The Janggun magnetite deposits occur as the lens-shaped magnesian skarn, magnetite and base-metal sulfide orebodies developed in the Cambrian Janggun Limestone Formation. The K-Ar age of alteration sericite indicates that the mineralization took place during late Cretaceous age (107 to 70 Ma). The ore deposition is divided into two stages as a early skarn and late hydrothermal stage. Mineralogy of skara stage (107 Ma) consists of iron oxide, base-metal sulfides, Mg-Fe carbonates and some Mg- and Ca-skarn minerals, and those of the hydrothermal stage (70 Ma) is deposited base-metal sulfides, some Sb- and Sn-sulfosalts, and native bismuth. Based on mineral assemblages, chemical compositions and thermodynamic considerations, the formation temperature, $-logfs_2$, $-logfo_2$ and pH of ore fluids progressively decreased and/or increased with time from skarn stage (433 to $345^{\circ}C$, 8.8 to 9.9 atm, 29.4 to 31.6 atm, and 6.1 to 7.2) to hydrothermal stage (245 to $315^{\circ}C$, 11.2 to 12.3 atm, 33.6 to 35.4 atm, and 7.3 to 7.8). The ${\delta}^{34}S$ values of sulfides have a wide range between 3.2 to 11.6‰. The calculated ${\delta}^{34}S_{H_2S}$ values of ore fluids are relatively homo-geneous as 2.9 to 5.4‰ (skam stage) and 8.7 to 13.5‰ (hydrothermal stage), which are a deep-seated igneous source of sulfur indicates progressive increasing due to the mixing of oxidized sedimentary sulfur with increasing paragenetic time. The ${\delta}^{13}C$ values of carbonates in ores range from -4.6 to -2.5‰. Oxygen and hydrogen isotope data revealed that the ${\delta}^{38}O_{H_2O}$ and ${\delta}D$ values of ore fluids decreased gradually with time from 14.7 to 1.8‰ and -85 to -73‰ (skarn stage), and from 11.1 to -0.2‰ and -87 to -80‰ (hydrothermal stage), respectively. This indicates that magmatic water was dominant during the early skarn mineralization but was progressively replaced by meteoric water during the later hydrothermal replacement.
It was the purpose of this study to investigate the fracture mode of dental amalgam by observing the crack propagation, and to relate this to the microstructure of the amalgam. Caulk 20th Century Regular, Caulk Spherical, Dispersalloy, and Tytin amalgam alloys were used for this study. After each amalgam alloy and Hg measured exactly by the balance was triturated by the mechanical amalgamator (Capmaster, S.S. White), the triturated mass was inserted into the cylindrical metal mold which was 4 mm in diameter and 12 mm in height and was pressed by the Instron Universal Testing Machine at the speed of 1mm/min with 120Kg. The specimen removed from the mold was stored in the room temperature for a week. This specimen was polished with the emery papers from #100 to #200 and finally on the polishing cloth with 0.06${\mu}Al_2O_3$ powder suspended in water. The specimen was placed on the Instron testing machine in the method similar to the diametral tensile test and loaded at the crosshead speed of 0.05mm/min. The load was stopped short of fracture. The cracks on the polished surface of specimen was examined with scanning electron microscope (JSM-35) and analyzed by EPMA (Electron probe microanalyzer). The following results were obtained. 1. In low copper lathe-cut amalgam, the crack went through the voids and ${\gamma}_2$ phase, through the ${\gamma}_1$ phase around the ${\gamma}$ particles. 2. In low copper spherical amalgam, it was observed that the crack passed through the ${\gamma}_2$ and ${\gamma}_1$ phase, and through the boundary between the ${\gamma}_1$ and ${\gamma}$ phase. 3. In high copper dispersant (Dispersalloy) amalgam, the crack was found to propagate at the interface between the ${\gamma}_1$ matrix and reaction ring around the dispersant (Ag-Cu) particles, and to pass through the Ag-Sn particles. 4. In high copper single composition (Tytin) amalgam, the crack went through the ${\gamma}_1$ matrix between ${\eta}$ crystals, and through the unreacted alloy particle (core).
