• 한국진공학회지
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• 제15권1호
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• pp.37-44
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• 2006

초고진공 아래에서 주사터널링현미경을 이용해서 $495^{\circ}C$의 Si(5 5 12) 기판에 호모에피텍시를 시도하여 층상성장의 미세한 과정을 연구하였다 최초에는 Si Dimer가 기본블록이 되어 Si(5 5 12) 단위세포 내 (337)과 (225) 부분의 Si Dimer/Adatom 자리에 우선적으로 흡착하여 Si(5 5 12) 단위세포는 Si addimer로 채워진 $3\times(337)$ 세부 부분과 $1\times(113)$ 세부 부분으로 변한다. 이 과정 중 Si(5 5 12) 단위세포 내 또 다른 (337)에 있는 Tetramer는 Si Dimer를 흡착할 수 있는 Dimer/Adatom 자리로 변환한다 추가적인 Si 흡착으로 각각의 (337) 부분은 (112)과 (113)으로 나뉘어, 마침내 Si(5 5 12) 단위세포는 $3\times(112)\;와\; 4\times(113)$의 패싯들로 바뀐다. 이 단계에서 벌집사슬형과 Dimer/Adatom의 1차원 구조의 상호 변환이 선택적으로 일어난다. 기판의 단위세포 주기를 가지는 패싯의 높이는 2.34 효까지 성장하며, 끝으로 이 패싯 사이의 골짜기가 채워진다. 마지막 단계가 끝나면 균일하고 평평한 Si(5 5 12) 테라스가 복원된다. 본 연구로부터 Si(5 5 12) 호모에피텍시가 단위세포 당 28 개의 Si 원자가 흡착됨으로써 주기적으로 이루어지고, 기판 단위세포 내에서 패시팅이 균일한 오버레이어 필름 두께를 유도하는 데에 결정적 역할을 한다는 점에서 그 성장 방식이 독특하다고 할 수 있다.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제28권1호
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• pp.89-99
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• 2003

The purpose of this study was to investigate the bonding of resin- based root canal sealer, AH26 when the sealer was applied as a thin layer between dentine and gutta-percha surface. In this study forty non-caries extracted human molars and resin-based root canal sealer(AH 26, DeTrey/Dentsply, Germany) were used. Disks of gutta-percha, 6mm in diameter.6mm thick (Diadent/Dentsply, Korea) for thermoplastic obturation were used and dentin surfaces were treated with 2% NaOCl(Group 1) or 2%NaOCl+17% EDTA(Group 3). Disks of gutta-Percha, 6mm in diameter.6mm thick (Diadent/Dentsply, Korea) for conventional obturation were used and dentin surface were treated with 2% NaOCl(Group 2) or 2%NaOCl+17% EDTA(Group 4). Enamel was removed by a horizontal section 1mm below the deepest portion of the central occlusal groove by using a watercooled low speed diamond saw. A second horizontal section was done around cementoenamel junction. Exposed dentin surface was cut to approximately $8{\times}8{\;}mm$ rectangular shape and was ground against 320, 400, 600 grade silicon carbide abrasive paper serially. After grinding, the dentine surface were soaked in a solution of 2% NaOCl for 30 minutes and twenty of specimens were treated with 17% EDTA solution for 1 minute. The treated specimens were washed and dried, Root canal sealer, AH26 was prepared according to the manufacture's instructions The Gutta-percha and dentin surface were coated with a thin layer of the freshly mixed seal or. The specimens were left overnight at room temperature. After their initial set, they were transferred to an incubator at $37$^{\circ}C$ for 72 h. After 72 hours, resin blocks were made. The resin block was serially sectioned vertically into stick of $1{\cdot}1mm$. Twenty sticks were prepared from each group. After that, tensile bond strength f3r each stick was measured with Microtensile Tester Failure patterns of the specimens at the interface between gutta-percha and dentin were observed under the SEM(x1000) and Stereomicroscope (LEICA M42O, Meyer Inst., TX U.S.A) at 1.25 x25 magnification. The results were statistically analysed by using a One-way ANOVA and Tukey's test. The results were as follows; 1. Tensile bond strengths($mean{\pm}SD$) were expressed with ascending order as follows: Group 1, $3.09{\pm}$ 1.05Mpa : Group 2, $6.23{\pm}1.16MPa$ : Group 3, $7.12{\pm}1.07MPa$ : Group 4, $10.32{\pm}2.06MPa$. 2. Tensile bond strengths of the group 2 and 4 used disks of gutta-percha for conventional obturation were significantly higher than that of the group 1 and 3 used fir thermoplastic obturation. (p < 0.05). 3. Tensile bond strengths of the group 3 and 4 treated with 2% NaOC1+17% EDTA were significantly higher than that of the group 1 and 2 treated with 2% NaOCl. (p < 0.05). 4. In analysis of failure patterns at the interface between sealer and gutta-percha, there were observed 49 (61%)cases of adhesive failure patterns and 31 (39%) cases of mixed failures patterns.

• 한국진공학회지
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• 제10권1호
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• pp.44-50
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• 2001

전자빔증착법과 이온빔의 도움을 받는 전자빔 증착법(ion beam assisted electron beam deposition; IBAED)법으로 비정질 Si(-200nm) 박막을 p-Si 기판위에 성장하고 이 두 구조를 급속열처리산화(Rapid Thermal Oxidation; RTO)를 시킴으로서 $SiO_2$/나노결정 Si(nanocrystal Si)/p-Si구조를 형성하였다. 그 후 시료 위에 Au 막을 증착함으로서 최종적으로 나노결정이 함유된 MOS(metal-oxide-semiconductor)구조를 완성하였다. 이 MOS구조내의 나노결정 Si의 전하충전 특성을 바이어스 sweep 비율을 변화시키면서 Capacitance-Voltage(C-V) 특성을 측정하여 조사하였다. 전자빔증착시료의 경우에는 $\DeltaV_{FB}$(flatband voltage shift)가 1V 미만의 작은 C-V 이력곡선이 관측된 반면 IBAED 시료의 경우는 $\DeltaV_{FB}$가 22V(2V/s Voltage Sweep비율) 이상인 대단히 큰 C-V 이력곡선이 관측되었다. 전자빔증착중 Ar ion beam을 조사하면 표면 흡착원자이동이 활성화되고 따라서 비정질 Si내에 Si의 핵 생성율이 증가하여 후속 급속열처리산화공정중 이 높은 농도의 핵들이 나노결정 Si으로 자라나게 되고 이렇게 형성된 높은 농도의 나노결정의 전하 충전 및 방전현상이 큰 이력곡선을 나타내는 원인이라고 생각된다. 따라서 IBAED 방법이 고농도의 나노결정 Si을 형성시키는데 유용한 방법이라고 판단된다.