• Carbon letters
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• 제14권4호
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• pp.228-233
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• 2013

In this work, we report in-situ observations of changes in catalyst morphology, and of growth termination of individual carbon nanotubes (CNTs), by complete loss of the catalyst particle attached to it. The observations strongly support the growth-termination mechanism of CNT forests or carpets by dynamic morphological evolution of catalyst particles induced by Ostwald ripening, and sub-surface diffusion. We show that in the tip-growth mode, as well as in the base-growth mode, the growth termination of CNT by dissolution of catalyst particles is plausible. This may allow the growth termination mechanism by evolution of catalyst morphology to be applicable to not only CNT forest growth, but also to other growth methods (for example, floating-catalyst chemical vapor deposition), which do not use any supporting layer or substrate beneath a catalyst layer.

• Journal of Magnetics
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• 제3권3호
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• pp.69-73
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• 1998

A drum type magnetic separator was designed and optimized by computer simulation. The separator consisted of rotating outer shell of drum, magnetic flux generator drum which was assembled with numbers of disk type magnet holders, and drum axis around which the magnet holders were fixed. NdFeB magnet blocks were inserted into the disks, and the disks were assembled layer by layer along the drum axis. Magnetic circuits of the separator were simulated on the basis of highest magnetic strength, least cost, and high yield of separation by using a Vector Field S/W employing the Opera-2D program. The separator proved a separation yield of 95% in removing fine iron-base particles, and installed at Hot Rolling Mill of Pohang Iron & Steel Co. In Korea.

• 한국농공학회논문집
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• 제54권5호
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• pp.155-160
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• 2012

In this paper it was analyzed that the mechanical properties, the permeability and the freezing properties of SB-2 materials which are mainly used with the subbase materials. To this ends, a series of the physical test, the permeability test and the freezing test were carried out the samples mixed the small aggregate and the big aggregate from which was re-classified the SB-2. From the test results, it was analyzed the characteristics of permeability and the characteristics of freezing of the samples. And it was reviewed for SB-2 materials that the use of possibility for the freezing prevention layer material.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.181.2-181.2
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• 2016

OLED 소자는 발광 방향에 따라 Bottom Emission 방식과 Top Emission 방식으로 나뉜다. 이 중 대면적 OLED TV 적용에 개구율이 더 높은 Top Emission방식을 선호하는 추세이다. 높은 개구율을 가진 Top Emission OLED소자를 위해서는 투명하고 전도성이 높은 캐소드가 중요하다. 본 연구에서는 Themal Evaporation 시스템을 이용하여 증착한 $SnO_2/Ag-Pd-Cu(APC)/SnO_2$ hybrid 전극의 특성을 연구하고 Oxide/Metal/Oxide(OMO) hybrid 박막의 bending mechanism을 제시하였다. base pressure는 $1{\times}10^{-6}Torr$로 고정하고 $SnO_2$ 박막은 0.34A / 0.32V, APC 박막은 0.46A / 0.40V의 power로 성막하였다. APC와 $SnO_2$의 두께를 변수로 OMO 전극을 제작하였고 그 전기적, 광학적 특성을 Hall measurement, UV/Visible spectroscopy을 이용하여 분석하고 Figure of merit 값을 바탕으로 최적 두께를 설정하였다. UPS(Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy) 분석으로 $SnO_2/APC/SnO_2$ 전극의 일함수을 통해 투명 cathode로 쓰였을 때 $SnO_2$ 층이 buffer layer역할을 함을 확인하였다. XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)를 이용하여 정성분석과 정량분석을 하였고 OMO hybrid 전극의 bending mechanism 연구를 위해 다양한 bending test (Inner/Outer dynamic fatigue test, twisting test, rolling test)를 진행하였다. 물리적 힘이 가해진 OMO hybrid 전극의 표면과 구조는 FE-SEM(Field Emission Scanning Electron Microscope) 분석을 통해서 확인할 수 있었다.

