About 50% of Active Galactic Nuclei(AGNs) are found to be red and dust-obscured. They are believed to be in an early dusty stage of AGNs evolution or affected by dust torus in the direction of line of sight. However, optical spectrum is affected by dust extinction, making it difficult to study their properties, such as FWHM and luminosity. In order to reveal the mass of central Black Hole(BH) in red AGN, we establish a new BH mass estimator for typical type1 AGNs using Near InfraRed(NIR) hydrogen line($P_{\alpha}$ and $P_{\beta}$), since these lines are at longer wavelength, less affected by dust extinction than optical hydrogen lines, such as $H_{\alpha}$ and $H_{\alpha}$. To derive the new empirical formula, we use a sample of well-known 36 AGN with a wide BH mass range of $10^6-10^9\;M_{\odot}$, where $M_{BH}s$ are estimated by reverberation mapping method and single epoch method. The $P_{\alpha}/P_{\beta}$ luminosities and FWHMs are derived by analyzing IRTF NIR spectra or taken from literature values. We show that luminosities and FWHMs of these lines correlate well with those of Balmer lines. Suggesting that Paschen and Balmer broad lines are originated from same region. Finally, we present the new $M_{BH}$ formula that are based on $P_{\alpha}/P_{\beta}$ luminosity and FWHM. We hope that our result will be used for investigating red AGNs.
Park, Kang-Il;Kim, Byung-Sub;Kim, Hyun-Su;Lim, Dong-Gun;Park, Gi-Yub;Lee, Se-Jong;Kwak, Dong-Joo
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.07a
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pp.143-146
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2003
Al doped Zinc Oxide(ZnO:Al) films, which is widely used as a transparent conductor in optoelectronic devices such as solar cell, liquid crystal display, plasma display panel, thermal heater, and other sensors, were prepared by using the capacitively coupled DC magnetron sputtering method. The influence of the substrate temperature, working gas pressure and discharge power on the electrical, optical and morphological properties were investigated experimentally. The consideration on the effect of doping amounts of Al on the electrical and optical properties of ZnO thin film were also carried out. ZnO:Al films with the optimum growth conditions showed resistivity of $9.42{\times}10^{-4}\;{\Omeg}-cm$ and transmittance of 90.88% for 840nm in film thickness in the wavelength range of the visible spectrum.
$CsSrCl_{3}$ crystal was grown using Czochralski method from equimolar mixture of CsCl and $SrCl_{2}$. The spectrum range of the luminescence excited by 205 nm of wavelength was about $280{\sim}550$ nm, and its peak emission appeared at 343 nm. The luminescence decay curve of the $CsSrCl_{3}$ revealed two exponential components with time constants of 60 ns and 700 ns. The energy resolution for $^{137}Cs$ 662 keV ${\gamma}$-ray was 10.3 %. The pulse shape was linear at high energy, but some deviation existed in the low energy region.
Atomically thin two-dimensional (2D) nanomaterials, including transition metal dichalcogenides (TMDs), graphene, boron nitride, and black phosphorus, have opened up new opportunities for the next generation optoelectronics owing to their unique properties such as high absorbance coefficient, high carrier mobility, tunable band gap, strong light-matter interaction, and flexibility. In this review, photodetectors based on 2D nanomaterials are classified with respect to critical element technology (e.g., active channel, contact, interface, and passivation). We discuss key ideas for improving the performance of the 2D photodetectors. In addition, figure-of-merits (responsivity, detectivity, response speed, and wavelength spectrum range) are compared to evaluate the performance of diverse 2D photodetectors. In order to achieve highly reliable 2D photodetectors, in-depth studies on material synthesis, device structure, and integration process are still essential. We hope that this review article is able to render the inspiration for the breakthrough of the 2D photodetector research field.
Choi, Woon Sang;Jung, Soo Ja;Kim, Yong Hun;Jang, Jun Kyu;Jung, Jung Bok;Shin, Jang Cheol
Journal of Korean Ophthalmic Optics Society
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v.5
no.2
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pp.163-165
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2000
We investigated visible light radiated from Plasma Focus device by time-integrated analyzed method. Plasma focus is a device that translated from electric energy into visible light by electric discharge. Spectral analysis is using Monochromator(focal length = 0.5 m). Time-integrated spectrum is analyzed with densitometer the film which developed a constant range of wavelength. The condition of visible emission was that the discharging voltage was 13 kV and the working gas were Argon and Helium.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2002.11a
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pp.656-661
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2002
Multipass Ti:sapphire amplifier for the light source of lidar was developed in an angular-multiplexing, and the characteristics of output energy and spectrum was investigated. In the two-stage multipass amplifier, we obtained the maximum output energy of 42 mJ, the amplification gain of 21 dB and the output efficiency of 26% on the wavelength of 790 nm. In the tuning range of 715~930nm the spectral linewidth is 0.05 $cm^{-1}$ /. The conversion efficiencies of 35% for SHG at 780 m and 13% for THG at 390 nm are obtained respectively. The continuous tunabilities of 240~306 m UV region and 360~460 nm in deep-blue region could be achieved.
