• 제목/요약/키워드: Solvent-Assisted Soft-Lithography

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Solvent-Assisted Soft-Lithographic Patterning of Lyotropic Liquid Crystalline Polymer Film by Flow Control through Patterned Channels

  • Park, Chang-Sub;Park, Kyung-Woo;Kang, Shin-Won;Kwak, Gi-Seop;Kim, Hak-Rin
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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    • pp.641-644
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    • 2009
  • We demonstrated a solvent-assisted soft-lithographic patterning method for producing patterned structure and patterned ordering with lyotropic liquid crystalline polymer (LCP) film. Experimental results showed that the liquid crystalline ordering of lyotropic film could be controlled by shearing effects of the fluidic solvent though the patterned mold channels. In this work, two types of lyotropic LCPs were used to investigate the effects of the alkyl chain length of the lyotropic LCP on producing liquid crystalline ordering through the solvent-assisted fluidic patterning.

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Solvent Assisted Micromolding을 이용한 Polyimide 나노구조 형성 및 이를 통한 균일 액정 배향 (Nanostructuring the Polyimide Alignment Layer and Uniform Liquid Crystal Alignment by Solvent Assisted Micromolding)

  • 김종복
    • 한국정보전자통신기술학회논문지
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    • 제12권1호
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    • pp.72-77
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    • 2019
  • 정보전달 매체 중 시각을 통하여 우리에게 정보를 제공해 주는 디스플레이는 직관적으로 정보를 전달해 줌으로써 매우 중요한 정보전달 수단이라고 할 수 있으며 액정표시장치는 디스플레이 중에서 가장 많이 보급되어 있는 정보전달기기라고 할 수 있다. 본 논문에서는 액정디스플레이 제작을 위하여 필수적인 러빙 기반 액정 배향 공정을 대체할 수 있는 공정으로서 solvent assisted micromolding을 연구하였으며 가장 일반적인 액정 배향막인 polyimide에 나노구조를 형성함으로써 균일하게 액정 배향을 달성하고자 하였다. Polyimide 나노구조 형성 시 공정 온도에 따라 용매에 의한 고분자 용해효과와 몰드의 나노구조 안으로 polyimide 분자의 모세관 효과 사이의 상보적 상관관계가 존재하였으며 최적온도 도출을 통해 높은 단차를 갖는 나노구조를 형성할 수 있었다. 이러한 나노구조는 액정 분자를 균일하게 배향할 수 있었으며 일정한 선경사각을 형성할 수 있음을 증명하였다.

Soft Lithographic Approach to Fabricate Sub-50 nm Nanowire Field-effect Transistors

  • 이정은;이현주;고우리;이성규;;이민형
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.410.1-410.1
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    • 2014
  • A soft-lithographic top-down approach is combined with an epitaxial layer transfer process to fabricate high quality III-V compound semiconductor nanowires (NWs) and integrate them on Si/SiO2 substrates, using MBE-grown ultrathin InAs as a source wafer. The channel width of the InAs nanowires is controlled by using solvent-assisted nanoscale embossing (SANE), descumming, and etching processes. By optimizing these processes, the NW width is scaled to less than 50 nm, and the InAs NWFETs has ${\sim}1,600cm^2/Vs$ peak electron mobility, which indicates no mobility degradation due to the size.

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