• 공업화학
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• 제9권1호
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• pp.6-12
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• 1998

감광성 고분자를 감지막 재료로 한 FET(Field Effect Transistor)형 $CO_2$센서를 사진식각법으로 제작하였다. 즉, 바탕소자인 pH-ISFET gate 위에 먼저 Ag/AgCl 기준전극을 형성한 후, 수화젤(hydrogel)막 및 기체투과막의 순서로 감지막을 사진식각법으로 형성하였다. 광가교형 감광성 고분자 polyvinyl alcohol 또는 poly(vinyl pyrrolidinone-co-vinyl acetate)를 감지막의 재료로 할 경우에는 사진식각법으로 용매를 포함하는 일정두께의 수화젤막을 형성하는 것이 어려운 것으로 판단되었다. 광중합 감광성 고분자로서 2-hydroxy methacrylate, acrylamide 단량체를 수화젤막 재료로, polyurethane acrylate oligomer를 기체투과막의 재료로써 사용할 경우 사진식각법으로 용이하게 막의 형성이 가능하였고, 제조된 FET형 $CO_2$ sensor는 $CO_2$농도 $10^{-3}{\sim}10^0mole/{\ell}$에서 좋은 직선성을 나타내었다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.57-60
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• 2009

The conductive coating method was used for a various industrial fields. For example, Sputtering process is using to a coat of ITO layer in LCD or OLED panel manufacture process and fabricate a base layer of substrate of an electric printing device. However, conventional coating process (beam sputtering, spin coating etc.) has a problems in the industrial manufacturing process. These processes have a very high cost and critical manufacturing environment as a vacuum process. Recently, many researchers were proposed a various printing process instead of conventional coating process. In this paper, we propose an ESD printing process in ITO coating layer and apply to fabricate a conductive coating film. Ours transparent electrode had a surface resistance of about $66{\Omega}/{\square}$ and transparent of 74% in the wavelength of 500nm. This transparent electrode manufacturing process will be applied to Roll-to-Roll process. In addition, we developed roll printing process system for the next generation flexible solar cell.

• 한국재료학회지
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• 제32권4호
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• pp.200-209
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• 2022

In this study, defects generated in the YSZ coating layer of the IN738LC turbine blade are investigated using an optical microscope and SEM/EDS. The blade YSZ coating layer is composed of a Y-Zr component top coat layer and a Co component bond coat layer. A large amount of Cr/Ni component that diffused from the base is also measured in the bond coat. The blade hot corrosion is concentrated on the surface of the concave part, accompanied by separation of the coating layer due to the concentration of combustion gas collisions here. In the top coating layer of the blade, cracks occur in the vertical and horizontal directions, along with pits in the top coating layer. Combustion gas components such as Na and S are contained inside the pits and cracks, so it is considered that the pits/cracks are caused by the corrosion of the combustion gases. Also, a thermally grown oxide (TGO) layer of several ㎛ thick composed of Al oxide is observed between the top coat and the bond coat, and a similar inner TGO with a thickness of several ㎛ is also observed between the bond coat and the matrix. A PFZ (precipitate free zone) deficient in γ' (Ni₃Al) forms as a band around the TGO, in which the Al component is integrated. Although TGO can resist high temperature corrosion of the top coat, it should also be considered that if its shape is irregular and contains pore defects, it may degrade the blade high temperature creep properties. Compositional and microstructural analysis results for high-temperature corrosion and TGO defects in the blade coating layer used at high temperatures are expected to be applied to sound YSZ coating and blade design technology.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.196.2-196.2
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• 2013

본 연구에서는 분자선 에피택시 (MBE)법으로 성장된 InAs submonolayer quantum dot (SML-QD)을 태양전지에 응용하여 광학 및 전기적 특성을 평가하였다. 본 연구에서 사용된 양자점 태양전지(quantum dot solar cell, QDSC)의 구조는 n+-GaAs 기판 위에 n+-GaAs buffer와 n-GaAs base layer를 차례로 성장 한 후, 활성영역에 InAs/InGaAs SML-QD와 n-GaAs spacer layer를 8주기 형성하였다. 그 위에 p+-GaAs emitter, p+-AlGaAs window layer를 성장하고 ohmic contact을 위하여 p+-GaAs 를 성장하였다. SML-QD 구조의 두께는 0.3 ML 이며, 이때 SML-QD의 적층수를 4 stacks 으로 고정하였다. SML-QD 와의 비교를 위하여 2.0 ML크기의 InAs자발 형성 양자점 태양전지(SK-QDSC)과 GaAs 단일 접합 태양전지 (reference-SC)를 동일한 성장조건에서 제작하였다. PL 측정 결과, 300 K에서 SML-QD의 발광 피크는 SK-QD 보다 고에너지에서 나타나는데(1.349 eV), 이것은 SML-QD가 SK-QD보다 작은 크기를 가지기 때문으로 사료된다. SML-QD는 single peak를 보이는 반면, SK-QD는 dual peaks (1.112 / 1.056 eV)을 확인하였다. SML-QD의 반치폭(full width at half maximum, FWHM)이 SK-QD에 비하여 작은 것으로 보아 SML-QD가 SK-QD보다 양자점 크기 분포의 균일도가 높은 것으로 해석된다. Illumination I-V 측정 결과, SML-QDSC의 개방 전압(VOC) 과 단락전류밀도(JSC)는 SK-QDSC의 값과 비교해 보면, 각각 47 mV와 0.88 mA/cm2만큼 증가하였다. 이는 SK-QD보다 상대적으로 작은 크기를 가진 SML-QD로 인해 VOC가 증가되었으며, SML-QD가 SK-QD 보다 태양광을 흡수할 수 있는 영역이 비교적 적지만, QD내에 존재하는 energy level에서 탈출 할 수 있는 확률이 더 높음으로써 JSC가 증가한 것으로 분석 된다.

