• KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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• 제12C권4호
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• pp.214-219
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• 2002

The influence of ultraviolet (UV) irradiation and corona on the surface degradation of high temperature vulcanized (HTV) silicone rubber used for outdoor insulation through measuring surface voltage decay after corona charging, surface resistivity, contact angle and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis was studied. The surface resistivity calculated by the surface voltage decay was compared with a value directly obtained from the three electrode method having the guard ring electrode. A good agreement between the two methods for surface resistivity was obtained. UV treated specimens showed the slower decrease of surface voltage decay, while the corona exposed specimens showed a dramatically faster decrease. Although both artificial treatments cause the same oxidative products, which was confirmed with XPS, we could distinguish the difference between the reactions of the two treatments by monitoring the surface voltage decay on corona-charged specimen. In addition, we could derive the specific surface states of the silicone rubber treated by accelerated artificial aging factors and the degradation process.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제7권1호
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• pp.6-10
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• 2001

Ultrafine $(CeO_2)_{0.9}(Gd_2O_3)_{0.1}$ solid solution powders synthesized by the glycine-nitrate process, with specific surface areas of $19-23\;\textrm{m}^2$/g were sintered at $1500^{\circ}C$ for various sintering times and then their electrical characteristics were investigated using AC impedance and four-point probe measurements. The electrical resistivity of the sintered $(CeO_2)_{0.9}(Gd_2O_3)_{0.1}$ bodies showed the minimum value at the sintering time of 10 hrs. The minimum total resistivity of the $(CeO_2)_{0.9}(Gd_2O_3)_{0.1}$ bodies sintered at $1500^{\circ}C$ for 10 hrs seems to result from the lowest activation energy for the electrical resistivity by the combination between the activation energies for the resistivities at the grain interior and grain boundary.

• 대한전자공학회논문지
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• 제26권12호
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• pp.1995-2000
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• 1989

The ion beam system of 20keV C-W (Cockroft Walton) type composed of the AuGe alloy LMIS(Liquid Metal Ion Source) has been designed and constructed. For the fabrication of the ohmic contact to the n-GaAs, the ion beam extracted from the AuGe alloy source was implanted into the n-GaAs, and it was measured by contact resistivity. The stable AuGe ion beam(2.5\ulcorner/cm\ulcorner was obtained at the extraction voltage of 14.5kV. The measurements of the contact resistivity were done by the TLM (Transmission Line Model) method and the specific contact resistivity was found to be 2.4x10**-5 \ulcornercm\ulcornerfor the implanted sample by the 1.9x10**20/cm**3 and the annealed sample at 30\ulcorner for 2 min.

• 한국소음진동공학회:학술대회논문집
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• 한국소음진동공학회 1997년도 추계학술대회논문집; 한국과학기술회관; 6 Nov. 1997
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• pp.237-243
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• 1997

Most outdoor sounds go from sources relatively near the ground to receivers near the ground. When either source or receiver are near the ground, interference can occur between the direct sound and that reflected at the ground which travels a slightly longer path. The sound pressure at the receiver is very different depending on the state of ground surface i.e. ground impedance. Ground impedances could be characterized by the value of a single parameter, namely the flow resistivity of the ground surface. This study suggests the measurement method of the flow resistivity using two microphones and predicts the flow resistivities of various ground surfaces.

• 대한금속재료학회지
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• 제50권3호
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• pp.248-255
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• 2012

AlN thin films containing various amounts of Co, AlN-Co, and Al-Co alloy particles were prepared using a two-facing-target type dc reactive sputtering (TFTS) system. The as-deposited films exhibited the variable nature expected from an AlN-rich phase, and an amorphous-like phase, depending on the Co content in the films. Specific favorable microstructures were prepared by optimizing annealing conditions. Those microstructures and their magnetic properties and resistivity were investigated. As-deposited films showed very small saturation magnetization and an amorphous-like structure. However, when annealed, the as-deposited amorphous-like phase decomposes into phases of AlN, Co and Al-Co. These annealing induced changes in the microstructure improve the magnetization and resistivity of the films. Further improvement of soft magnetic properties could lead to the material being used for high density magnetic recording head material.