Indium tin oxide (ITO) films were synthesized on polymer (PES, polyethersulfone) at room temperature by pulsed DC magnetron sputtering. By the control of introducing hydrogen to argon atmosphere, the resistivity of ITO films was obtained at $5.27\;{\times}\;10^{-4}\;{\Omega}{\cdot}cm$ without substrate heating in comparison with $2.65\;{\times}\;10{-3}\;{\Omega}{\cdot}cm$ under hydrogen free condition. ITO film synthesized at Ar condition was changed from amorphous to crystalline. These result from the enhancement of electron temperature in $Ar\;+\;H_2$ plasma, which induces the increase of ionization of target materials and argon. The dominant increase of ions such as In II and O II and neutral Sn I was monitored by optical emission spectroscopy (OES). Thermal energy required for the crystalline film formation is compensated by kinetic energy transfer through ion bombardments to substrate.
본 연구는 80 kW급 단일버너 연소로에서 석탄 연소시 초저 NOx 버너 설계인자를 평가하기 위한 실험적 연구이다. 버너 설계 인자인 선회강도, 총 과잉 공기비, 버너 영역 과잉공기비, 1차/2차 산화제 비율, OFA 비율을 변경하여 총 81개 조건을 대상으로 실험을 수행 하였다. 실험 결과, 선회류가 약하면 연소로 출구에서 CO가 증가하고 연소로 내부 온도가 감소하는 것으로 나타났다. 그러나, 선회류가 강하면 NOx가 증가하기 때문에 적절한 선회류 강도를 결정하는 것은 NOx를 줄이는 데 중요한 요소이다. 1차/2차 산화제의 비율 또한 중요한 요소이며, 생성 된 NOx의 양은 산화제의 비율에 따라 달라진다. 2차 산화제의 비율이 증가하면 연소 초기에 NOx 방출량이 증가하고, 측정 된 배출구 NOx가 증가하게 된다. 그러나, 2차 산화제 비율이 감소하면 화염이 길어지고 CO가 증가한다. 본 연구에 사용 된 연소 시스템은 적절한 조건이 만족 될 때 O2 6%를 기준으로 최소 NOx가 82 ppm 생성되는 것으로 확인 되었다. 본 실험에서 대상으로 한 버너는 연소용 공기를 석탄을 이송하는 1차공기 외에 2차공기로 하나의 산화제 유동만 사용하는 방식으로서 추후 3차 및 4차공기로 분할하여 화염형태 및 반응을 세밀하게 제어할 경우 추가적인 NOx 감소가 가능할 것으로 예상된다.
치환형 Ba-ferrite의 수소환원 거동은 순수한 Ba-ferrite와는 다르게 나타났다. 환원온도 250 .deg. C에서 520 .deg. C의 범위에서 치환형 Ba-ferrite의 보자력은 증가하다가 다시 감소하는 반면에 순수한 Ba-ferrite는 계속 감소 하였다. 치환형 Ba-ferrite의 환원과정은 환원되는 정도에 따라 3단계로 나뉘어진다. 1과 2단계에서 Ba-ferrite의 구조는 그대로 유지를 하지만 자기적 성질은 다르게 나타났다. 1단계에서 보자력은 증가하고 산화처리시 가역적이지만, 2단계에서는 보자력이 더욱 증가하고 산화처리시 비가역적이었다. 그러나 3단계에서는 Ba-ferrite 구조 자체가 붕괴되어 .alpha. -Fe와 소량의 BaFe $O_{3-x}$의 생성으로 $H_{c}$는 크게 감소하고 포화자화값은 130 emu/g으로 크게 증가하였다. 이 때 보자력 분포도는 크게 넓어지며 입자크기도 감소하였다. 또한 치환이온들은 환원과정에서 Ba-ferrite 구조의 붕괴를 억제하였으며, 2a + 4 $f_{IV}$ , 2b 및 12k 자리의 치환이온들이 4 $f_{VI}$ 와 12k'의 자리로 이동함을 확인하였다. 따라서 1과 2단계에서의 보자력 증가원인은 치환이온의 자리이동에 따른 고보자력 상의 생성 때문이었다.
