• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권12호
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• pp.989-995
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• 2000

G $e_{1-x}$ S $n_{x}$G $e_{1-y}$S $n_{y}$ is a very promising material for the high-speed device due to the fact that electron and hole mobilities for the strained G $e_{1-x}$ S $n_{x}$G $e_{1-y}$S $n_{y}$ are greatly enhanced. Because G $e_{1-x}$ S $n_{x}$G $e_{1-y}$S $n_{y}$ has a direct band gap for the proper combination of x and y, it can be applied to the optoelectronic device. Therefore, the study of the electrical property for G $e_{1-x}$ S $n_{x}$G $e_{1-y}$S $n_{y}$(001) with a direct energy gap is needed. G $e_{1-x}$ S $n_{x}$ layer can not be grown thickly due to the large difference of lattice constants. This fact prefers the structure of the device where electrons and holes move in the plane direction. The transverse mobilities of electron and hole for G $e_{0.8}$S $n_{0.2}$Ge(001) are 2~3 times larger than those for Ge/Ge/ sub0.8/S $n_{0.2}$(001). Therefore, G $e_{0.8}$S $n_{0.2}$Ge(001) is expected to be better than Ge/G $e_{0.8}$S $n_{0.2}$(001) for the development of the high-speed device.h-speed device.device.h-speed device. device.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.128.1-128.1
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• 2013

We investigated the correlation between electrical transport and mechanical stress in $Bi_2Te_2Se$ by using a conductive probe atomic force microscopy in an ultra-high vacuum environment. Uniform distribution of measured friction and current were observed over a single quintuple layer terrace, which is an indication of the uniform chemical composition of the surface. By measuring the charge transport of $Bi_2Te_2Se$ surface as a function of the load applied by a tip to the sample, we found that the current density varies with applied load. The variation of current density was explained in light of the combined effect of the changes in the in-plane conductance and spin-orbit coupling that were theoretically predicted. We suppose that the local density of states is modified by tip-induced strain, but topological phase still remains. We exposed a clean topological insulator surface by tip-induced indentation. The surface conductance on the indented $Bi_2Te_2Se$ surface was studied, and the role of surface oxide on the surface conductance is discussed.

• 한국식품조리과학회지
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• 제19권5호
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• pp.562-570
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• 2003

The awareness of ritual foods in general rituals were surveyed and compared in the Gyeonggi and Gyungsangbuk-do areas in order to identify the characteristics of Korean rituals and establish desirable ritual foods. As materials for "Jeon" (fried pan cakes) in rituals, fish fillets, meat and vegetables were largely used in the Gyeonggi region. In the Gyeongbuk region, all three of these ingredients were the most highly used for "Jeon" also. In the case of rice cakes, "Songpyun" steamed on a layer of pine needles, "Jeolpyun" and "Sirudduk", with a red beans, were mostly used in Gyeonggi-do, while "Songpyun", "Jeolpyun" and "Ingelmi" were largely used in Gyeongsangbuk-do. As seasoned vegetables and herbs, fernbrakes, root of bell flowers, green bean sprouts and bean sprouts were largely used in Gyeonggi-do region, whereas, fernbrakes, bean sprouts, root of bell flowers and spinaches were mainly used in Gyeongbuk region. The use of fernbrakes was highest in both regions. With regard to the number of side dishes, 2∼3 kinds of seasoned herbs and 3∼4 kinds of fruits were mostly used, but with slightly higher numbers in the Gyeongsangbuk-do than the Gyeonggi-do region. With regard to liquor used for rituals, clear strained rice wine was used most in the Gyeonggi-do area, while more unrefined rice wine was used in the Gyeongbuk region. Meat was the most used ingredient in broth slices of dried meat and cod were highly used in the Gyeonggi region, but slices of dried squid were most widely used in the Gyeongbuk region. Most households in both regions tended not to use raw fish in the rituals, and as for the ingredients of Korean Kabobs, meat was the most widely used, then fish and finally vegetables were the most used ingredients. Beef soup was the most used, but more green vegetable soup was used in the Gyeongbuk than the Gyeonggi region. Sweet drink made from fermented rice (sikhe) was generally used in the rituals. It was the most widely used in the Chusok-Hangawi Ritual in the Gyeonggi region, while it was used in the New Year's Ritual in the Gyeongbuk region.

