We have successfully formed filament inside of a transparent soda-lime glass using a Ti:sapphire based femtosecond laser. To make filament form, keeping the laser intensity higher than critical intensity is essential. Also each of the machining parameters plays an important role for the formation of filament. In this paper, we study what parameter can possibly influence for formation of filament, and we introduce an application using filamentation by femtosecond laser for transparent material.
Kim, Ho-Soo;Kim, Han-Il;Jung, Soon-Won;Koo, Kyung-Wan;Han, Sang-Ok
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.07b
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pp.857-860
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2002
The material that is both conductive in electricity and transparent to the visible-ray is called transparent conducting thin film. It has many field of application such as solar cell, liquid crystal display, transparent electrical heater, selective optical filter, and a optical electric device. In this study, indium tin oxide (ITO ; Sn-doped $In_2O_3$) thin films were deposited on $SiO_2$/soda-lime glass plates by a dc magnetron sputtering technique. The crystallinity and electrical properties of the films were investigated by X-ray diffraction(XRD), atomic force microscopy (AFM) scanning and 4-point probe. The optical transmittance of ITO films in the range of 300-1000nm were measured with a spectrophotometer. As a result, we obtained polycrystalline structured ITO films with (222), (400), and (440) peak. Transmittance of all the films were higher than 90% in the visible range.
The carbon nanotube emitters for field emission displays were fabricated by using screen printing techniques. The pastes for screen printing are composed of organic binders, carbon nanotubes (multiwalled or singlewalled), and some additive materials. The pastes were printed on Cr-coated/Ag-printed soda-lime glass substrates. From the I-V characteristics, the turn-on field of SWNT was lower than that of MWNT. The decrease in the mesh size of screen masks (i.e. increase in the opening size of the screen mesh) resulted in decreasing the turn-on field and increasing the electron emission current. When the carbon nanotubes were mixed with silver pastes, silver powders appeared to contribute to the vertically aligning of carbon nanotubes on a glass.
Glass films in the binary system B2O3-SiO2 and Al2O3-SiO2 were prepared on soda-lime-silica slide glass by the dip-coating technique from TEOS and boric acid or aluminum nitrate. Thickness of the films varying with viscosity and withdrawal speed were measured and effect of composition and firing temperature on the properties such as transmittance and refractive index were investigated. nM2O3.(100-n)SiO2(M=B or Al) films containing up to 20mol% B2O3 and 40mol% Al2O3 were transparent. Maximum transmittance at visible range were obtained for the sample containing 15mol% Ba2O3 and 32.5mol% Al2O3 and heat-treated at 50$0^{\circ}C$, respectively. Refractive index of the film containing 15mol% B2O3 was mininum in the B2O3-SiO2 binary system and minimal refractive index was appeared at the film containing 32.5mol% Al2O3. In IP spectra, addition of B2O3 were increased absorption peak intensity of B-O and Si-O-B bond and addition of Al2O3 were decreased absorption peak intensity of Si-O bond, respectively.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.50
no.12
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pp.607-613
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2001
Molybdenum thin films were deposited on the soda lime glass(SLG) substrates by direct-current planar magnetron sputtering, with a sputtering power density of $4.44W/cm^2$. The working pressure was varied from 0.5 mtorr to 20 mtorr to gain a better understanding of the effect of sputtering pressure on the morphology and microstructure of the Mo film. Thin films of $CU(InGa)Se_2$ (CIGS) were deposited on the Mo-coated glass by three stage co-evaporation process. The highest efficiency device was obtained at the maximum value of the tensive stress. The morphology of Mo-coated films were examined by using scanning electron microscopy The film's microstructure, such as the preferred orientation, the full width at half-maximum(FWHM), and the residual intrinsic stress were examined by X-ray diffraction.