Using a single step chemical synthesis, we synthesized the potential tumor imaging agent $^{99m}Tc$-diglucose-diethylenetriamine (DGTA) from diethylenetriamine and natural D-glucose. 10 min Incubation of 10 mg of precursor with 50 ${\mu}g$ of $SnCl_2{\cdot}2H_2O$ at room temperature yielded over 95% of $^{99m}Tc$ labeling. The stability for 6 hours in saline or human plasma was over 90%. In vitro tumor cell uptake assays using the SNU-C5 and 9 L cell lines showed that, in 0-400 mg/dL glucose medium, cell uptake of $^{99m}Tc$-DGTA was 1.5-8 times higher than that of [$^{18}F$]FDG. Moreover, [$^{18}F$]FDG uptake was dependent on glucose concentration in the medium, whereas cellular uptake of $^{99m}Tc$-DGTA was not dependent on glucose concentration, suggesting that the two compounds have different uptake mechanisms by tumor cells.
Transparent conducting oxides (TCOs) used in the antireflection layer and current spreading layer of heterojunction solar cells should have excellent optical and electrical properties. Furthermore, TCOs need a high work function over 5.2 eV to prevent the effect of emitter band-bending caused by the difference in work function between emitter and TCOs. Sn-doped $In_2O_3$ (ITO) film is a highly promising material as a TCO due to its excellent optical and electrical properties. However, ITO films have a low work function of about 4.8 eV. This low work function of ITO films leads to deterioration of the conversion efficiency of solar cells. In this work, ITO films with various Zn contents of 0, 6.9, 12.7, 28.8, and 36.6 at.% were fabricated by a co-sputtering method using ITO and AZO targets at room temperature. The optical and electrical properties of Zn-doped ITO thin films were analyzed. Then, silicon heterojunction solar cells with these films were fabricated. The 12.7 at% Zn-doped ITO films show the highest hall mobility of 35.71 $cm^2$/Vsec. With increasing Zn content over 12.7, the hall mobility decreases. Although a small addition of Zn content increased the work function, further addition of Zn content over 12.7 at.% led to decreasing electrical properties because of the decrease in the carrier concentration and hall mobility. Silicon heterojunction solar cells with 12.7 at% Zn-doped ITO thin films showed the highest conversion efficiency of 15.8%.
담팔수(Elaeocarpus sylvestris va. ellipticus Hara)를 기주로 하여 담팔수깍지벌레(Protopulvinaria mangiferae (Green))의 발육속도 및 증식능력을 조사하였다. 본 깍지벌레의 1령약충기부터 산란전성충기까지 발육소요일수는 온도가 상승할수록 짧았으며, 발육한계온도는 11.7$^{\circ}C$, 유효적산온도는 1000.0일도 이었다. $25^{\circ}C$, $30^{\circ}C$ 항온, 60-70% RH조건하에서 부화율은 각 온도구 모두 99% 이상으로 높았다. 산란전성층까지의 생존율은 $25^{\circ}C$에서 82%, $30^{\circ}C$에서 60%이었으며, 1령약충(neonate crawler)기의 사망률이 가장 높았다. 성충체로부터 1령약충의 이탈기간은 $25^{\circ}C$에서 50일 $30^{\circ}C$에서 33일간 이었으며, 이 기간 중 총이탈약충수의 50%이상이 분산기간 초기에 발생되었다. 발육기간 및 영별생존율 및 출생수를 이용하여 산출한 순번식율(${R}_{o}$), 평균세대기(T) 및 내적자연증가율은(${r}_{m}$)은 $25^{\circ}C$에서 각 132.6, 76.2, 0.064/암컷/일로 $30^{\circ}C$구 보다 높았다.
