• 한국식품저장유통학회지
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• 제8권1호
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• pp.109-117
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• 2001

번데기동충하초(Cordyceps militaris(L. ex fr.) Link)의 수소전자공여능 및 항돌연변이원성을 살펴본 결과 부탄을 분획물과 에틸 아세테이트 분획물에서 수소전자공여능이 다른 시료에 비해 2배 이상 높게 나타났다. 항돌연변이원성 실험결과에서는 직접변이원인 MNNG, 4NQO 그리고 간접변이원인 B($\alpha$)P, Trp-P-1에 대해서 유의성 있는 돌연변이 억제효과를 보였다. MNNG(0.4 $\mu\textrm{g}$/plate)의 경우 S. typhimurium TA100 균주에서는 시료농도 200 $\mu\textrm{g}$/plate에서 에탄을 추출물이 78.1%인데 반해 부탄을, 물 분획물에서는 각각 90.4%와 87.6%로 매우 높은 억제효과가 나타났다. 4NQO(0.15 $\mu\textrm{g}$/plate)에 대한 S. typhymurium TA98 균주의 경우 에틸 아세테이트 분획물의 경우 80.4%였고, TA100 균주에서는 부탄을 분획물이 88.6%의 억제효과를 보였다. 또한 간접변이원의 경우 B($\alpha$)P(10 $\mu\textrm{g}$/plate)을 사용한 경우 에틸 아세테이트와 부탄을 분획물은 시료농도 200 $\mu\textrm{g}$/plate에서 85% 이상의 높은 억제율을 나타내었다. Trp-P-1(0.15 $\mu\textrm{g}$/plate)에서는 TA98 균주의 경우 200 $\mu\textrm{g}$/plate 농도에서 핵산 분획물과 부탄을 분획물이 각각 90.2%, 87.6%로 높은 억제율을 보여주었고, TA100 균주에 대해서는 에틸 아세테이트 분획물이 90.1%로 억제효과가 가장 높게 나타났다. 또한 같은 농도에서 부탄올과 물 분획물에서 각각 87.0%와 75.4%의 억제율을 나타내었다. 번데기동충하초 에탄을 추출물 및 분획물은 시료 농도증가에 따라 TA98과 TA100 균주 모두에서 각 변이원에 대한 돌연변이 억제효과도 증가하였다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제55권7호
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• pp.344-348
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• 2006

The effect of x on microwave dielectric properties of the $(1-x)Mg_4Ta_2O_9-x(TiO_2,\;CaTiO_3,\;SrTiO_3)$ ceramics for microwave components were investigated. All spcecimens prepared by the conventional mixed oxied method and sintered at $1450^{\circ}C$. Microwave dielectric properties of the $(1-x)Mg_4Ta_2O_9-xTiO_2$ ceramics were influenced by $MgTi_2O_5$ phase. Also the microwave dielectric properties of the $(1-x)Mg_4Ta_2O_9-x(TiO_2,\;CaTiO_3,\;SrTiO_3)$ ceramics were dominated with an addition of $CaTiO_3\;and\;SrTiO_3$. The dielectric constant $(\varepsilon_r)$, quality factor $(Q{\times}f_r)$ and temperature coefficient of the resonant frequency $(TCRF,\;\tau_f)$ of the $(1-x)Mg_4Ta_2O_9-x(TiO_2,\;CaTiO_3,\;SrTiO_3)$ ceramics were $12.96\sim70.98,\;5,132\sim186,410GHZ$ and $-35.82\sim+75.96ppm/^{\circ}C$, respectively, and depend on x and addition materials.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.298-298
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• 2007

Influence of $TiO_2$ on the dielectric properties of the $Bi(Nb_{0.7}Ta_{0.3})O_4$ ceramic with 7 wt% zinc borosilicate(ZBS) glass was investigated as a function of the $TiO_2$ contents with a view to applying this system to LTCC technology. The $Bi(Nb_{0.7}Ta_{0.3})O_4$ ceramic addition of 7 wt% ZBS glass ensured successful sintering below $900^{\circ}C$. But, TCF of $Bi(Nb_{0.7}Ta_{0.3})O_4$ ceramic is large negative values, respectively, it is necessary to adjust to zero TCF for practical applications Therefore, the addition of materials having positive TCF, such as $TiO_2$, might be an effective method for the improvement. In general, increasing addition of $TiO_2$ increased dielectric constant and TCF but it decreased the sinterability and $Q{\tiems}f$ value significantly due to the dielectric property and high sintering temperature of $TiO_2$. $Bi(Nb_{0.7}Ta_{0.3})O_4$ ceramic with 7 wt% ZBS glass and then addition 0.5 wt% $TiO_2$ sintered at $900^{\circ}C$ demonstrated 42 in the dielectric constant(${\varepsilon}_r$), 1,000 GHz in the $Q{\times}f$ value, and $10{\pm}5\;ppm/^{\circ}C$ in the temperature coefficient of resonant frequency(${\tau}_f$).

