• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
• /
• 한국신재생에너지학회 2009년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.382-382
• /
• 2009

염료감응형 태양전지의 구성체 중 전극으로 연구 되어 지고 있는 $TiO_2$는 기존에 대량 생산이 가능한 spin coating법, screen printing법, spray법의 연구가 이루어져 왔으나 고 효율 태양전지에 쓰이는 전극 시스템에 비해 고 분산성을 지닌 $TiO_2$페이스트를 제조 하는데 어려움이 있다. 그리고 플렉시블 디스플레이 소자의 응용을 위해서는 소자 공정 온도인 $250^{\circ}C$ 이하의 공정 온도가 요구 되어 지므로 고온공정인 CVD법은 이에 적합하지 않다. 이에 본 연구는 진공 증착 방법인 광원자층증착법을 이용하여 $150^{\circ}C$이하의 저온공정온도에서도 적용이 가능한 $TiO_2$ 박막을 185nm의 UV light를 조사하여 glass 기판위에 제조 하고 그에 따른 박막의 물성 분석을 하였다. Mo source로는 titanium tetraisopropoxide(TTIP)와 reactant gas 로는 $H_2O$를 사용하였으며 불활성 기체인 Ar 가스는 purge 가스로 각각 사용하였다. $100^{\circ}C{\sim}250^{\circ}C$ 공정온도를 변수로 $TiO_2$ 박막을 제조 하였으며 제조된 $TiO_2$ 박막의 물성 분석을 위해 FESEM, TEM을 이용하여 표면 및 두께를 분석하였다. 또한 $100^{\circ}C$ 400 cycles에서 약 12nm 막 두께를 관찰 할 수 있었으며 그 결과 박막의 성장률이 $0.3{\AA}$/cycle 임을 확인 할 수 있었다. 그리고 UV-VIS을 이용하여 박막의 좌외선에 대한 흡수도 및 투과도 분석을 하였다. 또한 XPS 성분 분석을 통하여 $100^{\circ}C$의 저온 공정에서 형성된 박막이 $TiO_2$임을 확인 하였다. 이러한 결과에서 185nm의 UV light에 의한 광원자층 증착법으로 $100^{\circ}C$의 저온에서도 $TiO_2$ 박막이 증착 되는 것을 확인 할 수 있었다.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제48권1호
• /
• pp.86-93
• /
• 2011

Transparent plasma display can be realized by developing the synthetic chemistry of appropriate nanophosphors and generating nanophosphor-based transparent luminescent layers. For this goal, red-emitting $Y(V_{0.5},\;P_{0.5})O_4$:Eu nanophosphors were synthesized by a facile hydrothermal route at $200^{\circ}C$ for 48 h and the resulting nanophosphors were subsequently annealed at $800^{\circ}C$ at an ambient atmosphere. The crystallographic structure, morphology, and emission property of the as-synthesized and annealed nanophosphors were compared. Choosing 2-methoxyethanol as a dispersion medium and applying a standard sonication, well-dispersed nanophosphor solutions could be prepared. Using these dispersions, visible transparent nanophosphor layers were spin-deposited on glass substrates. By combining $Y(V_{0.5},\;P_{0.5})O_4$:Eu nanophosphor layer/glass substrate as a rear plate with a front plate used in a conventional plasma display panels (PDPs), mini-sized transparent red-emitting PDPs were constructed. Transmittance and luminance properties of two transparent test panels using as-synthesized versus $800^{\circ}C$-annealed nanophosphors were characterized and compared.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 1996년도 하계학술대회 논문집 C
• /
• pp.1505-1507
• /
• 1996

In this study, $(Pb_{0.88}La_{0.12})(Zr_{0.40}Ti_{0.60})O_{2.97}$ (La/Zr/Ti=12/40/60) ceramic thin films were fabricated from an alkoxide-based by Sol-Gel method. PLZT stock solutions were made and spin-coated on the ITO-glass rubstrate at 4000[rpm] for 30[sec]. Coated specimens were baked to remove the organic materials at $400[^{\circ}C]$ for 10[min]. This procedure was repeated 5 times. The coated films were finally annealed at $450{\sim}700[^{\circ}C]$ for 1[hr]. The ferroelectric perovskite phases precipitated under the sintering of $550{\sim}700[^{\circ}C]$ for 1[hr]. Relative dielectric constant of the PLZT thin were increased with increasing the sintering temperature, the thin file sintered at $650[^{\circ}C]$ showed the highest value of 196. But in the PLZT thin film sintered at $700[^{\circ}C]$, relative dielectric constant was greatly decreased due to reacts between ITO electrode and glass substrate. In all thin films, the transmittance was more than 70[%] (at 632.8[nm]).