Multimode planar waveguides have been fabricated by an electric-field assisted ion exchange in soda-lime glass substrates. Measurements of the mode indices have been made and the index profiles modeled on modified Fermi function are explained by a comparative analysis with the concentration profiles obtained using an electron probe X-ray micro analyzer. The analytical measurements showed that no more than 95% of sodium ions were replaced by the cesium ions. We established formulas for guide depth, mobility, and refractive index change, given the applied electric field, the diffusion temperature, and the time. We have verified the linear relations in the formulas not only between guide and root of diffusion time but also between guide depth and the applied electric filed experimentally.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.8
no.1
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pp.179-186
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1998
We have been investigated the effects of the initial pH of the aquous solution, reaction temperature and time for the flaking of the soda-lime glass container. Flaking of glass occuurred in the cases of the $121^{\circ}C$, above pH 11 of solution with no $Mg^{2+}$ ions in solution. The pH of the solution approached to pH 10 under the conditions of below pH 9 of start solution. The flaking mechanism of the glass seem to be composed of formation of leached layer of $Ca^{2+}$ and $Na^{2+}$ ion and separation of these layers during the cooling by the difference of thermal expansion between leached layer and glass surface. The leaching of alkali ions in glass depends on the pH condition of the start solution and the temperature. In the case of $Mg^{2+}$ ions are added, $Mg^{2+}$ ions accelerate the flaking of the sodalime glasses and forms the magnesium silicate compound which result in the decrease of the pH of the solution.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2001.11a
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pp.68-68
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2001
Thin films of polycrystalline silicon (poly-Si) is a promising material for use in large-area electronic devices. Especially, the poly-Si can be used in high resolution and integrated active-matrix liquid-crystal displays (AMLCDs) and active matrix organic light-emitting diodes (AMOLEDs) because of its high mobility compared to hydrogenated _amorphous silicon (a-Si:H). A number of techniques have been proposed during the past several years to achieve poly-Si on large-area glass substrate. However, the conventional method for fabrication of poly-Si could not apply for glass instead of wafer or quartz substrate. Because the conventional method, low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) has a high deposition temperature ($600^{\circ}C-1000^{\circ}C$) and solid phase crystallization (SPC) has a high annealing temperature ($600^{\circ}C-700^{\circ}C$). And also these are required time-consuming processes, which are too long to prevent the thermal damage of corning glass such as bending and fracture. The deposition of silicon thin films on low-cost foreign substrates has recently become a major objective in the search for processes having energy consumption and reaching a better cost evaluation. Hence, combining inexpensive deposition techniques with the growth of crystalline silicon seems to be a straightforward way of ensuring reduced production costs of large-area electronic devices. We have deposited crystalline poly-Si thin films on soda -lime glass and SiOz glass substrate as deposited by PVD at low substrate temperature using high power, magnetron sputtering method. The epitaxial orientation, microstructual characteristics and surface properties of the films were analyzed by TEM, XRD, and AFM. For the electrical characterization of these films, its properties were obtained from the Hall effect measurement by the Van der Pauw measurement.
Purpose: A simple and efficient method to prepare nanocrystalline ZnO thin film with pure strong UV emission on soda-lime-silica glass substrates by low-temperature annealing was improved. Methods: Crystal structural, surface morphological, and optical characteristics of nanocrystalline ZnO thin films deposited on soda-lime-silica glass substrates by prefiring final annealing process at 300$^{\circ}C$ were investigated by using X-ray diffraction analysis, field emission-scanning electron microscope, scanning probe microscope, ultraviolet-visible-near infrared spectrophotometer, and photoluminescence. Results: Highly c-axis-oriented ZnO films were obtained by prefiring at 300$^{\circ}C$. A high transmittance in the visible spectra range and clear absorption edge in the ultra violet range of the film was observed. The PL spectrum of ZnO thin film with a deep near band edge emission was observed while the defect-related broad green emission was nearly quenched. Conclusions: Our work will be possibly adopted to cheaply and easily fabricate ZnO-based optoelectronic devices at low temperature, below 300$^{\circ}C$, in the future.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.4
no.2
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pp.199-209
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1994
$PbTiO_3$ thin films were prepared on soda-lime-silica slide glasses, Si-wafer and sapphire substrate by the dip-coating of precursor solution. As starting materials, titanium tetra iso-propoxide and lead acetate trihydrate were used. Then acetylacetone was added to prepare stable sol. The effect of the parameters such as viscosity and composition of sol were investigated. The optical transmittance at visible range, refractive index, IR spectra were measured in varying compositions, thickness and heat treatment temperature. The crystallization of $PbTiO_3$ films were measured by using XRD and SEM. Diffusion of compositions from slide glass to thin film were investigated by using EDX, too. These sols not precipitated for 20 days. Transmittance of $PbTiO_3$ films at visible range were decreased with the increase of thickness and heat treatment temperatures, and were exhibited flat spectra. Pyrochlore type appeared in the films on slide glass and perovskite type appeared in the films on Si-wafer or sapphire at $600^{\circ}C$. Perovskite crystals transformed to $PbTi_3O_7$ phase at $800^{\circ}C$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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