• 제목/요약/키워드: Superluminescent diode

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$1.5{\mu}m$ InGaAs/InGaAsP/InP 양자점 Superluminescent Diode의 광 특성 (Optical characteristic of 1.5{\mu}m$ InGaAs/InGaAsP/InP QD Superluminescent Diode)

  • 유영채;이정일;김경찬;김은규;김길호;한일기
    • 한국진공학회지
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    • 제15권5호
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    • pp.493-498
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    • 2006
  • MOCVD로 성장된 InGaAs 양자점을 이용하여 $1.5{\mu}m$의 발광파장을 갖는 고휘도 발광소자 (Superluminescent diode, SLD)를 제작하였다. 상온에서 SLD의 광출력은 CW 3 mW 였고, 3-dB 파장대역폭은 55 nm 이었다.

Improved Performance of 1.55 ㎛ InGaAsP/InP Superluminescent Diodes by Tapered Stripe Structure

  • Choi Young-Kyu
    • KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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    • 제5C권1호
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    • pp.39-43
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    • 2005
  • We proposed a structure for a 1.55 ㎛ strained separate confinement heterostructure (SCH) multi- quantum well (MQW) superluminescent diode (SLD), having a tapered active region. SLD was fabricated through a two-step procedure: the first step being metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) and the second-step being liquid phase epitaxy (LPE). We used a 15 laterally tilted stripe and window region to suppress the lasing action of the SLD. The performance of the SLD showed output power of 11 mW with no lasing under 200 mA pulse driving. The full-width at half-maximum was 42 nm at 200 mA, 25℃.

레이저 다이오드 Mirror면의 Anti-Reflection 코팅 박막 제작 및 특성 분석 (The Manufacture and Properties Analysis of Anti-Reflection Coating Thin Film of Laser Diode Mirror)

  • 기현철;김선훈;김상택;김효진;김회종;홍경진;민용기;조재철;구할본
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 광주전남지부
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    • pp.103-106
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    • 2006
  • Semiconductor laser diode has a reflective facet in a both-ends side fundamentally. Laser performance for improving, Anti-Reflection and High-reflection coating on the facet of semiconductor laser diode. To prevent internal feedback from both facets for realizing superluminescent diode and reducing the reflection-induced intensity noise of laser diode, it's key techniques are AR/HR coatings. In the study AR coating film were manufactured by Ion-Assisted Deposition(IAD) system. Then manufactured coating film measurement electrical properties(L-I-V, Se, Resistor) and Optical properties (wavelength FFP)

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광섬유 자이로스코프용 광원 제작 (The fabrication of Light Source for Fiber Optic Gyroscope)

  • 정인식;안세경;배정철;최영규;홍창희
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2003년도 춘계종합학술대회
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    • pp.370-373
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    • 2003
  • Superluminescent diodes(SLDs)는 광섬유 자이로스코프, OTDR, 중단거리 광통신시스템과 같은 광측정 시스템으로의 응용에 있어서 최적의 광원이다. SLD의 넓은 스펙트럼 특성은 Rayleigh 후방산란 잡음, 편광잡음, 광섬유 자이로 스코프에서의 비선형 Ken 효과에 의한 bias offset을 감소시킨다. 본 논문에서 레이징을 억제하기 위해서 윈도우 영역을 갖고 측방향으로 경사진 SCH(Separate Confinement Heterostructure)-SLD를 제안하였다. 제작된 소자의 출력은 펄스 구동 200mA, $25^{\circ}C$에서 11mW였다. 그리고, 120mA에서 수평 및 수직 방사각은 31$^{\circ}$$\times$38$^{\circ}$였다.

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불균일 두께를 가지는 양자 우물 구조 반도체 레이저 특성 (Characteristics of Non-uniform Thickness Quantum Well Laser Diode)

  • 박윤호;강병권;이석;우덕하;김선호
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2000년도 제11회 정기총회 및 00년 동계학술발표회 논문집
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    • pp.282-283
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    • 2000
  • 본 연구에서는 사용한 양자 우물 구조는 그림 1과 같이 각 양자 우물의 두께가 다르게 분포되어 있다. 이러한 불균일 양자 우물 구조는 주로 광대역폭 반도체 광 증폭기를 위한 구조,$^{l).2)}$ 광대역폭 superluminescent diodes에 적용하기 위한 구조,$^{3)}$ 광대역폭 및 온도 비의존성 면발광 레이저를 위한 구조로 이용되고 있다.$^{4)}$ 이들 소자의 실현을 위해 우선 불균일 양자 우물 구조의 특성을 알아볼 필요가 있다. 따라서 본 연구에서는 이 구조를 CBE로 성장하고 릿지형 반도체 레이저를 제작하여 광학적 특성을 조사하였다. (중략)

