PZT(80/0) powder was prepared by a sol-gel method and PZT thick films were fabricated by the screen-printing method on the alumina substrates. The coating and drying procedure was repeated 4 times. And then the PZT(20/80) precusor solution was spin-coated on the PZT thick films. A concentration of a coating solution was 0.5mol/L and the number of coating was varied from 0 to 6. The porosity decreased and the grain size increased with increasing the number of coatings. The thickness of the PZT-6(6: number of coatings) films was about $60{\mu}m$. The relative dielectric constant increased and the dielectric loss decreased with increasing the number of PZT(20/80) sol coatings. The relative dielectric constant and dielectric loss of the PZT-6 thick film were 275 and 3.5%, respectively. The remanent polarization, coercive field and breakdown strength of the PZT-6 film were $19.8{\mu}C/cm^2$, 13.7kV/cm and 130kV/cm, respectively.
Mustaqima, Millaty;Lee, Min Young;Kim, Deok Hyeon;Lee, Bo Wha;Liu, Chunli
Journal of Magnetics
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제19권3호
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pp.227-231
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2014
We fabricated textured polycrystalline $CoFe_2O_4$ thin films on $Pt(111)/TiO_2/SiO_2/Si$ substrate through a sol-gel method. We varied the thickness of the films, by using precursor solutions with different concentrations of 0.1, 0.2, and 0.3 M, and by depositing 5, 8, or 10 layers on the substrate by spin-coating. X-ray diffraction spectra indicated that when the precursor concentration of the solution was higher than 0.1 M, the spin-coated films were preferentially oriented in the <111> direction. Inspection of the surface morphology by scanning electron microscopy revealed that $CoFe_2O_4$ thin films prepared with 0.2 M solution and 5-time spin-coatings had smoother surface, as compared to the other conditions. Each coating had an average thickness of about 50 nm. The magnetic properties measured by vibrating sample magnetometer showed magnetic anisotropy, as evidenced from the difference in the in-plane and out-of-plane hysteresis loops, which we attributed to the textured orientation of the $CoFe_2O_4$ thin films.
The BST thin films to composite (Ba$\sub$x/Sr$\sub$l-x/)TiO$_3$ using sol-gel method were fabricated on Pt/Ti/SiO$_2$/Si substrate. The thin film capacitor to be ferroelectric materials was investigated by structural and electrical properties. BST solution was composited by moi ratio, and then spin-coated (from 3 times to 5 times coating on Pt/SiO$_2$/Si substrate. Thickness of BST ceramics thin films are about 2600∼2800[${\AA}$] in 3 times deposition. The property of leakage current was stable when the applied voltage was 3[V]. Leakage current of 3 times coated BST thin film was 10$\^$-9/∼10$\^$-11/[A] at 0∼3[V].
Zinc oxide (ZnO) based transparent oxide semiconductors have been studied due to their high transmittance and electrical conductivity. Pure ZnO have unstable optical and electrical properties at high temperatures but doped ZnO thin films can have stable optical and electrical properties. In this paper, transparent oxide semiconductors of Y-doped ZnO thin films prepared by sol-gel method. The ionic radius of $Y^{3+}$ (0.90 A) is close to that of $Zn^{2+}$ (0.74 A), which makes Y suitable dopant for ZnO thin films. The Sn-doped ZnO thin films were deposited onto quartz substrates with different atomic percentages of dopant which were Y/Zn = 0, 1, 2, 3, 4, and 5 at.%. These thin films were pre-heated at $150^{\circ}C$ for 10 min and then annealed at $500^{\circ}C$ or 1 h. The structural and optical properties of the Y-doped ZnO thin films were investigated using field-emission scanning electronmicroscopy (FE-SEM), X-ray diffraction (XRD), UV-visible spectroscopy, and photoluminescence (PL).
Kim, Mun-Kyu;Park, Kyu-Sung;Kim, Duk-Su;Son, Jong-Tae;Kim, Ho-Gi
한국세라믹학회지
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제38권9호
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pp.777-781
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2001
$LiCoO_{2}$ thin films have received attention as cathodes of thin film microbatteries in these days. In this study, $LiCoO_{2}$ thin films are fabricated by a sol-gel spin coating method followed by a post-annealing process. The thermal decomposition behaviour of precursor is investigated by TG/DTA analysis. The change of crystallinity, microstructure and electrochemical properties of final films as the drying temperature changes are also studied by XRD, SEM and galvanostatic charge/discharge cycling test. The relationship between the discharge capacity and the drying temperature are intensively investigated in this work.