• 지질공학
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• 제31권2호
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• pp.187-197
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• 2021

산사태 연구에서 풍화대 안에 분포하는 점토광물의 함유량은 매우 중요한 요소이다. 산사태 발생과 관련된 지하 구조를 파악하고 미끌림 면을 확인하기 위해 일반적으로 지구물리탐사를 수행하는데 특히 전기비저항 단면이 많이 사용된다. 이 연구에서는 풍화대에 분포하는 카올리나이트와 몬모릴로나이트와 같은 점토광물에 의한 전기전도도의 증가효과(전기비저항의 감소효과)를 해석하기 위해 병렬모델 아치의 방정식을 이용하였다. 점토의 전기전도도는 광물의 종류 및 그 비표면적과 양이온 교환능력에 따라 달라진다. 간극수의 전기비저항이 증가함에 따라 매질의 전체 비저항과 지층인자는 작아지는데 카올리나이트에 비해 몬모릴로나이트가 훨씬 작게 나타난다. 또한 공극률이 커지고, 고결인자가 작아질수록 지층인자가 감소하는 것으로 나타난다. 점토광물에 대한 병렬모델 아치의 방정식을 현장자료에 적용하기 위해 2014년 땅밀림 산사태가 일어난 충남 태안 신진도리에서 수집되어 처리·해석된 전기비저항자료를 사용하였다. 기존의 실험식에서 카올리나이트의 함유량에 따라 결정되는 계수들을 활용하여 풍화대의 전기비저항 값들을 계산하고 이들을 전기비저항 수치모델링에 포함시켰다. 점토 함유량을 변화시켜 만든 여러 개의 이론자료들 중에서 현장자료와 가장 근접하는 모델자료를 선택하여 이에 입력된 점토 함유량 10%를 이 지역의 풍화대에 대한 점토 함유량으로 추정하였다. 땅밀림 연구에서 처음 시도된 전기비저항 자료를 이용한 점토 함유량의 추정기법은 차후 점토 함유량 외에 전기비저항에 영향을 미치는 다른 인자(공극률, 포화도, 간극수의 전기비저항)들에 대한 자료를 확보하고 이들을 수치모델링에 먼저 포함시켜 수행할 때 더욱 그 신뢰성은 더욱 높아질 것으로 기대된다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제10권4호
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• pp.29-33
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• 2003

n-형 탄화규소 반도체에 대한 구리금속을 이용하여 오옴성 접촉 구조를 제작하였다. 제작된 구리접촉에 대해 후속열처리 조건과 금속접촉 구조에 따른 재료적, 전기적 성질의 변화를 조사하였다. 금속접촉의 오옴성 성질은 금속박막의 구조 뿐 아니라 열처리조건에 대해서도 크게 좌우됨을 알 수 있었다. 열처리는 급속열처리 장치를 이용한 진공상태 및 환원 분위기에서 2단계 열처리방식을 통하여 시행하였다. 접촉비저항의 측정을 위해 TLM 구조를 만들었으며 면저항 ($R_{s}$), 접합저항 ($R_{c}$), 이동거리 ($L_{T}$), 패드간거리 (d), 전체저항 ($R_{T}$) 값을 구하여 알려진 계산식에 의해 접촉비저항 ($p_{c}$) 값을 추정하였다. 진공보다 환원분위기에서 후속 열처리를 수행한 시편이 양호한 전기적 성질을 가짐을 알 수 있었다. 가장 양호한 결과는 Cu/Si/Cu 구조를 가진 금속접촉 결과이었으며 접촉비저항 ($p_{c}$)은 $1.2\times 10^{-6} \Omega \textrm{cm}^2$의 낮은 값을 얻을 수 있었다. 재료적 성질은 XRD를 이용하여 분석하였고 SiC 계면 상에 구리와 실리콘이 결합한 구리 실리사이드가 형성됨을 알 수 있었다.

