• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2003.10a
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• pp.252-252
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• 2003

• Journal of Korean Society of Forest Science
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• v.28 no.1
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• pp.110-117
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• 1975

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.200-201
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• 2008

태양전지 제작 시 반사방지막(Anti-reflection Coating)이 태양전지 효율에 미치는 영향을 알아보기 위한 실험으로 최적의 가스비를 알아보기 위하여 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD)를 이용한 Silicon nitride 증착 실험이다. SiH4 가스를 45 sccm으로 고정시킨 상태에서 NH3를 25,45,60,90,135 sccm으로 가변하여 Carrier Lifetime과 Refractive index를 측정하였다. PECVD의 조건은 기판온도 $450^{\circ}C$, Chamber 압력 1 Torr, 증착두께 $1000\AA$으로 고정하였다. 증착 후 500, 600, 700, $800^{\circ}C$로 열처리를 하고나서 Carrier Lifetime을 측정하여 열처리에 대한 효과도 알아보았다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.139-140
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• 2008

최근 누설전류를 줄이기 위해서 게이트 산화막에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 게이트 산화막에 유전상수가 큰 high-k 물질을 적용시킴으로서 누설 전류를 줄일 수 있어 특성의 향상을 가져다 줄 수 있다. 본 연구에서는 여러 high-k 물질중 $CeO_2$를 블로킹 산화막에 적용시켰다. $CeO_2$는 높은 유전상수를 가지고 있고 실리콘과 화학적으로 안정한 물질이어서 좋은 특성을 기대할 수 있다. 본 연구에서는 Al/$CeO_2/SiN_x/SiO_xN_y$/Si 의 MINOS 구조를 만들고 $CeO_2$ 두께변화에 따른 MINOS 구조의 전기적인 특성을 측정하였다. 그 결과 $CeO_2$의 박막 두께가 40nm 일 때 더 좋은 특성이 나타난다.

• YAKHAK HOEJI
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• v.38 no.1
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• pp.91-96
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• 1994

Irradiation of the berberinephenolbetaine [1] effected valence tautamerization to five 8,14-cycloberbine[21, which was converted to the spirobenzylisoquinolines by regioselective C-N bond cleavage A variety of ring systems such as compounds [4], [5] and [6] were introduced by the structural modification of berberinephenolbetaine.

• YAKHAK HOEJI
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• v.34 no.5
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• pp.296-301
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• 1990

Irradiation of the berberinephenolbetaine in a stream of argon produced the 8,14-cycloberberines [1]. On treatment with ethylchloroformate $C_8-N$ bond cleavage of the compound [1] occurred, accompanied with dehydrochlorination to give 7-ethylcarboxyisoquinoline [3], and the product [3] treated with strong alkali solution to give the 13-oxonorotensane [4] in 64% yield. Irradiation of the compound [4] converted easily to dihydro-8H-dibenzo[a, g] quinolizine-8-one [5]. and then the compound [5] was treated with methyliodide to give the 8-oxo-quinolizinium methiode. The intermediate colume chromatography on IRA-400 afforded the benzo[c, g]azecine-5-one[6] in 63% yield. The results of biological activities for these compounds are also presented.

• Plant Resources
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• v.6 no.2
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• pp.102-107
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• 2003

To find out the optimum fertilizer level for high yielding variety, Velox, experiment was conducted with 15 compositions of fertilizer levels at the experiment field of forage crop in Sunchon National University from Mar. 2000 to Aug. 2000. The effects of nitrogen fertilizer on plant growth were significant but increasing rate of application in potassium and phosphate fertilizers above 6 kg/a had negligible effects on plant growth. The optimum nitrogen application level of fertilizers turned out to be 16-6-6 kg/l0a of N-P$_2$O$_{5}$-K$_{5}$O. Content of crude protein was highest and that of crude fiber such as NDF, ADF, cellulose and lignin were lowest at this rate of fertilizer application. Furthermore, IVDMD was high and dry matter yield were highest at the optimum raterate

