• Title/Summary/Keyword: Si 분포

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가시화를 이용한 SI 엔진의 연소 진단

  • 엄인용
    • 한국가시화정보학회:학술대회논문집
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    • 2005.04a
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    • pp.115-154
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    • 2005
  • SI 엔진의 연소특징은 비정상 난류 예혼합 화염이며 여기서 내부 유동은 직접 화염 전파에 영향을 미치며 난류와 거시적 유동의 패턴 모두 중요한 역할을 한다. 내연기관 연소에서 난류는 매우 중요한 역할을 하고 통상 엔진 속도($\approx$흡입유동 속도)에 비례하며 그 주요 역할은 고속 운전 시 해당 사이클 내에 연소가 완료되는 데 기여하지만 출력저하, 제어 및 측정 그리고 사이클 변동과 관련하여 실질적으로 난류 제어를 통한 엔진 성능 개선은 사실상 불가능하다. 실물 엔진의 성능 파라미터로 주로 유동의 거시적 거동이 사용되며 이 유동과 연료 분사계가 혼합기 분포 상태와 화염 전파 방향을 결정하여 최종적으로 엔진의 성능을 지배한다. 따라서 가시화를 통한 연소 진단도 이 현상에 주목할 필요가 있으며 거시적 파라미터를 성능에 연관하는 다양한 기법이 존재하고 이들은 매우 풍부한 데이터베이스를 통해 비교적 정확한 성능의 예측을 가능하게 하고 이 점에 주목한 엔진만 성공을 거두었다. 이 거시적 현상에 주목하여 가시화를 통해 성층화 현상을 실험적으로 해석한 예를 제시하였다. SI 엔진 가시화에서 기법보다 중요한 것은 현상의 이해이다. 이를 위해 성공적 가시화 진단을 위해서는 우선 현상에 대한 모델링이 필요하고 이 모델에서 가시화를 통해 규명 가능한 현상을 추출해 내는 것이다.

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Analysis of Electron Energy Distribution Function and Transport Characteristic in SiH$_4$ Gas Plasma by MCS-BE Method (MCS-BE법을 이용한 SiH$_4$가스 프라즈마중의 전자에너지분포함수와 수송특성해석)

  • 이형윤;하성철;유회영;김상남;임상원;문기석
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 1997.04a
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    • pp.154-159
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    • 1997
  • This paper describes the electron transport characteristic in SiH$_4$ gas calculated for range of E/N values from 0.5~300(Td) by the Monte Calro simulation and Boltzmann equation method using a set of electron collision cross sections determined by the authors and the values of electron swarm parameters are obtained for TOF method. The results gained that the value of an electron swarm parameter such as the electron drift velocity, the electron ionization coefficients longitudinal and transverse diffusion coefficients, characteristics energy agree with thee experimental and theoretical for a range of E/N. The electron energy distributions function were analysed in monosilane at EN : 30, 50(Td) for a case of equilibrium region in the mean electron energy. The validity of the results obtained has been confirmed by a TOF method.

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Statistical Analysis of Breakdown Field Distribution of PECVD SiN Films (PECVD SiN 막의 절연파괴 전계분포의 통계적 고찰)

  • Sung, Yung-Kwon;Han, Joo-Min;Oh, Jae-Ha
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 1988.05a
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    • pp.84-87
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    • 1988
  • cIn this paper. we evaluate the breakdown and TDDB characteristics of ammonia free ECVD SiN films which studied widely as a gate insulator to substitute the silicon dioxide because of it's superior film characteristics with the merit of low temperature process. And also, we propose a new statistical model by introduce a dispersion factor in the traditional Weibull statistics. From the comparison of experimental result, and simulation one, try to dock the breakdown mechanism and statistical analysis.

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The Analysis of the Electron Mean Energy and Electron Energy Distribution Function in $SiH_4$ + Ar gas ($SiH_4$ + Ar 가스의 전자평균에너지 및 전자에너지분포함수 해석)

  • Lee, Hyoung-Yoon;Park, Myoung-Jin;Ha, Sung-Chul
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 1999.07e
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    • pp.2341-2344
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    • 1999
  • In $SiH_4$ + Ar mixture gas contains 0.5% and 5% monosilane, this paper calculated electron swarm parameters in E/N has ratio 1$\sim$300(Td) and P : I (Torr) by MCS and Beq method. Electron swarm parameters showed a irregularity change in Ar mixed a little monosilane. It tends that the electron drift velocity is inversely proportional to E/N. It also represented characteristics that the transverse diffusion coefficient depends on E/N.

