• 제목/요약/키워드: Single-ended Gate Mixer

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Cellular phone용 단일 전원 MMIC single-ended 주파수 혼합기 개발 (Single-bias GaAs MMIC single-ended mixer for cellular phone application)

  • 강현일;이상은;오재응;오승건;곽명현;마동성
    • 전자공학회논문지D
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    • 제34D권10호
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    • pp.14-23
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    • 1997
  • An MMIC downconverting mixer for cellular phone application has been successfully developed using an MMIC process including $1 \mu\textrm{m}$ ion implanted gaAs MESFET and passive lumped elements consisting of spiral inductor, $Si_3N_4$ MIM capacitor and NiCr resistor. The configuration of the mixer presented in this paper is single-ended dual-gate FET mixer with common-source self-bias circuits for single power supply operation. The dimension of the fabricated circuit is $1.4 mm \times 1.03 mm $ including all input matching circuits and a mixing circuit. The conversion gian and noise figure of the mixer at LO powr of 0 dBm are 5.5dB and 19dB, respectively. The two-tone IM3 characteristics are also measured, showing -60dBc at RF power of -30dBm. Allisolations between each port show better than 20dB.

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2.4GHz 대역에서의 응용을 위한 광대역 RF모듈 설계 및 제작 (Design and Fabrication of a Broadband RF Module for 2.4GHz Band Applications)

  • 양두영;강봉수
    • 한국콘텐츠학회논문지
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    • 제6권4호
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    • pp.1-10
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    • 2006
  • 본 논문에서는 2.4GHz 대역에서의 응용을 위한 광대역 RF 모들을 설계하고 제작하였다. 무선 주파 신호를 중간 주파수로 변환하기 위한 RF 모듈은 3단 증폭기로 이루어진 저잡음 증폭기(LNA), 단종단 게이트 믹서, 정합 회로, 헤어핀 라인 대역 통과 필터, 쳬비셰프 저역 통과 필터로 구성하였다. 저잡음 증폭기는 높은 이득과 안정도를 갖도록 설계하였으며, 단종단 게이트 믹서는 높은 변환이득과 넓은 동작 영역을 갖도록 설계하였다. 광대역 RF모듈의 해석에서는 복합화된 하모닉 밸런스드 기법을 사용하여 RF모듈의 동작 특성을 해석하였다. 설계된 RF 모듈은 55.2dB의 변환이득, 1.54dB의 낮은 잡음 특성, $-120{\sim}-60dBm$의 넓은 RF전력 동작 영역, -60dBm의 낮은 고조파 성분 그리고 RF, IF, LO포트 간에 우수한 분리 특성을 갖는다.

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공액 위상변위기용 LS 밴드 HEMT 혼합기 (HEMT Mixer for Phase Conjugator Applications in the LS Band)

  • 전중창
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제8권2호
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    • pp.239-244
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    • 2004
  • 본 논문에서는 LS 밴드에서 동작하는 공액 위상변위기(phase conjugator)용 HEMT 혼합기를 설계 제작하였다. 역지향성 안테나(retrodirective antenna) 시스템의 공액위상변위기로 사용되는 혼합기의 특징은 RF 및 IF 신호의 주파수가 비슷하며, 모두 고주파 신호라는 점이다. 따라서 LO 신호의 주파수는 RF 주파수의 약 2배가 되며, 두 입력신호의 합성 및 임피던스 정합이 쉽지 않게 된다. 본 연구에서는 p-HEMT 소자를 사용하여, LO4.00 GHz, RF 2.01 GHz, IF 1.99 GHz에서 동작하는 게이트 혼합기를 제작하였다. 제작된 혼합기는 -7 dBm의 LO 신호를 인가하였을 때, 변환이득이 12.5 dB이며, 1-dB cmpression point는 -34 dBm으로 측정되었다. 본 연구에서 제작된 혼합기는 single-ended 구조로서, RF 및 IF 주파수가 비슷하므로 RF 누설신호가 관찰되었으며, 평형구조(balanced type)의 혼합기 및 공액 위상변위기의 설계에 직접 적용될 수 있다.

선형성이 우수한 GaAs MESFET 저항성 혼합기 설계 (The Desing of GaAs MESFET Resistive Mixer with High Linearity)

  • 이상호;김준수;황충선;박익모;나극환;신철재
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제10권2호
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    • pp.169-179
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    • 1999
  • 본 논문에서는 선형성이 우수한 MIC형태의 GaAs MESFET 저항성 혼합기를 설계하였다. 설계된 저항성 혼합기는 채널저항을 이용하기 위해 게이트단에만 바이어스 전압을 인가하였으며 LO 신호를 게이트단에 입 력시키고 드레인단에는 LO- RF간의 적절한 격리도를 얻기 위하여 삽입된 7 -jXlle hairpin 대역통과 여파기를 통하여 RF 신호를 가하여서 소오스단에서 단락회로와 저역통과 여파기를 통해 IF 신호를 얻는 것이다 .. LO 신호와 RF 신호에 대한 간략화된 등가회로를 추출하여 변환손실을 계산하였으며 하모닉 발란스 해석의 결과 와 비교하였다. 제작된 S-band 수신용 혼합기의 변환손실은 7 -jXlle hairpin 대역통과 여파기의 3.0-3.4 dB 정 도의 삽입손실을 고려하여 8.2 -10.5 dB로 얻을 수 있었고, 왜곡 특성에서 IP3in는 26.5 dBm의 선형적인 특 성을 Vg=-0.85~-1.0 V에서 얻을 수 있었다.

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