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.122.1-122.1
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• 2015

The dependence of electronic properties and local structure of tantalum oxide thin film on oxygen deficiency have been investigated by means of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Reflection Electron Energy Loss Spectroscopy (REELS), and X-ray absorption spectroscopy (XAS). The XPS results showed that the oxygen flow rate change results in the appearance of features in the Ta 4f at the binding energies of 23.2 eV, 24.4 eV, 25.8, and 27.3 eV whose peaks are attributed to Ta1+, Ta2+, Ta3+, Ta4+, and Ta5+, respectively. The presence of nonstoichiometric state from tantalum oxide (TaOx) thin films could be generated by the oxygen vacancies. The REELS spectra suggested the decrease of band gap for tantalum oxide thin films with increasing oxygen deficiency. In addition, XAS spectra manifested both the increase of coordination number of the first Ta-O shell and a considerable reduction of the Ta-O bond distance with the decrease of oxygen deficiency.

• 한국방사선학회논문지
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• 제8권6호
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• pp.287-292
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• 2014

본 연구는 자연 속에 미량(존재비: 0.012 %)으로 존재하는 $^{180}Ta$의 중성자포획 공명에 대하여 포획단면적의 계산치와 측정치를 비교하여 분석하였다. 일반적으로 중성자 공명은 Breit-Wigner식으로 정의되며, 식에는 공명에너지를 중심으로 공명의 폭을 결정하는 다양한 인자들로 구성되어 있다. 그러나 $^{180}Ta$의 경우 중성자포획단면적과 공명에 대한 정보가 잘 알려져 있지 않고 실험적으로도 측정되어진 예가 현재까지는 없는 것이 현실이다. 따라서 본 실험에서는 천연 Ta속에 포함되어진 $^{180}Ta$에 의한 중성자 포획에 의해 발생되는 감마선을 관측하여 $^{180}Ta$의 공명을 분석하고 Mughabghab에 의해서 계산되어진 공명인자를 사용하여 1 eV이하의 에너지에 대한 중성자포획단면적을 계산하고 비교분석하였다. 측정을 위해서 교토대학원자로 실험소의 46-MeV 전자선형가속기를 이용하여 중성자 TOF 방법으로, 에너지 영역 0.003 eV에서 10 eV에 걸쳐 측정하였다. 측정을 위해서는 12개의 $Bi_4Ge_3O_{12}(BGO)$섬광체로 구성된 전에너지 흡수검출장치로 $^{180}Ta(n,{\gamma})^{181}Ta$ 반응으로부터 나오는 즉발감마선을 측정하였다.

• Environmental Analysis Health and Toxicology
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• 제21권4호
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• pp.317-322
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• 2006

We have investigated the genotoxicity of 1,2,4-trimethylbenzene using Ames reverse mutation test. In Ames reverse mutation test, 1,2,4-trimethylbenzene treatment at the dose of 100, 50, 25, 12.5, $6.25{\mu}g/plate$ did not induce mutagenicity in Salmonella typhimurium TA98, TA100, TA1535, TA1537 and in Escherichia coli WP2uvrA with and without metabolic activation. These results indicate that 1,2,4-trimethylbenzene has no mutagenic potential under the rendition in this study.

• 한국식품과학회지
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• 제24권4호
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• pp.341-346
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• 1992

양송이(mushroom : Agaricus bisporus)로부터 polyphenol oxidase를 추출하여 4종류의 polyphenol 화합물과 반응시켜 양송이 효소 갈변반응생성물을 얻고, 이들 갈변물질들에 대하여 B. subtilis $H17(rec^+)$과 $M45(rec^-)$를 이용한 spore rec-assay, S. typhimurium TA98과 TA100을 이용한 Ames test 그리고 E. coli PQ37을 이용한 SOS chromotest를 실시하여 돌연변이원성 및 항돌연변이원성을 검토하였다. Spore rec-assay에서는 4가지 갈변물질 모두 B. subtilis $H17(rec^+)$과 $M45(rec^-)$ 두 균주에 대하여 생육저지대의 차이가 없었으므로 갈변물질 자체로서는 돌연변이원성이 없는 것으로 나타났으며, MNNG에 대한 항돌연변이원성 실험에서는 시료 모두 돌연변이에 대하여 억제활성을 나타내었으며 그중 HHQ-MEBRP는 가장 강한 억제활성을 나타내었다. Ames test에서는 4가지 시료 모두 돌연변이원성은 인정되지 않았으며, 항돌연변이원성 실험에서는 시료 $300\;{\mu}l$ 첨가시 $B({\alpha})P(20\;{\mu}g)$에 대하여 S. typhimurium TA98 및 TA100 두 균주에서 Ca-MEBRP와 HHQ-MEBRP는 $91{\sim}95%$, HCa-MEBRP와 Py-MEBRP는 $50{\sim}80%$의 억제활성을 나타내었다. $Trp-P-1(2\;{\mu}g)$에 대해서도 4가지 시료 모두 억제활성을 나타내었으며, HHQ-MEBRP는 TA98과 TA100 두 균주 모두에서 99%, HCa-MEBRP도 96%의 강한 억제활성을 나타내었다. SOS chromotest에서도 spore rec-assay와 Ames test에서와 같이 시료 자체의 돌연변이원성은 없는 것으로 나타났으며 4NQO와 MMC와 같은 돌연변이원물질에 의한 SOS-inducing function에 대하여 억제효과가 있었으므로 항돌연변이원성이 있음이 확인되었다.