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Investigation of In-Cylinder Phenomena in a SI Engine (가솔린 엔진의 연소실내 현상 연구)

  • Kim, K.S.
    • Journal of ILASS-Korea
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    • v.3 no.1
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    • pp.10-18
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    • 1998
  • To investigate the in-cylinder phenomena in a SI engine with 3 valves and pent-roof type combustion chamber, flow fields, fuel distributions, and flame propagations were measured in a single c!'tinder visualized engine. Flow fields were visualized by PTV system during the intake and compression process. Fuel distributions were measured by PLIF at the various engine conditions including the cold and hot engine conditions and the effect of air-shrouded injector on the fuel distribution was investigated also. In addition, flame propagation patterns were characterized.

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Properties of $SiO_2$Deposited by Remote Plasma Chemical Vapor Deposition(RPCVD) (원거리 플라즈마 화학증착법으로 증착된 이산화규소박막의 물성)

  • Park, Yeong Bae;Gang, Jin Gyu;Lee, Si U
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.5 no.6
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    • pp.709-709
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    • 1995
  • 원거리 플라즈마 화학증착법을 이용하여 저온에서 이산화규소박막을 제조하였다. 본 연구 에서는 공정변수인 기판의 온도, 반응기체의 조성 및 분압과 플라즈마 전력에 따른 산화막의 재료적인 물성을 평가하였다. XPS결과에서 산화막은 양론비(O/Si=2)보다 약간 적어 실리콘이 많이 함유된 막으로 나타났다. 이 경우 굴절율과 ESR분석에 의해 미결합된 실리콘의 양이 증가함을 알 수 있었다. SIMS분석에 의해 미량의 질소성분이 계면에 존재하는 것과 실리콘 미결함을 관찰하였다. FT-IR로부터 막내 수소량을 정량화하였으며 결합각 분포는 200℃이상에서 열산화막과 비슷한 값을 얻었다. 하지만 열산화막에 비해 높은 식각율을 보여 계면 스트레스에 의해 막내의 결합력이 약해진 것으로 생각된다.

A study on the DLTS spectrum and interface trap in MOS (MOS의 DLTS 신호특성과 계면트랩에 관한 연구)

  • 박병주;윤형섭;박영걸
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.3 no.3
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    • pp.195-204
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    • 1990
  • 본 논문에서는 컴퓨터를 근본으로 한 Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) 장치를 구성하고 이를 이용하여 P형 Si MOS 캐패시터의 Si- $SiO_{2}$ 계면상태를 측정하여 트랩의 활성화에너지와 포획단면적 그리고 계면트랩밀도를 조사하였다. 실리콘 band gap내에 연속적으로 분포하고 있는 계면트랩을 상세히 고찰하기 위해 quiescent 전압의 위치를 변화시키면서 0.1volt의 미소한 펄스를 MOS에 주입하여 그 각각이 분리된 트랩이라고 생각되는 매우 좁은 에너지 영역에서 나오는 DLTS신호를 측정하였다. 또한 quiescent 전압의 위치, 주입펄스전압의 진폭 그리고 rate window의 선택이 DLTS 신호에 미치는 영향 등을 조사하였다. 측정결과, 계면트랩의 활성화에너지는 가전자대로 부터 0.16-0.45eV이고 포획단면적은 1.3*$10^{-19}$~3.2*$10^{-15}$$cm^{2}$, 계면트랩밀도는 1.8*$10^{10}$ ~ 2.5*$10^{11}$$cm^{-2}$e$V^{-1}$로 측정되었다.

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Phase and microstructure of hot-pressed SiC-AlN solid solutions (열간가압소결에 의한 SiC-AIN 고용체의 상 및 미세구조)

  • Chang-Sung Lim;Chang-Sam Kim;Deock-Soo Cheong
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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    • v.6 no.2
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    • pp.238-246
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    • 1996
  • High-density SiC-AIN solid solutions were fabricated from powder mixtures of $\beta$-SiC and AIN by hot-pressing in the 1870 to $2030^{\circ}C$ temperature range. The reaction of AIN and $\beta$-SiC (3C) powder transformed to the 2 H (wurzite) structure appeared to depend on the temperature and SiC/A1N ratio and seeds present. The crystalline phases consisted of a SiC-rich solid-solution phase and an A1N-rich solid-solution phase. At $2030^{\circ}C$ for 1 h, for a composition of 50 % AIN/50 % SiC with a seeding of $\alpha$-SiC, the complete solid solution could be obtained and the microstructures are equiaxed with a relatively homogeneous grain size of 2 H phases. The variation of the seeding of $\alpha$-SiC in SIC-A1N solid solutions could be attributed to the transformation behaviour and differences in size and shape of the grains, as well as to other factors, such as grain size distributions, compositional inhomogeneity, and structural defects.

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