• 한국결정성장학회지
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• 제20권3호
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• pp.113-116
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• 2010

본 논문에서는 Sb를 촉매제로 이용하는 경우의 InGaN 나노구조의 성장과 구조적 특징 및 광학적 특성에 대해서 연구하였다. 결정성장에 있어서 촉매제의 사용은 성장 모드의 변화와 결정 결함의 감소 등을 위한 목적으로 많이 사용되어왔다. 본 연구에서는 혼합소스 HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 사용하여 (0001) 사파이어 기판 위에 InGaN 나노구조를 성장하였고, 구조적 및 광학적 특성은 scanning electron microscope(SEM)과 photoluminescence(PL)를 통해 평가하였다. Sb이 첨가되지 않은 경우에는 InGaN 나노구조가 c-축 방향으로 정렬되는 경향을 보이지만 Sb이 첨가된 경우에는 InGaN 나노구조의 c-축 방향이 기판에 대해 평행하거나 경사진 방향으로 정렬되고 있는 것을 관찰할 수 있었다. In의 조성은 Sb 의 첨가 여부에 관계없이 약 3.2% 정도로 계산되었다. 이러한 결과들로부터 측면 배향된 나노입자를 활성층으로 하는 광소자에 적용할 경우 압전 전계를 완화할 수 있기 때문에 광소자의 발광 성능을 향상시킬 수 있을 것으로 기대된다.

• 한국진공학회지
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• 제18권2호
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• pp.127-132
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• 2009

Sb에 기초한 응력 초격자 적외선검출소자의 구성 물질인 도핑하지 않은 기판 GaSb 결정과 GaSb/SI-GaAs 박막에 잔존하고 있는 진성결함 (intrinsic defect)을 비교 조사하였다. 상온 근처 (250 K)까지 광여기 발광 (PL)을 보이는 GaSb 결정에서의 발광 에너지의 온도의존성으로부터, 밴드갭 에너지에 관한 경험식인 Varshni 함수의 파라미터 ($E_o$, $\alpha$, $\beta$)를 결정하였다. GaAs 기판 위에 성장된 이종 GaSb 박막에서는 GaSb 주요 진성결함으로 알려져 있는 29 meV의 이온화 에너지를 가지는 위치반전 (antisite) Ga ([$Ga_{Sb}$]) 결함과 함께 위치반전 Sb ([$Sb_{Ga}$])와의 복합결함 ([$Ga_{Sb}-Sb_{Ga}$])과 관련된 것으로 분석된 732/711 meV의 한 쌍의 깊은준위 (deep level)가 관측되었다. PL의 온도 및 여기출력 의존성을 분석하여, Sb-rich상태에서 성장된 GaSb 박막에서는 잉여 Sb의 자발확산 (self-diffusion)에 의하여 치환된 위치전도 [$Ga_{Sb}$] 및 [$Sb_{Ga}$]가 결합하여 [$Ga_{Sb}-Sb_{Ga}$]의 깊은준위를 형성하는 것으로 해석되었다.

• 한국진공학회지
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• 제17권3호
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• pp.226-233
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• 2008

본 연구는 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition)법을 이용하여 Si(100) 표면위에 Ge 나노점을 성장하여 나노점의 형성과 성장과정을 원자간력현미경(AFM)으로 조사하였다. 성장온도, Ge 증착량, 열처리시간의 변화에 따른 형성된 나노점의 모양, 크기, 표면 밀도의 변화를 분석하였다. $600^{\circ}C$의 성장온도에서 ${\sim}0.1ML/sec$의 증착율로 Ge을 증착한 결과, ${\sim}4ML$까지는 pseudomorphic한 Ge wetting 층이 형성되었으며, 증착시간을 증가하여 5ML 이상에서 Ge 나노점이 형성되기 시작하였다. Ge 증착량을 증가시킴에 따라 초기 나노점은 긴 지붕모양(elongated hut)구조로 형성되었고, 점차 크기가 증가함에 따라, 피라미드(pyramid), 돔(dome), 더 큰 Superdome 구조로 변형되었다. 초기 피라미드 형태의 나노점 평균크기는 ${\sim}20nm$이였으며, 가장 큰 superdome의 평균크기는 ${\sim}310nm$ 이상이었으며, 크기가 증가함에 따라 표면 밀도는 $4{\times}10^{10}cm^{-2}$에서 $5{\times}10^8cm^{-2}$로 감소하였다. 상대적으로 고온인 $650^{\circ}C$에서 Ge을 증착했을 경우, 피라미드 구조는 발견되지 않았으며, 대부분의 나노점은 돔 형태로 형성되었으며, 점차 superdome 형태로 변형되었다. 또한, 고온 성장된 시료의 열처리 시간을 증가함에 따라, 나노점의 크기는 점차 성장하였으나, 밀도는 거의 변화가 없었다. 이와 같은 나노점의 형태, 크기, 밀도의 변화는 나노점이 갖는 에너지의 최소화와 표면에서 원자들의 이동(diffusion)으로 설명할 수 있었다. 특히, AFM 이미지의 표면에 분포한 나노점들의 상대적인 위치를 분석한 결과, 유사한 크기의 근접한 나노점들은 점차 크기가 증가함에 따라 합쳐지는 Coalescence과정에 의해 성장하고, 크기가 다른 근접한 나노점들 사이에는 화학적 포텐셜에너지 차에 의한 ripening 과정의 성장을 관찰하였다. 즉, 형성된 나노점들은 국부적인 표면분포에 따라 나노점들은 두 성장과정이 동시 작용하여 성장함을 확인하였다.