본 연구는 젖산나트륨과 다양한 분자량이 각기 다른 키토산을 저지방 기능성 소시지의 제조 시 첨가하여 15$^{\circ}C$에서 저장 중 이화학적 및 조직적인 성상과 항균 효과를 조사하기 위해서 실시하였으며 락색소를 첨가하여 아질산염과 대체할 수 있는 발색효과를 나타내는지 알아보기 위하여 실시하였다. 제조한 저지방 기능성 소시지의 일반성분을 분석한 결과 수분 73.7- 76.0, 지방 2.5-2.7 그리고 단백질은 14.3-15.3%의 수준이었다. 각 처리구별 pH는 6.30-6.44 범위였으며 저장기간이 경과함에 따라 감소하는 경향을 보였다. 저분자 키토산(1.5kDa)을 첨가한 처리구의 보수력이 중분자(30-50kDa) 키토산 처리구보다 높았으며 저장기간이 증가함에 따라 증가하였다. 젖산나트륨과 키토산의 첨가에 따른 진공 감량에서의 차이는 없었으며 저장 기간 중에서도 유의적 차이는 보이지 않았다(p>0.05). 키토산 첨가에 의한 명도(L)와 황색도(b)가 낮았으며 락색소를 0.05% 첨가한 처리구의 적색도는 아질산염 150ppm 보다 낮았으나 아질산염 무첨가 처리구보다 높은 값을 나타내었다. 15$^{\circ}C$에서 저장기간 동안에 명도(L)와 황색도(b)는 차이가 없었으며 적색도는 저장기간이 경과함에 따라 증가하는 경향을 보였다. 젖산나트륨과 중분자 키토산(30-50 kDa)을 첨가한 처리구는 다른 처리구에 비해 모든 조직적 성상에서 높은 값을 나타내었고 탄력성, 검성, 저작성 그리고 응집성에서 저분자(1.5kDa)와 고분자(200kDa)의 처리구보다 높았다(p< 0.05). 저장 기간 중 모든 조직적 성상들이 증가하는 경향을 보였다. 103CFU/g 수준으로 접종한 병원성미생물의 성장도를 살펴보면 Salmonella typhimurium과 Listeria monocytogenes는 아질산염 150ppm을 첨가한 대조구와 무첨가구에서 차이를 보이지 않으나, E. coli O157:H7은 아질산염 150ppm을 첨가한 처리구에서 유의적으로 낮은 성장도를 보였다(p<0.05). 키토산 분자량별로 살펴보면 저분자의 경우 젖산나트륨만 첨가된 것과 비교하여 유의차를 보이지 않아(p>0.05) 상승효과를 보이지 않은 반면 중, 고분자의 경우 젖산나트륨 처리구에 비해 유의성 있게 낮은 미생물 성장도를 보였다(p<0.05). 특히 고분자 처리구는 저분자 키토산에 비해 안정된 미생물 성장도를 보이며, L. monocytogenes에 대해 가장 강한 항균 작용을 보였다(p<0.05). L. monocytogenes는 고분자 키토산 첨가구가 저장 9일째까지 4 log CFU/g 이하의 균수를 유지함으로써, 젖산나트륨 첨가구와 비교하여 2 log CFU/g 이상의 차이를 보이며 가장 뛰어난 항균효과를 보였으나 저장 후기로 갈수록 그 차이가 미미하였다. 결론적으로 젖산나트륨과 키토산을 첨가한 처리구의 항균 효과는 아질산염 150 ppm을 첨가한 대조구보다 훨씬 높았고 다양한 분자량의 키토산 중에서 고분자 키토산이 다른 분자량의 키토산의 처리구들보다 L. monocytogenes에 대한 강한 항균효과를 보였다. 젖산나트륨에 중분자 키토산을 첨가한 처리구는 대부분의 조직적 성상에서 다른 처리구들보다 높았으며 락색소에 의한 발색효과는 아질산염 150 ppm 보다 낮았지만 아질산염 무첨가구에 비해 발색효과가 좋아 일부는 대체가 가능하였으나 완전 대체는 불가능한 것으로 나타났다.
