In order to compare the barrier properties of Ta-N/Si(001) with those of Ta-N/Ta/Si(001), we studied structural properties of films grown by RF magnetron sputtering with various $Ar/N_2$ ratios. To evaluate the barrier properties, the samples were annealed in a vacuum chamber. Ex-situ x-ray scattering measurements were done using an in-house x-ray system. With increasing nitrogen ratio in Ta-N/Si(001), the barrier property of Ta-N/Si(001) was enhanced, finally failed at $750^{\circ}C$ due to the crystallization and silicide formation. Compared with Ta-N/Si(001), Ta-N/Ta/Si(001) forms silicides at $650^{\circ}C$. However it does not crystallize even at $750^{\circ}C$. With increasing nitrogen composition in Ta-N/Ta/Si(001), the formation of tantalum silicide was reduced and the surface roughness was improved. To observe the surface morphology of Ta-N/Ta/Si(001) during annealing, we performed an in-situ x-ray scattering experiment using synchrotron radiation of the 5C2 at Pohang Light Source(PLS). Addition of Ta layer between Ta-N and Si(001) improved the surface morphology and reduced the surface degradation at high temperatures. In addition, increasing $N_2/Ar$ flow ratio reduced the formation of tantalum silicide and enhanced the barrier properties.
The partial substitution of LiTaO3 with Al2O3 caused the variation of dielectric properties and a lower melting temperature yielding an easier growth of single crystal. The lattice constants and Raman band broadening were measured for the LiTaO3 solid solution in which the cations of Li+ and Ta5+ were partially substituted by Al3+ cation. The LiTaO3 type limit phases were obtained. ; Li1.15Al0.45Ta0.7O3 for cationic excess Li1.15Al0.45Ta0.7O3 for stoichiometry Li0.85Al0.05TaO3 for cationic deficit. The second phase was formed beyond the solubility limit. The limit phase (Li0.85Al0.05TaO3) in the region of cationic deficit showed the lowest Cuire temperature of 61$0^{\circ}C$ and melting point of 152$0^{\circ}C$ compared to the solid solutions in other regions (TMp=1$650^{\circ}C$, Tc=69$0^{\circ}C$ for LiTaO3)
본 연구에서는 DC magnetron 스퍼터링법을 이용하여 고정밀, 고저항 저항체 박막으로 TaNx film을 제조하였을 때 형성될 수 있는 화합물 중 TaN0.1, TaN0.8과 TaN 박막의 Rs와 TCR특성을 평가하 고 film층의 우선방향성을 XRD를 이용하여 판명한 뒤 저항체의 Rs와 TCR에 미치는 영향을 조사하였 다. TaN0.1 박막이 35$\Omega$/$\square$의 면저항값과 안정된 TCR값을 나타내는 것을 알수 있었다. 두께50~200nm 의 TaN0.1과 Alumina 기판 사이에 정(+)의 TCR을 갖는 약 50nm의 Cr층을 증착하였을 때 Rs는 180$\Omega$/ $\square$ 과 TCR는 20ppm/$^{\circ}C$인 적층박막을 제조할 수 있었다. TaN0.1, TaN0.8 과 TaN 시편에서 화합물 형성 에 따른 Ta의 결합에너지를 ESCA를 이용하여 조사하였다. 이상의 연구결과로부터 TaN0.1 film이 TaNfilm 보다 고정밀, 고저항 박막 저항체 제조에 있어 우수한 전기저항 특성을 가지며 Cr 중간층 형성 으로 TCR이 $\pm$ppm/$^{\circ}C$정도로 안정된 고정밀 다층 저항체 박막을 형성할 수 있었다.
