• 제목/요약/키워드: Soft error rate (SER)

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DRAM 소프트 에러율 시뮬레이터 (Soft Error Rate Simulator for DRAM)

  • 신형순
    • 전자공학회논문지D
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    • 제36D2호
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    • pp.55-61
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    • 1999
  • DRAM에서 알파 입자의 입사에 의한 소프트 에러율을 예측하는 시뮬레이터를 개발하였다. 새로운 시뮬레이터는 수집 전하량에 대한 해석적 모델을 사용함으로서 소자 시뮬레이터나 몬테칼로 시뮬레이터를 사용하는 기존의 예측 시뮬레이터에 비하여 계산시간을 크게 감소하였다. DRAM에서 발생하는 소프트 웨어의 모드를 분석한 결과, bit-bar 모드에 의한 소프트 에러율이 가장 큰 것을 알 수 있었으며 256M DRAM의 셀 구조에 대한 소프트 에러율을 시뮬레이션하여 storage 캐패시턴스가 약 5fF의 margin을 갖고있음을 밝혔다.

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SRAM소자의 SER 및 Latchup 신뢰성 연구

  • 이준하;이흥주;조현찬;이강환;권오근
    • 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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    • 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 춘계 학술대회
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    • pp.63-66
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    • 2005
  • A soft error rate neutrons is a growing problem for integrated circuits with technology scaling. In the acceleration test with high-density neutron beam, a latch-up prohibits accurate estimations of the soft error rate (SER). This paper presents results of analysis for the latch-up characteristics in the circumstance corresponding to the acceleration SER test for SRAM. Simulation results, using a two-dimensional device simulator, show that the deep p-well structure has better latch-up Immunity compared to normal twin and triple well structures. In addition, it is more effective to minimize the distance to ground power compared with controlling a path to the $V_{DD}$ power.

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SRAM소자의 Cell Latch-up 효과에 대한 해석 연구 (A Study of Cell Latch-up Effect Analysis in SRAM Device)

  • 이흥주;이준하
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제6권1호
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    • pp.54-57
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    • 2005
  • 반도체 소자 면적의 축소에 따라 중성자의 소프트 에러율은 집적회로 설계시 큰 문제점으로 대두되고 있다. 고전류 중성자 빔에 의한 가속 실험에서, 래치-업 현상은 소프트 에러 발생율의 정확한 예측을 방해하는 요소로 작용하고 있다. 본 연구는 SRAM 소자의 SER 가속 실험시 발생하는 래치-업에 대한 효과를 분석하였다. 2차원 소자 시뮬레이터를 이용한 시뮬레이션 환경하에서의 결과 깊은 p-well 구조의 기판이 이중 또는 삼중 well 구조에 비하여 양호한 래치-업 방지 효과를 나타내었다. 또한 접지에 대한 $V_{DD}$ 전력선까지의 거리를 최소화하는 것이 효과적인 설계 기법으로 평가되었다.

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SRAM 소자의 Cell Latch-up 현상 분석 (Analysis of Cell Latch-up Effect in SRAM Device)

  • 이준하;이흥주
    • 한국산학기술학회:학술대회논문집
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    • 한국산학기술학회 2004년도 추계학술대회
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    • pp.203-205
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    • 2004
  • A soft error rate neutrons is a growing problem for terrestrial integrated circuits with technology scaling. In the acceleration test with high-density neutron beam, a latch-up prohibits accurate estimations of the soft error rate (SER). This paper presents results of analysis for the latch-up characteristics in the circumstance corresponding to the acceleration SER test for SRAM. Simulation results, using a two-dimensional device simulator, show that the deep p-well structure has better latch-up immunity compared to normal twin and triple well structures. In addition, it is more effective to minimize the distance to ground power compared with controlling a path to the $V_{DD}$ power.

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A 30 MeV-cyclotron-based quasi-monoenergetic neutron source

  • Kuo-Yuan Chu ;Weng-Sheng Kuo;How-Ming Lee;Yiin-Kuen Fuh
    • Nuclear Engineering and Technology
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    • 제55권5호
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    • pp.1559-1566
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    • 2023
  • This study developed a quasi-monoenergetic neutron source (QMN) for the semiconductor device's soft error rate test (SER). Quasi-monoenergetic neutrons are generated by 9Be(p, n)9B nuclear reaction with a 1 mm beryllium target and 30 MeV protons from a cyclotron. An 8 mm water in the back of the beryllium target is used for avoiding proton penetration. The neutron spectra simulated by MCNP showed that the peak energy was around 26.5 MeV. The heat flow and mechanical properties are numerically analyzed, and the safe operating conditions are therefore determined.

연판정 후 전송 방식을 적용한 다중 안테나 다중 릴레이 협동통신망의 성능 분석 (Performance of Multiple-Relay Cooperative Communication Networks under Soft-Decision-and-Forward Protocol)

  • 송경영;노종선;김태근;성준현;임민중;임대운
    • 한국통신학회논문지
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    • 제35권5A호
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    • pp.431-439
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    • 2010
  • 모든 노드에서 다중 안테나를 갖고 다중 릴레이가 존재하는 협동 통신망을 고려한다. 연판정 후 전송 기법을 적용하여 쌍 오류 확률을 구하고 이를 이용하여 심볼 오류 확률을 유도한다. 하지만 이러한 다중 릴레이 시스템 에서 간섭을 피하기 위해 일반적으로 전송률 측면에서 비효율적인 직교 채널의 사용이 요구된다. 이를 해결하기 위해 순시적인 신호 대 잡음의 비가 가장 큰 릴레이를 선택하도록 하는 선택 기법을 적용하고, 이 시스템에 대한 성능을 분석 한다. 또한, 릴레이의 개수가 증가할수록 모든 릴레이를 사용할 때보다 릴레이 선택 기법을 사용했을 때의 성능이 우수함을 보인다.