최근 디스플레이 기술은 보다 가볍고, 얇고, 선명한 스마트 형태로 발전되고 있다. 특히 스마트산업의 성장으로 터치스크린패널(Touch Screen Panel, TSP)을 사용하는 기술이 다양해짐에 따라 더 높은 감도와 해상도를 달성하기 위한 핵심기술이 필요한 실정이다. TSP는 저항막 방식, 정전용량 방식, 적외선 방식, 초음파 방식 등 다양한 방식이 있다. 그 중 정전용량방식 터치 패널 (Capacitive type touch panel, CTTP)은 다른 유형에 비해 빠른 반응속도 및 멀티 터치 기능 등의 이점을 가지고 있기 때문에 연구의 초점이 되고 있다. 이를 실현하기 위해서 CTTP은 가시광영역의 높은 투과율과 낮은 비저항을 필요로 하기 때문에 박막의 초 슬림화 및 고 결정화도가 선행되어야만 한다. CTTP에 사용되는 투명전극 소재 중에서 40%의 비중을 차지하고 있는 ITO박막은 내구성과 시인성이 좋으나 생산 비용이 비싸다는 단점이 있다. 한편, 반응성 스퍼터링은 기존에 단일 소결체를 사용한 DC마그네트론 스퍼터링법보다 높은 증착률과 낮은 생산 비용으로 초박막을 만들 수 있다는 장점을 가진다. 본 실험에서는 In/Sn (2wt%) 금속 합금 타깃을 사용한 반응성 스퍼터링법을 이용하여 기판 온도 (RT 및 $140^{\circ}C$)에서 두께 30 nm의 In-Sn-O (ITO)박막을 증착하고, 대기 중 $140^{\circ}C$ 온도에서 시간에 따라 열처리한 후 박막의 물성을 관찰하였다. 증착 중 기판 가열을 하지 않은 ITO 박막의 경우, 열처리 시간이 증가함에 따라 비저항은 감소하였고, 홀 이동도는 현저하게 증가하였으며 캐리어 밀도에서는 별다른 차이가 없었다. 이를 통해 비저항의 감소는 캐리어 농도보다는 결정화를 통한 이동도의 증가와 관련 있다는 것을 확인할 수 있었다. 열처리 시간에 따른 박막의 핵 생성 및 결정 성장은 투과 전자 현미경(TEM)으로 명확하게 확인하였으며, 완전 결정화 된 박막의 grain size는 300~500 nm로 확인되었다. 기판온도 $140^{\circ}C$에서 증착한 박막의 경우, 후 열처리를 하지 않은 상태에서도 이미 결정화 된 것을 확인할 수 있었으며, 후 열처리 시에도 grain size에는 큰 변화가 없었다. 이는 증착 중에 박막의 결정화가 이미 완결된 것으로 판단된다. 또한, RT에서 증착한 박막의 경우에는 후 열처리 초기에는 산소공공등과 같은 결함들의 농도가 감소하여 투과율이 증가하였으나 완전한 결정화가 일어난 후에는 투과율이 약간 감소한 것을 확인할 수 있었다. 이는 결정화 시 박막의 표면 조도가 증가하였고 이로 인해 빛의 산란이 증가하여 투과율이 감소한 것으로 판단된다. 이러한 결과로 반응성 스퍼터링 공정으로 제조한 ITO 초박막은 후열처리에 의한 완전한 결정화를 이룰 수 있으며, 이를 통해 얻은 낮은 비저항과 높은 투과율은 고품질 TSP에 적용될 가능성을 가진다고 판단된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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