• Preventive Nutrition and Food Science
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• 제2권3호
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• pp.232-235
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• 1997

This study was investigated to determine antimutagenic effects of enzymatic browning reaction products (PEBRPs) obtained by reaction of polyphenol compouns with oxidase extracted from potato. Catechol (Ca) PEBRPs showed the strongeest inhibitor effects with 90% inhibition on benzo-($\alpha$)-pyrene(B($\alpha$)P) induced mutagenesis in Salmonella typhimurium TA98, but he least with40% inhibition on the 2-aminofluorene (2-AF) induced mutagenesis in TA98. The strong antimutagenic activities with 80% inhibition were observed in the presence of 100$\mu\textrm{g}$/plate of hydroquinone(HQ)-PEBRP on the B($\alpha$)P or 3-amino-1,4-dimethyl-5H-pyrido[4,3-b]indole(Trp-P-1) induced mutagenesis in TA98, whereas HQ-PEBRP showed the least antimutagenic effect on 2-AF-induced mutagenesis. The addition of 100$\mu\textrm{g}$ hydroxyhydroquinone(HHQ)-PEBRP to the plate led to approximately 82% inhibitory effects on 2-AF or Trp-P-1 induced mutagenesis in TA98, whereas the least antimutagenicity was obsrved in the4-nitroquinoline-1-oxide(4-NQO) induced mutagenesis in the presence of 100$\mu\textrm{g}$/plate of HHQ-PEBRP. More than 80% inhibiton were observed in the presence of 200$\mu\textrm{g}$/plate of Pyrogalol(Py)-PEBRP on the B($\alpha$)P or Trp-P-1 induced mutagenesis in TA98, but the least with 38% inhibition on 4-NQO induced mutagenesis in TA98. The results indicate that enzymatic browing reaction products of potato have a strong modulatory effect on mutagen induced mutagenesis in TA98.

• 환경위생공학
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• 제3권1호
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• pp.41-67
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• 1988

Salmonella typhimurium을 이용하는 Ames방법 (1973)에 따라 과채류 재배에 많이 사용되는 12종의 농약에 대하여 돌연변리 유발성을 검정한 결과를 요약하면 다음과 같다. 1) 잔류성 농약 12종에 대한 돌연변이유발성은 Dicofol을 제외한 11종의 농약에서 나타났다. 특히 쥐간 혼합추출물(S-9 mixture)로 活性化시쳤을 때 강한 돌연변이 유발성을 보였다. 2) 돌연변이 유발성은 다음과 같이 분류할 수 있었다. (1) 본 실험의 시료인 12종의 농약의 돌연변이유발성은 Salmonella typhimuriumTA 100에서 EPN과 Dicofol을 제외한 10종의 농약에서 감응성을 나타내였으며 특히 S-9 mixture로 활성화 시켰을 경우에는 강한 감응성을 보였다. 각 농약의 가장 높은 감응성을 나타낸 농약별 농도를 보면, Thalonil은 $0.2{\mu}g/plate(710),\;Monopho$는 $0.05{\mu}g/plate(1,260),\;Tedion$은 $1.0{\mu}l/plate(9,900),\;Danoton$은 $1.0{\mu}l/plate(4,910),\;Ometon$은 $0.10{\mu}l/plate(4,980),\;prosing$은 $0.20{\mu}g/plate(283),\;Phentoate$는 $1.0{\mu}g/plate(494),\;Parathion$은 $0.05{\mu}l/plate(145),\;Sappiran$은 $0.05{\mu}g/plate(295)$ 및 Captan은 $1.0{\mu}g/plate(2,700)$이었다. (2) Salmonella typhimurium TA98에서는 Dicofol과 Captan을 제외한 10종의 농약에서 반응성을 보였다. 각 농약의 가장 높은 감응성을 나타낸 농약별 농도를 보면, Thalonil은 $0.05{\mu}g/plate(1,237),\;Monopho$는 $1.0{\mu}g/plate(1,737),\;Tedion$은 $1.0{\mu}l/plate(4,937),\;Danoton$은 $0.5{\mu}l/plate(2,000),\;Ometon$은 $0.10{\mu}l/plate(112),\;prosing$은 $0.50{\mu}g/plate(670),\;EPN$은 $0.05{\mu}l/plate(440),\;phentoate$는 $0.01{\mu}g/plate(540),\;parathion$은 $0.05{\mu}g/plate(910)$ 및 Sappiran은 $0.02{\mu}g/plate(1,210)$이었다. (3) Salmonella typhimurium TA1535 TA1538에서는 TA100과 TA98에 비하여 대체적으로 낮은 감응성을 나타내었는데, TA1535에서는 Canoton이 $0.02{\mu}l/plate(148),\;Tedion$이 $1.0{\mu}l/plate(295)$ 및 Captan이 $1.0{\mu}g/plate(170)$이었고, TA 1538에서는 Thalonil $0.2{\mu}g/plate(1,233),\;Monopho$가 $0.1{\mu}g/plate(1,783),\;Tedion$이 $1.0{\mu}l/plate(483),\;EPN$이 $1.0{\mu}l/plate(180),\;phentoate$가 $0.05{\mu}g/plate(142)$이었다. 3) Salmonella typhimurium TA100과 TA98에서 공통적으로 높은 감응성을 보이는 농약은 Thalonil, Monopho, Tedion, Danoton, Prosing, Phentoate, Parathion 및 Sappiran이었다. Ometon은 TA100, EPN은 TA98에서만 활성을 보였다. 4) Dicofol을 제외한 11종의 농약이 과피를 식용하는 과실류 및 채소류에 사용하는 것은 식품위생상 문제가 있다고 판단되며 앞으로 이에 대하여는 더욱 연구검토되어야 한다고 생각된다.