Salmonella typhimurium LT-2의 histididine auxotroph 중 base substitute mutant인 TA 1535와 TA100, 그리고 frame-shiftmutant인 TA 1538과 TA 98을 각각 사용하였고 microsomal enayme activation system을 병용하여 국내 사용농약 20종에 대한 돌연변이 유발성을 검하였다. 이중 다음 4종의 농약이 양성 및 의양성의 유발성을 나타냈다. (1) Captan은 강력한 돌연변이 유발성질로서 TA1535, TA100 및 TA98에 대해 직접적으로 10$\mu\textrm{g}$/plate의 농도에서 plate당 각각 205, 1012, 그리고 297의 돌연변이 균종의 출현을 나타냈으며 microsomal enzyme activation에 의해 그 유발능력이 약간 감소되는 경향을 보였다. (2) Micut는 TA100에 대해 직접적으로 10mg/plate의 농도에서 55 revertant 정도의 미비한 돌연변이 유발성을 나타냈다. (3) Dimethoate는 TA100에서 역시 직접성으로 처리가능 최고농도인 0.2λ/plate에서 55 revertant/plate 정도의 징약한 돌연변이 유발성을 바타냈다. (4) Triforing도 역시 TA 100에서 직접적으로 10mg/plate로 처리된 농도에서 78 revertant/plate정도의 약한 돌연변이 유발성을 나타했다.
This study was carried out to investigate the influence of triacetin(TA) on some phisico-chemical properties of cigarette filter rods. To find the effect of TA on physical properties, we made six kinds of filters varying the TA levels(0%, 2%, 4%, 6%, 8%, 10%) and measured the hardness, resilience and roundness. The hardness of filter rods was increased from 83.2% to 94.6% with increasing the TA level hut the roundness was not affected by TA levels. After manufacturing the cigarette with the filters, we have analysed the delivery amount of phenol and TA with the content of TA. The amount of phenol was decreased from 20.6$\mu\textrm{g}$/cig. to 12.0 $\mu\textrm{g}$/cig. with increasing the TA level of the filters. The decreasing of phenol amount was thought to be caused by solution effect. Also the TA delivery of TPM was increased from 0% to 5% of TPM with increasing the amount of TA. We have found the interesting phenomena that ventilation rate was also decreasing up to 6oye with increasing TA. It seemed to be due to the encapsulated pressure drop and the reduction of the plugwrap porosity which also caused by the smear with TA on the surface of plugwrap. From this results, we could find that not only the hardness, resilience and ventilation rate but also the contents of phenol and TA in cigarette smoke was affected by the TA levels on the cigarette filter rods.
케퍼시터용 Ta 분말제조공정에서 발생하는 waste 분말을 이용하여 TaC 분말을 자전고온합성법에 의하여 합성하였다. waste TA는 합성반응의 활성 및 산화방지를 위하여 전처리공정에서 미분쇄 및 탈산처리가 필요하였다. 합성반응에서는 TaC 단일상은 6∼7wt.%C의 조성범위에서 얻을 수 있었다. 또한 반응온도는 시료의 압축력에 영향을 받으며, 압축력 1600psi에서 최고반응온도를 나타냈다.
세라믹 타겟인 Ta$_2$O(sub)5을 장착한 rf-마그네트론 스퍼터를 이용하여 Ta$_2$O(sub)5 완충층을 증착하고, Sr(sub)0.8Bi(sub)2.4Ta$_2$O(sbu)9 용액을 사용하여 MOD 법에 의해 SBT 막을 성장시킨 metal/ferroelectric/insulator/semiconductor (MFIS) 구조인 Pt/SBT/Ta$_2$O(sub)5/Si 구조의 Ta$_2$O(sub)5 완충층 증착시의 $O_2$유량비, Ta$_2$O(sub)5 완충층 두께에 따른 전기적 특성을 조사하였다. 그리고 Ta$_2$O(sub)5 박막의 완충층으로써의 효과를 확인하기 위해 Pt/SBT/Ta$_2$O(sub)5/Si 구조와 Pt/SBT/Si 구조의 전기적 특성을 비교하였다. Ta$_2$O(sub)5 완충층 증착시의 $O_2$유량비가 0%일 때는 전형적인 MFIS 구조의 C-V 특성을 얻지 못하였으며, 20%의 $O_2$유량비일 때 가장 큰 메모리 윈도우 값을 얻었다. 그리고 $O_2$유량비가 40%, 60%로 증가할수록 메모리 윈도우는 감소하였다. Ta$_2$O(sub)5 완충층의 두께의 변화에 대한 C-V 특성에서는 36nm의 Ta$_2$O(sub)5 두께에서 가장 큰 메모리 값을 얻었다. Pt/SBT/Si 구조의 메모리 윈도우 값과 누설전류 특성은 Pt/SBT/Ta$_2$O(sub)5/Si 구조의 값에 비해 크게 떨어졌으며, 따라서 Ta$_2$O(sub)5 막이 우수한 완충층으로써의 역할을 함을 알았다.