• Environmental Analysis Health and Toxicology
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• 제18권2호
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• pp.121-129
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• 2003

Pendimethalin [N-(1-ethyl-propyl)-2, 6-dinitro-3, 4-xylidine, $C_{13}$H$_{19}$N$_3$O$_4$, M.W. = 281.3, CAS No. 40481-42-1]는 제초제의 일종으로, 본 연구에서는 박테리아 복귀 돌연변이 시험과 포유동물 세포를 이용한 염색체 이상 시험 및 마우스를 이용한 in vivo 소핵 시험을 수행하여 pendimethalin의 유전독성을 평가하였다. 박테리아 복귀 돌연변이 시험에서 pendimethalin은 Salmonella thphimurium TA98, TA1537 균주의 경우, 대사 활성계 존재와 부재시,TA100의 경우는 대사 활성계 부재시에만 313∼5,000 $\mu\textrm{g}$/p1a1e의 범위에서 농도의존적인 돌연변이율의 증가를 보여주었고, TA1535의 경우에는 대사 활성계 존재시 약간의 돌연변이가 증가되는 것을 관찰할 수 있었다. 그러나 대사 활성계 부재시 TA1535와 대사 활성계 존재시 TA100균주의 경우에는 돌연변이 유발능을 관찰할 수 없었다. 한편 포유동물 세포인 Chinese hamster lung(CHL) fibroblast를 이용한 염색체 이상 시험에서 pendimethalin은 대사 활성계 존재 및 부재시 2.32∼9.28 $\mu\textrm{g}$/ml 농도에서 clastogenicity를 보이지 않았다. 또한 203∼810 mg/kg의 pendimethalin을 구강 투여한 마우스의 골수세포를 이용한 in vivo소핵 시험의 결과에서도 통계적으로 유의한 소핵 유발능을 관찰할 수 없었다.다.

• 한국결정성장학회지
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• 제10권1호
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• pp.17-22
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• 2000

수직보자력이 크고 CoCrPt에 비하여 noise 저감 효과가 큰 것으로 알려진 CoCrPtTa계 합금박막의 수직이방성을 더욱 개선하기 위해 Ti를 우선 증착하였다. 본 연구에서는 Ti 두께 변화에 따른 비교적 높은 수직보자력치를 보였던 $CoCr_{16.2}Pt_{10.8}Ta_4$Ti/glass 시편에서 자기적 특성과 자구형상의 변화를 살펴보았다. 또한 VSM(Vibrating Sample Magnetometer)을 이용하여 M-H loop를 측정하였으며 자구형상은 MFM(Magnetic Force Microscopy)로 관찰하였다. 육방정 Ti가 하지층으로서 우선증착되면 bare glass 직접 증착되는 경우보다 CoCrPtTa 자성층의 수직이방성에 현저한 향상을 가져왔으며 Ti의 두께가 두꺼울수록 c-축 배향성도 개선되었다. MFM 결과에 의하면 Ti두레가 20 nm에서 90 nm로 증가함에 따라 자구형상이 연속적인 stripe type에서 mass type으로 분절된 형태로 변하였다. 이는 Ti의 증착이 비자성 Cr 편석 거동에 영향을 미쳐 자화반전시 인접 columnar grain의 자화벡터들간의 상호교환작용을 억제하는 자기적 분리 효과에 기여했음을 의미한다. 아울러 이와 같은 거동은 Ti가 CoCr계 자성층의 수직이방성을 개선하는데 있어서 형상자기이방성적인 측면에서의 기여가 현저함을 의미하기도 한다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제2권2호
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• pp.5-8
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• 2003

In this study, as Cu diffusion barrier, tantalum nitrides were successfully deposited on Si(100) substrate and $SiO_2$ by plasma assisted atomic layer deposition(PAALD) and thermal ALD, using pentakis (ethylmethlyamino) tantalum (PEMAT) and NH$_3$ as precursors. The TaN films were deposited at $250^{\circ}C$ by both method. The growth rates of TaN films were 0.8${\AA}$/cycle for PAALD and 0.75${\AA}$/cycle for thermal ALD. TaN films by PAALD showed good surface morphology and excellent step coverage for the trench with an aspect ratio of h/w -1.8:0.12 mm but TaN films by thermal ALD showed bad step coverage for the same trench. The density for PAALD TaN was 11g/cmand one for thermal ALD TaN was 8.3g/$cm^3$. TaN films had 3 atomic % carbon impurity and 4 atomic % oxygen impurity for PAALD and 12 atomic % carbon impurity and 9 atomic % oxygen impurity for thermal ALD. The barrier failure for Cu(200 nm)/TaN(10 nm)/$SiO_2$(85 nm)/ Si structure was shown at temperature above $700^{\circ}C$ by XRD, Cu etch pit analysis.