• 한국환경생태학회지
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• 제21권3호
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• pp.243-256
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• 2007

본 연구는 거제시 신현읍의 산림을 연결하는 녹지축의 식재현황을 파악하고 생태적 구조개선방안을 수립하고자 실시하였다. 연구대상지는 소음완화를 목적으로 하는 완충녹지로 육교산(50m)과 중매산(131m)을 잇는 중간지점에 위치하고 있다. 비오톱 유형은 시가화지역, 도로 등 도시화지역 2개, 산림비오톱, 하천비오톱, 조경수목식재지 비오톱 등 녹지 및 오픈스페이스 지역 15개로 총 17개로 분류되었다. 비오톱 유형분석자료를 바탕으로 자연생태계가 양호하여 생물서식이 가능한 육교산과 중매산을 거점녹지로, 기조성된 완충녹지를 연결녹지로 활용하는 것이 생물을 도심내로 유입하는 유일한 방법으로 판단되었다. 거점녹지, 준거점녹지, 연결녹지의 녹피율은 각각 160.29%, 128.37%, 44.37%. 녹지용적계수는 $4.04m^3/m^2,\;3.95m^3/m^2,\;0.65m^3/m^2$로 거점녹지는 층위구조가 형성되어 생물서식처 및 종공급처 역할을 수행하고 있으나 준거점녹지는 하층식생이 훼손되었고, 연결녹지는 관목층의 식재량 부족 및 훼손으로 불량하였다. 결국, 도심내로의 야생조류유입 및 생물서식을 위한 통로 역할과 시민들의 이용공간으로 활용하기 위해서는 거점녹지의 연결을 통한 생물종다양성 증진 및 시민의 이용을 위한 자연관찰로를 조성하고자 도심내 야생조류 유입을 위한 생태적 조성 가로녹지 조성을 통한 녹지 연결, 도시민의 이용 및 휴양을 위한 경관개선에 대한 세부실천계획을 제안하고자 하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.240.2-240.2
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• 2013

The device scale of flash memory was confronted with quantum mechanical limitation. The next generation memory device will be required a break-through for the device scaling problem. Especially, graphene is one of important materials to overcome scaling and operation problem for the memory device, because ofthe high carrier mobility, the mechanicalflexibility, the one atomic layer thick and versatile chemistry. We demonstrate the hybrid memory consisted with the metal-oxide quantum dots and the mono-layered graphene which was transferred to $SiO_2$ (5 nm)/Si substrate. The 5-nm thick secondary $SiO_2$ layer was deposited on the mono-layered graphene by using ultra-high vacuum sputtering system which base pressure is about $1{\times}10^{-10}$ Torr. The $In_2O_3$ quantum dots were distributed on the secondary $SiO_2$2 layer after chemical reaction between deposited In layer and polyamic acid layer through soft baking at $125^{\circ}C$ for 30 min and curing process at $400^{\circ}C$ for 1 hr by using the furnace in $N_2$ ambient. The memory devices with the $In_2O_3$ quantum dots on graphene monolayer between $SiO_2$ thin films have demonstrated and evaluated for the application of next generation nonvolatile memory device. We will discuss the electrical properties to understating memory effect related with quantum mechanical transport between the $In_2O_3$ quantum dots and the Fermi level of graphene layer.