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Strain-imposed External Cavity Tunable Lasers Operating for NIR Wavelength

  • Kim, Jun-Whee;Kim, Kyung-Jo;Son, Nam-Seon;Oh, Min-Cheol
    • Journal of the Optical Society of Korea
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    • 제17권2호
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    • pp.172-176
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    • 2013
  • For demonstrating widely tunable external cavity lasers operating for near-infrared (NIR) wavelength, a flexible polymer waveguide with an imbedded Bragg grating is incorporated. Due to the superior flexibility of the polymer material, the reflection wavelength of the Bragg grating is widely tunable by imposing tensile and compressive strains on the flexible Bragg grating. A third-order Bragg grating is formed on the device for facilitating the fabrication method. With a superluminescent laser diode as a gain medium of ECL, the tunable laser exhibited output power of -3 dBm and a tuning range of 32 nm.

적층 양자점을 포함한 초발광 다이오드의 광대역 출력 파장 특성 연구

  • 박문호;임주영;박성준;송진동;최원준
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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    • pp.156-156
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    • 2011
  • InAs와 InGaAs 양자점(Quantum Dot: QD)을 이용한 광대역 초발광 다이오드(Superluminescent Diode: SLD) 시료가 분자선증착법(Molecular Beam Epitaxy)을 이용하여 성장되었다. 광대역 파장대 출력을 얻기 위해 각기 다른 종류의 양자점과 다른 크기의 양자점을 적층하였다. 시료는 광발광(Photoluminescence: PL) 측정과 전계발광(Electroluminescence: EL) 측정을 통해 분석 되었으며, PL 측정결과 1222 nm와 1321 nm 파장에서 최대치(peak)를 나타냈으며 EL 측정결과 900mA 전류 주입시 131 nm의 반치폭(Full Width at Half Maximum: FWHM)을 얻었다.

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Design and Fabrication of a Vacuum Chamber for a Commercial Atomic Force Microscope

  • Park, Sang-Joon;Jeong, Yeon-Uk;Park, Soyeun;Lee, Yong Joong
    • Applied Science and Convergence Technology
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    • 제23권2호
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    • pp.97-102
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    • 2014
  • A vacuum chamber for a commercial atomic force microscope (AFM) is designed and fabricated. Only minimal modifications were made to an existing microscope in an effort to work in a vacuum environment, while most of the available AFM functionalities were kept intact. The optical alignment needed for proper AFM operations including a SLD (superluminescent diode) and a photodiode can be made externally without breaking the vacuum. A vacuum level of $5{\times}10^{-3}$ torr was achieved with a mechanical pump. An enhancement of the quality factor was observed along with a shift in the resonance frequency of a non-contact-mode cantilever in a vacuum. Topographical data of a calibration sample were also obtained in air and in a low vacuum using the non-contact mode and the results were compared.

불균일 두께를 가지는 양자 우물 구조의 캐리어 분포 특성 (Carrier Distribution in Non-uniform Thickness Quantum Well)

  • 박윤호;강병권;이석;우덕하;김선호
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2000년도 하계학술발표회
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    • pp.32-33
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    • 2000
  • 최근 다른 두께로 조합된 양자 우물 구조를 이용한 연구가 다음과 같이 각각 다른 목적으로 진행되고 있다. 이러한 불균일 양자 우물 구조는 주로 광대역폭 반도체 광 증폭기를 위한 구조$^{l),2)}$ 광대역폭 Superluminescent Diode에 적용하기 위한 구조, $^{3)}$ 광대역폭 및 온도 비의존성 면발광 레이저를 위한 구조$^{4)}$ 로 이용되고 있으며 10여년 전에는 파장 조절 및 파장 스위칭을 위한 구조로 연구되었다.$^{5).6)}$ 이들 소자의 실현을 위해 우선 불균일 양자 우물 구조의 특성을 알아볼 필요가 있다. 본 연구에서 사용한 양자 우물 구조는 그림 1과 같이 각 양자 우물의 두께가 다르게 분포되어 있다. 그리고 이 구조를 CBE로 성장하고 릿지형 반도체 레이저를 제작하여 공진기 길이와 주입전류에 따른 발광 파장 특성으로부터 불균일 양자 우물 구조에서의 캐리어 분포 특성을 유추하였다. (중략)

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