실란커플링제인 glycidoxypropyl trimethoxysilane(GPTMS)과 methacryloxypropyl trimethoxysilane(MPTMS)을 10:0, 9:1, 7:3, 5:5, 3:7, 0:10의 다양한 몰 비로 혼합한 용액으로부터 sol-gel법을 이용하여 하드 코팅 용액을 제조하였다. 제조된 코팅 용액을 polycarbonate(PC) 시트 위에 스핀 코팅 시키고, $130^{\circ}C$에서 3 h 동안 열 경화시켜 하드 코팅 막을 제조 하였다. 이 과정 중 코팅 용액 중의 GPTMS와 MPTMS의 몰 비 변화가 코팅 막의 물성에 미치는 영향을 살펴보았다. GPTMS와 MPTMS가 5:5의 몰 비로 제조된 코팅 용액으로 PC 시트 위에 코팅한 경우가 다른 조건으로 제조된 코팅 용액보다 우수한 연필경도 및 기재와의 부착력을 보였다. 또한 코팅 용액 중의 $H_2O$의 첨가량이 증가할수록 코팅막의 연필경도는 증가하였다.
PbTiO$_{3}$-PbZrO$_{3}$-Pb(Ni$_{1}$3/Nb$_{2}$3/O$_{3}$) (PZT-PNN) thin films were prepared from corresponding metal organics partially stabilized with diethanolamine by the sol-gel spin coating method. Each mol ratio of PT:PZ:PNN solutions were #1(50:40:10), #2(50:30:20), #3(45:35:20), #4(40:40:20), #5(40:50:10), #6(35:45:20) and #7(30:50:20) respectively. The spin-coated PZT-PNN films were heat-treated at 350.deg. C for decomposition of residual organics, and were sintered from 450.deg. C to 750.deg. C for crystallization. The substrates, such as Pt and Pt/TiN/Ti/TiN/Si were used for the spin coating of PZT PNN films. The perovskite phase was observed in the PZT-PNN films heat-treated at 500.deg. C. The crystalline of the PZT-PNN films was optimized at the sintering of 700.deg. C. By the result of AES analysis, It is confirmed that the films of TiN/Ti/TiN was a good diffusion barrier and that co-diffusion into the each films was not observed.
Boehmite 나노졸을 이용하여 자외선 및 열 경화가 동시에 가능한 내구성 코팅재료를 제조하였다. Boehmite (AlOOH) 나노입자에 3-(trimethoxysilyl)propylmethacrylate, (3-glycidyloxypropyl)trimethoxysilane 등의 유기 실란 커플링제를 혼합하는 sol-gel법으로 내구성 코팅 재료를 만들었다. 최초 boehmite 입자가 물에서만 분산 가능하였던 반면, 유기 실란이 도입된 입자는 알코올, tetrahydrofuran, acetonitrile 등의 유기 용매에서도 분산 가능케 되어 코팅 공정상 넓은 응용이 가능하게 되었다. 코팅 박막은 spin 코팅 방식을 이용하여 다양한 기질에 제조되었으며 제조된 박막은 FT-IR, Si/Al CP MAS NMR, UV-Vis spectrophotometer, 연필 경도계 및 FE-SEM, Taber abraser 등의 다양한 방법을 통하여 분석을 실시하였다. 유기실란의 배합 비율을 조절하여 최적화된 경도와 투명성을 갖는 박막을 얻었다. 또한 플라즈마로 전처리된 PMMA기질을 이용한 실험을 통하여 전처리의 효과성을 논의하였다.
Ferroelectric PZT(30/70)/PZT(70/30) heterolayered thin films were fabricated by spin-coating method on the $Pt/Ti/SiO_2Si$ substrate alternately using(30/70) and PZT(70/30) alkoxide solutions prepared by sol-coating method. The coating and heating procedure was repeated six times to form PZT heterolayered films, and thickness of the film obtained by one-times drying/sintering process was about 40-50 nm. All PZT heterolayered films, showed dense and homogeneous structure without the presence of rosette sturctrue. The relative dielectric constant, remanent polarization and leakage current density of PZT heterolayered films were superior to those of single composition PZT(30/70) and PZT(70/30) films, and those values for the PZT-6 film were 975, $21 \muC/cm^2\; and\; 8\times10^{-9}\; A/cm^2$, respectively. And the PZT-6 heterolayered film showed fairly good fatigue characteristics of remanent polarization and coercive field after application of $10^8$ switching cycles.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.1538-1541
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2009
Amphiphobic thin films for touched panel application was prepared by $SiO_2$ nanoparticles self-assembled nanostructure. Silicon dioxide nano spheres were prepared by sol-gel method and well dispersed in a solution with surfacants of low surface energy. Nanostrcture thin films were obtained by spin coating technologies.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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