• Composites Research
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• 제25권6호
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• pp.172-177
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• 2012

저저항 Si-SiC 소결체 제조를 위해 ${\alpha}$-SiC에서 조성과 C의 양을 변화시키면서 반응소결 특성을 고찰하였다. 시료준비는 정수압으로 성형체를 제조하였고, 용융Si 반응소결을 통해 시험편을 준비하였다. 반응소결체의 미세구조, 기계적 특성 및 전기저항 분석 결과 용융Si과 반응 후 미립의 ${\beta}$-SiC가 생성되었고, 치밀한 소결체를 형성하였다. 미립 ${\beta}$-SiC 생성량은 카본 양 에 따라 증가하였다. 그리고 C함량 10wt%이내에서 기계 R전기저항특성은 입도조성 영향이 크고 카본 함량 10wt%이상에서는 상전이 반응의 영향이 큼을 알 수 있었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2002년도 추계종합학술대회
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• pp.481-485
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• 2002

본 연구에서는 수직형 LPE 장치를 이용하여 meltback 방법으로 제작된 PBH-LD에 대한 누설전류를 해석하였다. PBH-LD에서 활성층 이외의 p-n 다이오드와 p-n-p-n 전류차단층과 같은 누설경로에 따른 이들의 영향을 조사하였다. 이러한 누설전류의 영향을 알아보기 위해 누설 폭이 "0" 일 때와 누설 폭이 $W_{ι}$ 일 때를 비교하였다. 그 결과 누설 폭에 따른 임계전류는 누설 폭을 줄이거나, 고유저항 ($\rho$$_{ι}$$\rho$$_{a}$ )비를 증가시켜줌으로써 임계전류가 낮아짐을 확인하였다. 본 연구에서 제작된 LD의 경우 활성층의 폭 $W_{a}$ 가 약 1.4$\mu\textrm{m}$이고 누설 폭이 약 0.6$\mu\textrm{m}$로, 제작된 LD의 cavity length와 임계전류를 비교해 본 결과 고유저항비가 약 0.5일 때 누설 폭에 따른 계산된 임계전류값과 실제 제작된 PBH-LD의 임계전류값이 일치함을 확인하였다. 따라서, 제작된 PBH-LD의 p-InP 차단층의 도핑농도를 $10^{18}$ c $m_{-3}$ 에서 $10^{17}$ $cm^{-3}$으로 줄여 누설영역의 저항을 크게 함으로써 누설전류를 더 줄일 수 있으리라 생각된다.다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제10권1호
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• pp.8-14
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• 1997

The UV/O$_{3}$ dry cleaning has been well known in removing organic molecules. The UV/O$_{3}$ dry cleaning method was performed to clean the Si wafer surfaces and contact holes contaminated by organic molecules such as residual PR. During the cleaning process, the Si surfaces were analyzed with X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), atomic force microscope (AFM) and ellipsometer. When the UV/O$_{3}$ dry cleaning at 200'C was performed for 3 minutes, the residual photoresist was almost removed on Si wafer surfaces, but Si surfaces were oxidized. For UV/O$_{3}$ application of contact hole cleaning, the contact string were formed using the equipment of ISRC (Inter-university Semiconductor Research Center). Before Al deposition, UV/O$_{3}$ (at 200.deg. C) dry cleaning was performed for 3 minutes. After metal annealing, the specific contact resistivity was measured. Because UV/O$_{3}$ dry cleaning removed organic contaminants in contact holes, the specific contact resistivity decreased. Each contact hole size was different, but the specific contact resistivities were all much the same. Thus, it is expected that the UV/O$_{3}$ dry cleaning method will be useful method of removal of the organic contaminants at smaller contact hole cleaning.