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.141-142
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• 2008

다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 만들기 위해 가장 많이 사용되는 제작방법은 비정질 실리콘을 기판에 형성한 뒤 결정화 시키는 방법이다. 고온에서 장시간 열처리하는 고상 결정화(SPC)와 레이저를 이용한 결정화(ELA)가 자주 사용되어진다. 그러나 SPC의 경우는 고온에서 장시간 열처리하기 때문에 유리 기판이 변형될 수 있고 ELA의 경우 장비가격이 비싸고 표면일 불균일하다는 문제점이 있다. 본 연구에서는 이 문제를 해결하기 위해서 화학 기상 증착법(저온 공정)을 이용하여 비정질 실리콘 박막을 증착 시키고, 이를 금속 촉매를 이용하여 금속 유도 결정화 방법(MIC)으로 결정화 시키는 공정을 이용하였다. 유리 기판 상부에 버퍼 층을 형성한 후 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD)을 이용하여 비정질 실리콘을 증착하고 Ni-solution을 이용하여 얇게 Ni 코팅하고 그 시료를 약 $650^{\circ}C$의 Rapid Thermal Annealing(RTA) 공정을 이용하여 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 결정화 시키는 연구를 진행하였다. Ni 코팅시간은 20분, RTA 공정은 5시간의 진행시간을 거쳐야 최적의 결정화 정도를 만들어낸다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.199-199
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• 2008

이 실험은 NVM의 Oxide, Nitride, Oxide nitride층별 blocking, trapping and tunneling 속성에 대해서 밝히고자 한다. gate 전극은 값싸고 전도도가 좋은 알루미늄을 사용한다. 유리기판위에 Silicon nitride층을 20nm로 코팅하고 Silicon dioxide층을 10nm로 코팅한다. 그리고 amorphous Silicon material이 증착된다. Poly Silicon은 Solid Phase Crystallization 방법을 사용하였다. 마지막 공정으로 p-doping은 ion shower에 의한 방법으로 drain과 source 전극을 생성하였다. gate가 biasing 될 때, p-channel은 source와 drain 사이에서 형성된다. Oxide Nitride Oxide nitride (ONO) 층은 각각 12.5nm/20nm/2.3nm의 두께로 만들었다. 전하는 Program process 중에 poly Silicon층에서 Silicon Oxide nitride tunneling층을 통하여 움직이게 된다. 그리고 전하들은 Silicon Nitride층에 머무르게 된다. 그 전하들은 erasing process 중에 trapping 층에서 poly Silicon 층으로 되돌아 간다. Silicon Oxide blocking층은 trapping층으로 전하가 나가는 것을 피하기 위하여 더해진다. 이 논문에서 Programming process와 erasing process의 Id-Vg 특성곡선을 설명한다. Programming process에 positive voltage를 또는 erasing process에 negative voltage를 적용할 때, Id-Vg 특성 곡선은 왼쪽 또는 오른쪽으로 이동한다. 이 실험이 보여준 결과값에 의해서 10년 이상의 저장능력이 있는 메모리를 만들 수 있다. 그러므로, NVM의 중요한 두 가지 성질은 유지성과 내구성이다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.07b
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• pp.1137-1139
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• 2002

In this paper, recurrent artificial neural network (RNN) based self tuning speed controller is proposed for the high performance drives of induction motor. RNN provides a nonlinear modeling of motor drive system and could give the information of the load variation, system noise and parameter variation of induction motor to the controller through the on-line estimated weights of corresponding RNN. Thus, proposed self tuning controller can change gains of the controller according to system conditions. The gain is composed with the weights of RNN. For the on-line estimation of the weights of RNN, extended kalman filter (EKF) algorithm is used. Self tuning controller that is adequate for the speed control of induction motor is designed. The availability of the proposed controller is verified through the MATLAB simulation with the comparison of conventional PI controller.