• Applied Biological Chemistry
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• 제38권5호
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• pp.468-472
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• 1995

Caryophyllene oxide (CPO)는 전통생약제나 향신료의 essential oil에 상당량 함유되어 있다. Caryophyllene (CP)의 산화반응이나 효소반응에 의해 생성되어 주로 flavor component로 이용되는 CPO는 강력한 생리활성을 가진다. 따라서 본 연구에서는 CPO의 항돌연변이성을 Ames의 preincubation 법으로 조사하였다. S-9 fraction은 Arochor 1254를 몸무게 kg당 500mg을 투여한 Sprague-Dawley rat의 간으로부터 조제하였고 aflatoxin $B_1\;(AFB_1)$과 2-amino-3-methylimidazo[4,5-f]quinoline (IQ)을 mutagen으로 사용하였다. CPO의 항돌연변이성은 mutagen에 의해 생성된 Samonella typhimurium TA98과 TA100의 revertant수의 감소로 측정하였다. CPO는 $AFB_1$이나 IQ에 의해 유도된 S. typhimurium TA98과 TA100의 revertant수를 CPO 처리양 (5, 50, 500${\mu}g/plate$)에 따라 감소시켰다. CPO 500${\mu}g$은 $AFB_1$의 S. typhimurium TA98에 대한 돌연변이성을 89% 감소시켰으며 S. typhimurium TA100에 대해서도 71% 감소율을 보였다. 또한 동일양의 CPO는 IQ의 S. typhimurium TA98과 TA100에 대한 돌연변이성을 각각 77%와 51% 감소시켰다. CP도 AEB1과 IQ의 S. typhimurium TA98과 TA100에 대한 돌연변이성을 감소 시켰지만 CPO의 항돌연변이성보다는 약하였다. 이와 같은 결과로 보아 CP 보다 강한 항돌연 변이성을 가진 CPO를 항돌연변이성 flavoring agent인 식품첨가제로 개발할 수 있을 것이다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.362-362
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• 2014