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제13권7호
• /
• pp.592-597
• /
• 2000

In this study (B $a_{0.5}$/S $r_{0.5}$)Ti $O_3$[BST(50/50)] ceramic thin films were prepared by the Sol-Gel method BST(50/50) stock solution was made and spin-coated on the Indium Tin Oxide(ITO)/glass substrate at 4000 rpm for 30 seconds. The coated films were dried at 35$0^{\circ}C$ for 10 minutes and annealed at 650~75$0^{\circ}C$ for 1 hour. The microstructural properties of the BST(50/50) thin film were studied by the XRD and AFM. The ferroelectric perovskite phase was formed at the annealing condition of 75$0^{\circ}C$ for 1 hour. Dielectric constant and loss of this thin were 370, 3.7% at room temperature respectively. The polarization switching voltage showed the good value of 3V. The leakage current density of the BST(50/50) thin film was 10$^{-7A}$c $m^2$with applied voltage of 1.5V. BST(50/50) thin film capacitors having good dielectric and electrical properties are expecting for the application to the dielectric material of DRAM.RAM.M.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
• /
• pp.77-78
• /
• 2006

최근 flexible OLED의 구동에 사용하기 위한 유기박막트랜지스터(Organic Thin Film Transistor, OTFT)의 연구에서는 용매에 용해되어 spin coating이 가능한 재료의 개발에 관심을 두고 있다. 현재 pentacene으로는 아직 spin coating으로 제작할 수 있는 상용화된 제품이 없고 spin coating이 가능한 활성층 물질(active material)로 P3HT가 쓰이고 있다. 본 연구에서는 용해 가능한 P3HT 활성층 물질과 여러 종류의 용해 가능한 게이트 절연물(gate insulator, Gl)을 사용하여 안정된 소자를 구현할 수 있는 공정을 개발하는 목적으로 metal-insulator-semironductor(MIS) 소자를 제작하여 C-V 특성을 측정하고 분석하였다. 먼저 7mm${\times}$7mm 크기의 pyrex glass 시편 위에 바닥 전극으로 $1600{\AA}$ Au을 증착하고 spin coating 방식을 이용하여 PVP, PVA, PVK, BCB, Pl의 5종류의 게이트 절연층을 각각 형성하였고 그 위에 같은 방법으로 P3HT를 코팅하였다. P3HT 코팅 시 bake 공정의 유무와 spin rpm의 변화에 따른 P3HT의 두께를 측정하였다. Gl의 종류별로 주파수에 따른 capatltancc를 측정하여 비교, 분석하였다. C-V 측정 결과 PVP, PVA, PVK, BCB, Pl의 단위 면적당 capacitance 값은 각각 1.06, 2.73, 2.94, 3.43, $2.78nF/cm^2$로 측정되었다. Threshold voltage, $V_{th}$는 각각 -0.4, -0.7, -1.6, -0.1, -0.2V를 나타냈다. 주파수에 따른 capacitance 변화율을 측정한 결과 Gl 물질 모두 주파수가 높을수록 capacitance가 점점 감소하는 경향을 보였으나 1${\sim}$2nF 이내의 범위에서 작은 변화율만 나타냈다. P3HT의 두께와 bake 온도를 변화시켜 C-V 값을 측정한 결과 차이는 없었다. FE-SEM으로 관찰한 결과에서도 두께나 온도에 따른 P3HT의 표면 morphology 차이를 확인할 수 없었다. 본 연구에서 PVK와 P3HT의 조합이 수율(yield)면에서 가장 안정적이면서 $3.43\;nF/cm^2$의 가장 높은 capacitance 값을 나타내고 $V_{th}$ 값 또한 -1.6V로 가장 낮은 값을 보였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
• /
• pp.1466-1469
• /
• 2005

We report effects of electrical aging on the emission stability of carbon nanotube (CNT) paste for low cost and high low-cost and large area field emission devices or displays. Photosensitive carbon nanotube paste was formulated by using of spin on glass (SOG) as an inorganic binder and investigated emission properties and stability depending on electrical aging condition.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
• /
• pp.777-779
• /
• 2002

We report the performance of pentacene-based organic thin film transistors (OTFT) with PMMA (polymethyl methacrylate) as the gate insulator which was spin-coated on the ITO (indium tin oxide) glass substrate which was used as the gate contact. The pentacene thin film was deposited on the PMMA film and then Au source/drain contacts were deposited through shadow mask. The pentacene film shows better molecular ordering on PMMA compared with $SiO_2$ of Si wafer. The devices exhibited the field effect mobility of ${\sim}0.004cm^2$/Vs and on/off current ratio of ${\sim}10^3$.