Ultrafine TaC-5%Co composite powders were synthesized by spray conversion process using tantalum oxalate solution and cobalt nitrate hexahydrate(Co($(NO_3)_2$ . 6$H_2O$). The phase of Ta-Co oxide powders had amorphous structures after calcination below 50$0^{\circ}C$ and changed $Ta_2O_5$, $TaO_2$ and $CoTa_2O_6$ phase by heating above $600^{\circ}C$. The calcined Ta-Co oxide powders were spherical agglomerates consisted of ultrafine primary particles <50 nm in size. By carbothermal reaction, the TaC phase began to form from 90$0^{\circ}C$. The complete formation of TaC could be achieved at 105$0^{\circ}C$ for 6 hours. The observed size of TaC-Co composite powders by TEM was smaller than 200 nm.
Objective: We have various ways in evaluating the level of low back pain as sequelae, general approaches such as neurologic examination, MRI, Radiologic examination and evaluating the effect of psychological stress on the low back pain. Besides We can find another approach to evaluating the sequale of low back pain in TA patients. So, I intend to analyze how much relationship the patients that got low back pain by TA have with Roland Morris Disability Scale(RMS) in 2 months after discharge. Methods: In this article, I will compare two results of TA inpatients and non-TA inpatients, which obtained with the RMS. This study was carried out about 22 TA patients and 18 non-TA patients, who had low back pain and were hospitalized between March 2002 and July 2002. Results & conclusions : 1. RMS point is related with the post-discharge term to a point of time of answering the questionnaire in both TA patients and non-TA patients. 2. In distribution of RMS point, Gr II take most possesion as 41% in TA patients while Gr I take most possesion as 56% in non-TA patients. 3. In distribution of RMS point, patients that correspond to more than Gr III take 27% in TA patients, 16% in non-TA patients. 4. TA patients show higher level of distribution than non-TA patients in RMS point in verifying them by mean value and T-test. 5. Degree of pain score change(${\Delta}$P.S), using mean value and T-test, showed lower level of distribution in TA patients than non-TA patients. 6. We can see that TA patients have more restriction in their life for low back pain.
Co-Cr계 수직자기기록매체에서 비교적 낮은 기판온도에서 높은 보자력을 얻기위하여 제 3원소로서 Ta의 첨가효과에 대하여 연구하였다. Cr함량이 17-21 at.%로 다른 Co-Cr 계에 Ta함량을 3.2 at.%까지 첨가시켜서 여러조성의 Co-Cr-Ta 박막을 제조하고, 자기적 성질 및 미세구조를 조사하였다. Ta첨가로 인한 수직보자력의 향상효과는 Cr함량이 낮은 박막의 경우에 컸으며, 특히 기판온도가 $100^{\circ}C$인 경우 그 향상효과가 더욱 뚜렷하였다. Ta의 첨가로 인한 수직보자력 향상은 결정립 미세화나, c-축 배향성향상에 의한 것이기 보다는 비강자성원소의 편석이 심화됨에 기인하는 것으로 판단된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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