서 배반포로 발달률은 18시간(BL 31$\pm$6, BL/8cell 82 $\pm$5%)에서 가장 높게 나타났으며 24시간(BL 17$\pm$2, BL/8cell 60$\pm$8%)과 유의적인 차이를 보였다(P<0.05). IVC 7일째 배반포의 총세포수와 trophoblast(TE) 세포수는 IVM 18시간(mean$\pm$S.E.; total: 131.1$\pm$34.0, TE: 97.6$\pm$29.6)에서 24시간(total: 112.2$\pm$17.5, TE: 80.1$\pm$15.6)보다 유의하게 많은 것으로 나왔으나(P<0.05) 7일째의 inner cell mass(ICM) 숫자(18hr 33.5$\pm$12.8 vs 24hr 32.1$\pm$12.0)와 8일째 ICM, TE 그리고 총 세포수에는 유의성 있는 차이가 없었다. IVM 18시간에서 PB 형성과 8cell 발달률 사이에 높은 상관성을 보였고 배반포 및 8cell에서 배반포 단계로 높은 발달률을 보였으며 생산된 배반포의 TE 숫자와 총 세포수가 유의하게 많은 것으로 나타났다. 따라서 IVM 18시간 실시하였을 경우 보다 많은 세포수를 가진 배반포 발달 가능성이 높은 embryo를 조기에 선발 가능할 것으로 사료된다.

• 한국결정성장학회지
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• 제5권1호
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• pp.25-36
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• 1995

유리기판(Corning 7059) 위에 Electron Beam Evaporator(EBE)로 진공 중에서 증착된 $Cd_{1-y}Zn_{y}Te$(CZT) 박막의 표면 조성비와 결정구조를 조사하였다. 증착시 기판의 온도는 각각 실온과 $300^{\circ}C$였으며, 열처리는 압력 $1 {\times} 10^{-6}$ torr하에서 $300^{\circ}C$에서 1시간 동안 행하였다. 증착된 CZT 박막의 표면조성비는 Cd 원자가 상대적으로 약 4% 정도 부족하였고, Zn원자는 비교적 안정하였다. 박막의 구조는 거의 Cubic phase인 다결정(polycrystal)이었다. $400^{\circ}C$에서 측정된 X-선 분말 회절상으로부터 구한 격자상수 값으로부터 계산된 열팽창 계수는 $6.30 {\times} 10^{-6}/^{\circ}C$ 이었다. 박막은 열처리에 의하여 회절상의 peak가 증가하였으나 기판의 온도가 결정화에 더 큰 영향을 미치는 것으로 판단된다.

• 한국복합재료학회:학술대회논문집
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• 한국복합재료학회 2004년도 추계학술발표대회 논문집
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• pp.6-8
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• 2004

A big boom in nanocomposites research has landed also in Japan. As a virtual 'center of excellence' in composites technology there, ACE TeC of ISTA/JAXA has led pioneering portions of nanocomposites research particularly in mechanical properties oriented applications. An overview of research activities based on nano-technologies in ACE TeC/JAXA will be given first and some remarkable results will be introduced briefly.

• 한국진공학회지
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• 제3권3호
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• pp.309-315
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• 1994

순간증착법으로 p형(Bi0.5Sb1.5Te3)과 n형(Bi2Te24Se0.6)열전박막을 제조하여 상온에서 Seebeck 계 수, 전기전도도 및 열전성능지수를 측정하였다. 또한 금속재 mask를 이용하여 다중접점 박막형 열전소 자를 제작하고 그 작동특성을 조사하였다. 이때 소자의 고온부와 저온부의 온도를 직접측정하기 위하여 copper/constantan 박막을 접점부에 증착하여 열전쌍이 되게 하였다. p/n 접점이 5쌍이 소자의 경우 Peltier 효과에 의해 생성된 최대온도차는 22K이었다.

