• 센서학회지
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• 제19권3호
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• pp.202-208
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• 2010

This study examined the dependency of crystalline orientation and electric properties of sol-gel PZT film on hydrolysis, a $PbTiO_3$ seed layer and a concentration of sol-gel solution. The PZT thin films were prepared by using 2-Methoxyethanol-based sol-gel method and spin-coating on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrates. The 1-${\mu}m$-thick PZT films were coated and then fired in a furnace by direct insert method. The highly (111) oriented PZT film of pure perovskite structure could be obtained. We could control the degree of orientation by various parameters such as hydrolysis, a $PbTiO_3$ seed layer and a concentration of sol-gel solution. The highest measured remanent polarization, dielectric constant and piezoelectric coefficient are $24.16\;{\mu}C/cm^2$, 2808, and 159 pC/N, respectively.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제40권5호
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• pp.1116-1125
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• 2023

산화아연 막은 투명한 전도성 물질로써 다양한 분야의 광전자소자에 이용되고 있다. 그러므로 산화아연 막의 특성을 규명하는 것은 광전자소자의 성능을 높이는데 매우 중요한 역할을 할 것이다. 본 논문에서는 이러한 산화아연 막을 용액공정 기반으로 제작하여 형태적, 구조적 특성을 평가하고자 한다. 구체적으로는 졸-겔 방법을 반복적으로 시행하여, 시행 횟수에 따른 산화아연 막의 물성의 변화를 관찰할 것이다. 일정한 용액 조건하에서, 5회의 반복적인 졸-겔 방법을 시행한 결과 결정화가 진행되는 것을 확인하였다. 7회 이상에서는 원소 구성 및 결정화도가 특정 값에 수렴하는 경향을 보였다. 최종적인 산화아연 막의 평균결정의 크기는 약 10.7 nm 정도로 계산되었다. 본 연구를 통해 최적의 결정화를 보이는 공정횟수는 7회였다. 본 연구 결과 및 방법론은 다양한 용액공정 변수를 가변시키면서 적용할 수가 있고 최적의 공정조건을 확립하는데 기여할 것으로 기대한다.

• 한국세라믹학회지
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• 제35권1호
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• pp.11-16
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• 1998

$VO_2$ thin films have been prepared on borosilicate glass substrate using alkoxide method to characterize the effects of fabricating factors on thermochromic performance. The gel films formed by spin coating were converted to $V_2O_5$ phase during oxidizing heat-tratment and the $VO_2$ phase were formed by reducing heat-treatement. The thermochromic switching properties of $VO_2$ thin films are strongly affected by the crystal phase and microstructure and those could be controlled by reducing heat-treatment conditions. The ther-mochromic switching characteristics of $VO_2$ thin films synthesized were measured at IR (2.5$\mu\textrm{m}$) as the transition temperature of $63^{\circ}C$ the transition width of $3.6^{\circ}C$and the maximum and minimum transmittance of 84% and 14% respectively.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제56권3호
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• pp.327-334
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• 2018

출발물질로서 테트라에톡시실란(TEOS)과 메틸트리메톡시실란(MTMS)을 사용하여 졸-겔법에 의해 발수성 코팅용액을 제조하였다. 이 용액을 냉연강판 위에 스핀 코팅하고 열처리하여 비불소계 발수 코팅 도막을 제조 하였다. 이 과정 중 MTMS/TEOS의 몰 비, 물 농도 및 암모니아 농도가 코팅 도막의 발수성에 미치는 영향을 연구하였다. MTMS/TEOS의 몰 비를 1~20으로 변화시켜 제조 한 코팅 도막의 접촉각은 MTMS/TEOS 몰 비가 10 일 때 최대 수치인 $108^{\circ}$를 나타내었다. 반면에 물의 첨가량을 증가시킴에 따라 코팅 도막의 접촉각이 증가하여 발수성이 향상되었다. 또한 암모니아의 첨가량이 커질수록실리카입자의 크기가커져 실리카입자의표면 거칠기가증가하므로 발수성이 증가하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2007년도 추계학술발표대회 및
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• pp.93.1-93.1
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• 2007

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2004년도 춘계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.43.4-43.4
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• 2004

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2003년도 춘계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.179.1-179
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• 2003

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2003년도 추계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.73.2-73
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• 2003

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.1030-1035
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• 2001

Strontium barium niobate, (Sr$\sub$0.5/Ba$\sub$0.5/Nb$_2$O$\sub$6/), thin films of various composition were prepared by the sol-gel method. Solution derived from acetate powders and niobium ethoxide in a mixture of acetic acid, ethylene glycol and 2-methoxyehanol was spin-coated onto bare silicon, Pt-coated silicon and fused silica substrates. Processing parameters were optimized to develop stable solutions which yielded films with relatively low crystallization temperatures. It was determined that ethylene glycol was a necessary component of the solution to increase stability against precipitation and to decrease the crystallization temperature of the films as confirmed by XRD and FT-IR analyses.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
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• pp.1342_1342
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• 2009

Zinc tin oxide (ZTO) based thin-film transistors (TFTs) were fabricated on glass substrate by using sol-gel method. The fabricated ZTO TFT had bottom gate and top contact structure with ZTO layer formed by spin coating from ZTO solution. The fabricated TFT showed field-effect mobility of about 2 - $4\;cm^2/V{\cdot}s$ with on/off current ratios >$10^7$, and threshold voltage of 2 V.