Atomic layer deposition (ALD) can be regarded as a special variation of the chemical vapor deposition method for reducing film thickness. ALD is based on sequential self-limiting reactions from the gas phase to produce thin films and over-layers in the nanometer scale with perfect conformality and process controllability. These characteristics make ALD an important film deposition technique for nanoelectronics. Tantalum pentoxide ($Ta_2O_5$) has a number of applications in optics and electronics due to its superior properties, such as thermal and chemical stability, high refractive index (>2.0), low absorption in near-UV to IR regions, and high-k. In particular, the dielectric constant of amorphous $Ta_2O_5$ is typically close to 25. Accordingly, $Ta_2O_5$ has been extensively studied in various electronics such as metal oxide semiconductor field-effect transistors (FET), organic FET, dynamic random access memories (RAM), resistance RAM, etc. In this experiment, the variations of chemical and interfacial state during the growth of $Ta_2O_5$ films on the Si substrate by ALD was investigated using in-situ synchrotron radiation photoemission spectroscopy. A newly synthesized liquid precursor $Ta(N^tBu)(dmamp)_2$ Me was used as the metal precursor, with Ar as a purging gas and $H_2O$ as the oxidant source. The core-level spectra of Si 2p, Ta 4f, and O 1s revealed that Ta suboxide and Si dioxide were formed at the initial stages of $Ta_2O_5$ growth. However, the Ta suboxide states almost disappeared as the ALD cycles progressed. Consequently, the $Ta^{5+}$ state, which corresponds with the stoichiometric $Ta_2O_5$, only appeared after 4.0 cycles. Additionally, tantalum silicide was not detected at the interfacial states between $Ta_2O_5$ and Si. The measured valence band offset value between $Ta_2O_5$ and the Si substrate was 3.08 eV after 2.5 cycles.

• 센서학회지
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• 제1권2호
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• pp.173-181
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• 1992

RP 반응성 스펏터링으로서 P형 실리콘 웨이퍼위에 $Ta_{2}O_{5}$막을 제조하였다. 시편의 구조 및 조성은 XRD와 AES로 조사하였다. 산소의 혼합비가 10%일 때 C-V 특성으로부터 구한 $Ta_{2}O_{5}$막의 비유전률은 10-12이었다. AES와 RBS로 측정한 $Ta_{2}O_{5}$막의 Ta : O의 비는 각각 1 : 2와 1 : 2.49로 나타났으며, 산소분위기에서 $700^{\circ}C$의 열처리 온도에서 결정성장이 시작되었다. 산소분위기에서 $1000^{\circ}C$로 열처리한 $Ta_{2}O_{5}$막의 비유전률값은 20.5였으며, 질소분위기에서 열처리한 경우의 비유전률값은 23으로 나타났다. 이 때 가육방전계(pseudo hexagonal ${\delta}-Ta_{2}O_{5}$)의 결정구조를 나타내었다. 시편의 ${\Delta}V_{FB}$와 누설전류밀도는 산소의 혼합비가 증가함에 따라 감소하였다. 그리고 최대절연파괴전장은 산소가 10% 혼합되었을 때 2.4MV/cm로 나타났다. 이러한 $Ta_{2}O_{5}$막은 수소이온 감지막 및 기억용소자의 게이트 절연막 등에 응용될 수 있을 것이다.

• 한국식품저장유통학회지
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• 제19권4호
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• pp.554-559
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• 2012

국내에서 주로 시판되고 있는 1년산 및 3년산 천일염의 일반 성분 및 As, Pb, Cd, Hg 등 유해 중금속 함량 등의 차이를 비교 분석하였다. 총 24종 천일염의 식염함량은 1년산 천일염의 경우 81.4%, 3년산은 90.9%로 나타났으며, 총 염소 함량은 1년산이 57.7%, 3년산은 65.0%이었고, 수분함량은 1년산이 12.0%, 3년산이 4.7%이었다. 또한 불용분 함량은 1년산이 0.03%, 3년산이 0.04%이었고, 황산이온함량은 1년산이 0.85%, 3년산은 0.57%이었다. 모든 천일염에서 As는 기준치 0.5 mg/kg이하로 나타났으며, Pb은 1년산이 0.12 mg/kg, 3년산은 0.09 mg/kg이었고, Cd는 모든 천일염에서 0.00 mg/kg으로 나타났으며, Hg는 1년산이 0.02 mg/kg 으로 3년산은 0.03 mg/kg으로 검출되었다. 따라서 국내 생산되는 천일염의 일반성분의 함량은 시료별 다소의 차이는 있었으나, As, Pb, Cd, Hg 등의 중금속함량은 식품규격 기준치 이하로 매우 적은 함량을 나타내어 중금속오염이 식품규격에 안전한 수준인 것으로 평가되었다.