• 태양에너지
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• 제17권3호
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• pp.51-57
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• 1997

열벽 증착(hot-wall evaporation)방법으로 Cu를 첨가한 ZnTe박막을 성장하였다. doping을 하지 않은 ZnTe박막의 전기 전도형은 p-형으로 전기 전도도는 $10^{-6}({\Omega}{\cdot}cm)^{-1}$을 정도로 매우 낮았다. 첨가한 Cu의 양에 따라 전기 전도도는 $10^2({\Omega}{\cdot}cm)^{-1}$까지 증가하였으나 이동도는 크게 변하재 않았다. Cu를 매우 많이 첨가한 경우는 금속과 같은 전기 전도도를 관찰하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.347-351
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• 2003

A p-$CdIn_2Te_4$ single crystal has been grown by the Bridgman method without a seed crystal in a tree-stage vertical electric furnace. From photocurrent measurements, it was found that three peaks, A, B, and C, corresponded to an intrinsic transition due to the band-to-band transition from the valence band states ${\Gamma}_7(A),\;{\Gamma}_6(B),\;and\;{\Gamma}_7(C)$ to the conduction band state ${\Gamma}_6$, respectively. Also, the valence band splitting of the $CdIn_2Te_4$ crystal has been confirmed by photocurrent spectroscopy. The crystal field splitting and the spin orbit splitting were obtained to be 0.2360 and 0.1119 eV, respectively. Also, the temperature dependence of the band gap energy of the $CdIn_2Te_4$ crystal has been driven as the following equation of $E_g(T)\;=E_g(0)\;-\;(9.43\;{\times}\;10^{-3})T^2/(2676\;+\;T)$. In this equation, the Eg(0) was estimated to be 1.4750, 1.7110, and 1.8229 eV at the valence band state A, B, and C, respectively. The band gap energy of the p-$CdIn_2Te_4$ at room temperature was determined to be 1.2023 eV.

• 한국전자파학회논문지
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• 제10권2호
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• pp.267-276
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• 1999

본 논문에서는 삼중모드 공동 공진기를 이용하여 K-b잉1d 2단 6-pole 대역통과 필터를 설계.제작하였다. 대 역통과 필터는 중심 주파수 18.5 GHz에서 대역폭 100 MHz로 설계하였으며 응답은 Chebyshev 함수를 이용하였 다. 공동 공진기의 공진모드는 $TE_{ll3}$과 $TM_{0l2}$ 모드를 이용하였다. 공동 공진기간의 결합은 Chebyshev 필터 응 답을 구현하기 위하여 슬롯 평면에 평행한 TE 모드의 자계 성분만을 결합하도록 하였다. 특히 본 논문에서는 원통형 공동 공진기내의 TE 모드에 대한 H-필드 기본식으로부터 결합계수 수식을 상세히 유도하여 이를 intercavity 슬롯의 위치와 크기를 결정하는데 이용하였다. 측정된 필터 응답은 설계 사양과 잘 일치하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제9권4호
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• pp.535-541
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• 1998

본 논문에서는 삼중모드 공동 공진기를 이용하여 위성 탑재용 2단 6-pole 대역통과 필터를 설계.제작하였다. 대역통과 필터는 중심 주파수 14.5 GHz(Ku-band)에서 대역폭 100 MHz로 설계하였으며 응답은 Chebyshev 함수를 이용하였다. 공동 공진기의 공진모드는 $TE_{113}$과 $TM_{012}$ 모드를 이용하였다. 공동 공진기간의 결합 (intercavity coupling)은 Chebyshev 필터 응답을 구현하기 위하여 $TE_{113}$ 모드의 자계 성분만올 결합하였다. 따라서 원통형 공동 공진기내의 TE 모드에 대한 H-field 기본식으로부터 결합계수 수식을 유도하여 이를 i intercavity 슬롯의 위치와 크기를 결정하는데 이용하였다. 측정된 펼터 웅답은 셜계 사양과 잘 일치하였다.

• Journal of Ceramic Processing Research
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• 제20권6호
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• pp.582-588
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• 2019

FeVSb1-xTex (0.02 ≤ x ≤ 0.10) half-Heusler alloys were fabricated by mechanical alloying process and subsequent vacuum hot pressing. Near single half-Heusler phases are formed in vacuum hot pressed samples but a second phase of FeSb2 couldn't be avoided. After doping, the lattice thermal conductivity in the system was shown to decrease with increasing Te concentration and with increasing temperature. The lowest thermal conductivity was achieved for FeVSb0.94Te0.06 sample at about 657 K. This considerable reduction of thermal conductivities is attributed to the increased phonon scattering enhanced by defect structure, which is formed by doping of Te at Sb site. The phonon scattering might also increase at grain boundaries due to the formation of fine grain structure. The Seebeck coefficient increased considerably as well, consequently optimizing the thermoelectric figure of merit to a peak value of ~0.24 for FeVSb0.94Te0.06. Thermoelectric properties of various Te concentrations were investigated in the temperature range of around 300~973 K.