We provide results of near-infrared (NIR) spectroscopic observations of 83 nearby (0.002< z <0.48) and bright (K <14 mag) type 1 active galactic nuclei (AGNs). For the observations, we used the Infrared Camera (IRC) on AKARI allowing us to obtain the spectrum in the rarely studied spectral range of $2.5-5.0{\mu}m$. The $2.5-5.0{\mu}m$ spectral region suffers less dust extinction than ultra violet (UV) or optical wavelength ranges, and contains several important emission lines such as $Br{\beta}$ ($2.63{\mu}m$), $Br{\alpha}$ ($4.05{\mu}m$), and polycyclic aromatic hydrocarbon (PAH; $3.3{\mu}m$). The sample is selected from the bright quasar surveys of Palomar Green and SNUQSO, and AGNs with black hole (BH) masses estimated from reverberation mapping method. We measure the Brackett line properties for 11 AGNs, which enable us to derive BH mass estimators and investigate circum-nuclear environments. Moreover, we perform spectral modeling to fit the hot and warm dust components by adding photometric data from SDSS, 2MASS, WISE, and ISO to the AKARI spectra, and estimate hot and warm dust temperatures of ~1100K and ~220 K, respectively.
We have studied the effective optical absorption power of Si solar cell with $SiO_2$-antireflection layer based on a mathematical modelling of AM(air mass)1 spectrum and Si refractive index in the wavelength range(0.4 $\mu\textrm{m}\leq$λ$\leq$$0.97\mu\textrm{m}$). The effective optical absorption power obtained from the theoretical calculation was 450 and 520 W/$\m^2$ for the Si solar cells with $SiO_2$-antireflection layer of 500$\AA$ and 1000$\AA$, respectively. The optimum thickness of $SiO_2$-antireflection layer showing the minimum reflection loss was about 1000$\AA$ in the computer simulation. Two kinds of Si solar cells named EBS(500$\AA$) and EBS(l000$\AA$) were fabricated to evaluate the effect of $SiO_2$-antireflection layer thickness on the optical absorption. The epitaxial base Si cell with $SiO_2$-antireflection layer of 1000$\AA$ [EBS(l000$\AA$)] showed the output power improvement of about 15% upon the EBS(500$\AA$) cell due to larger absorption of effective optical power under illumination of AM1, 1 sun.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.07b
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pp.939-942
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2004
Al doped Zinc Oxide(ZnO:Al) films, which is widely used as a transparent conductor in optoelectronic devices such as solar cell, liquid crystal display, plasma display panel, thermal heater, and other sensors were Prepared by using the capacitively coupled RF magnetron sputtering method. In this paper the effect of RF discharge power on the electrical, optical and structural properties were investigated experimentally. The results show that the structural and electrical properties of the film are highly affected by the variation of RF discharge power. The optimum growth conditions were obtained for films doped with 2 wt% of $Al_2O_3$ and 200 W in RF discharge power, which exhibit a resistivity of $10.4{\times}10^{-4}{\Omega}-cm$ associated with a transmittance of 89.66 % for 1000nm in films thickness in the wavelength range of the visible spectrum.
Borate nonlinear optical crystals have been used as frequency conversion devices in many fields due to their unique transparency and nonlinearity from ultraviolet to visible spectral range. In this study, we theoretically and numerically investigate the properties of broadband second harmonic generation (SHG) in the recently reported Pna21-Ba3Mg3(BO3)3F3 (BMBF) crystal. The technique is based on the simultaneous achievement of birefringence phase matching and group velocity matching between interacting waves. We discussed all factors required for broadband SHG in the BMBF in terms of two types of phase matching and group velocity matching conditions, the beam propagation direction and the corresponding effective nonlinearity and spatial walk-off, and the spectral responses. The results show that bandwidths calculated in the broadband SHG scheme are 220.90 nm (for Type I) and 165.85 nm (for Type II) in full-width-half-maximum (FWHM). The central wavelength in each case is 2047.76 nm for Type I and 1828.66 nm for Type II at room temperature. The results were compared with the non-broadband scheme at the telecom C-band.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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