• 한국자기학회지
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• 제3권4호
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• pp.314-319
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• 1993

Co-12at%Cr-2at%Ta/Cr-X 자성박막의 자기적성질과 미세구조에 미치는 첨가원소 X(X=Si, Mo, Cu, Gd)의 영향에 대해 조사하였다. Cr-X 하지층 및 CoCrTa 자성층의 두께는 각각 $1000~2000\AA$과 $200~800\AA$이었으며, 기판온도는 $100~200^{\circ}C$로 변화시켰다. Cr-X 하지층은 순수한 Cr 하지층에 비하여 보자력이 100 Oe~200 Oe 이상 증가하였다. Cu는 Gd, Mo, Si보다 높은 보자력 을 나타내는 Cr-X 하지층의 첨가원소 였으며 CoCrTa/Cr-Cu 자성박막은 하지층두께 $1500\AA$과 자성층두께 $600\AA$에서 높은 보자력을 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제26권1호
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• pp.1-5
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• 2013

In this paper, we investigated the etching characteristics of the TaN thin films and the surface reaction of TaN thin films after etching process. The etching characteristics of the TaN thin films were carried out using inductively coupled plasma (ICP). The etch rate and the selectivity of TaN to $SiO_2$ and TaN to PR were measured by varying the gas mixing ratio, RF power, DC-bias voltage, and process pressure in CF-based plasma. The surface reaction of TaN thin films were determined by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS).

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2002년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.14-19
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• 2002

In this study, as Cu diffusion barrier, tantalum nitrides were successfully deposited on Si(100) substrate and SiO2 by plasma assisted atomic layer deposition(PAALD) and thermal ALD, using pentakis (ethylmethlyamino) tantalum (PEMAT) and $NH_3$ as precursors. The TaN films were deposited on $250^{\circ}$C by both method. The growth rates of TaN films were $0.8{\AA}$/cycle for PAALD and $0.75{\AA}$/cycle for thermal ALD. TaN films by PAALD showed good surface morphology and excellent step coverage for the trench with an aspect ratio of h/w - $1.8 : 0.12 \mu\textrm{m}$ but TaN films by thermal ALD showed bad step coverage for the same trench. The density for PAALD TaN was $11g/\textrm{cm}^3$ and one for thermal ALD TaN was $8.3g/\textrm{cm}^3$. TaN films had 3 atomic % carbon impurity and 4 atomic % oxygen impurity for PAALD and 12 atomic % carbon impurity and 9 atomic % oxygen impurity for thermal ALD. The barrier failure for Cu(200nm)/TaN(l0nm)/$SiO_2(85nm)$/Si structure was shown at temperature above $700^{\circ}$C by XRD, Cu etch pit analysis.

• 한국식품위생안전성학회지
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• 제7권4호
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• pp.161-168
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• 1992

Salmonella Typhimurium TA98과 TA100 두 균주를 이용한 Ames Assay를 실시하여 신채류 생즙의 돌연변이원성과 돌연변이 억제효과를 검토하였다. 돌연변이 유발물질로는 Trp-P-1과 2-AF가 사용되었다. 쑥, 들미나라, 두릅, 돌나물 및 도라지의 생즙은 돌연변이원성을 나타내지 않았다. 산채류 생즙의 항돌연변이원성 효과는 쑥, 들미나리, 두릅이 가장 강하였으며 다음은 돌나물이었고, 도라지는 거의 항돌연변이효과를 나타내지 않았다. 이와 같은 결과는 TA98과 TA100을 이용한 실험에서 유사한 결과를 보였으며, 돌연변이 물질로 Trp-P-1을 사용하여 실험한 결과가 2-AF를 사용한 실험결과에 비하여 돌연변이 억제효과가 강하게 나타났다.