• 한국광물학회지
• /
• 제24권4호
• /
• pp.301-312
• /
• 2011

철을 포함한 비정질 규산염 용융체의 원자 구조 규명은 지표 환경의 화성활동 및 맨틀 심부의 초저속도층의 속도구조에 이르는 광범위한 지질과정의 미시적인 원인에 대한 단서를 제공한다. 본 연구에서는 철을 포함한 비정질 규산염의 원자 구조 규명에 가장 적합한 고상 핵자기공명분광분석(NMR)을 이용하여 최대 16.07 wt%의 $Fe_2O_3$가 포함된 비정질 알칼리 규산염(iron-bearing alkali silicate glasses)의 철의 함량 변화가 원자구조에 미치는 영향을 규명하였다. $^{29}Si$ 스핀-격자 완화시간($T_1$)을 측정한 결과, 철의 함량에 따라 스핀-격자 완화시간이 짧아지는데 이는 철이 가지고 있는 홀전자(unpaired electron)와 핵 스핀(nuclear spin)간의 상호작용으로부터 기인한다. $^{29}Si$ MAS NMR 실험 결과, 철이 포함되지 않은 시료의 경우 $Q^2$, $Q^3$ 그리고 $Q^4$의 환경을 지시하는 피크가 분리됨에 반하여, 철이 포함된 시료의 경우 NMR 신호의 급격한 감소와 피크 폭이 넓어짐으로써 각각의 규소 환경이 거의 분리되지 않았다. 그러나 철의 함량에 따라 스펙트럼이 넓어지고 화학적 차폐값(chemical shift)이 높아지는 현상을 확인하였는데, 이는 $Q^4$의 규소 환경을 나타내는 방향으로서 철 주변의 $Q^n$이 불균질하게 분포하고 있음을 지시한다. $^{17}O$ MAS NMR 실험에서도 철이 포함되지 않은 시료에서는 연결산소(Si-O-Si)와 비연결산소(Na-O-Si)가 부분적으로 분리되지만, 철의 함량이 증가하면서 각각의 산소 환경이 거의 분리되지 않는다. 이러한 연구결과는 고상 핵자기공명분광분석이 철을 포함한 비정질 규산염의 상세한 구조 연구에 효과적인 도구임을 지시한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.328-329
• /
• 2009

This paper presents the effect of organic Ag complex sintering temperature on the MEH-PPV photoluminescence (PL) properties. MEH-PPV and organic Ag complex was coated on the glass substrate by spin coating method. The coated Ag complex was sintered in an air atmosphere. The sintering temperature was varied from 100 to $200^{\circ}C$ and sintering time was 5 min. The Ag film sintered at temperature higher than $120^{\circ}C$ shows very low sheet resistance less than $0.5\;{\Omega}{/\square}$. The coated MEH-PPV measure photoluminescence (PL) intensity at 580 nm. The PL peak was shifted to the higher wavelength with increasing the sintering temperature.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 1996년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.152-155
• /
• 1996

Platinum thin films were deposited on $Al_2$O$_3$substrate by DC magnetron sputtering for RTD(Resistance Thermometer Devices) temperature sensors. We made Pt resistance pattern on $Al_2$O$_3$substrate by lift-off method and fabricated Pt-RTD temperature sensors by using W-wire, silver epoxy and SOG(spin-on-glass). In the temperature range of 25~40$0^{\circ}C$, we investigated TCR(temperature coefficient of resistance) and resistance ratio of Pt-RTD temperature sensors. TCR values were increased with increasing the annealing temperature, time and the thickness of Pt thin films. Resistance values were varied lineally within the range of measurement temperature. At annealing temperature of 100$0^{\circ}C$, annealing time of 240min and thin film thickness of 1${\mu}{\textrm}{m}$, we obtained Pt-RDT TCR value of 3825ppm/$^{\circ}C$ closed to the Pt bulk value.