• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.39 no.5
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• pp.517-522
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• 2002

In this study, the effect of the processing parameters in PVD process on the size and the distribution of deposited Si quantum dots was quantitatively investigated by computational simulation utilizing Monte Carlo method. The processing parameters, substrate temperature, deposition time, gas pressure and target-substrate distance were selected as variables since those parameters are often selected as variables in PVD experiments. It is predicted that the density of $1{\times}10^{12}cm^{-2}$ Si quantum dots can be deposited on the substrate when the deposition rate is 0.05 nm/sec at the substrate temperature of 490${\circ}$, deposition time of 7 sec, gas pressure of 3 mTorr and target-substrate distance of 8 cm.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.10 no.3
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• pp.205-210
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• 2000

Lead titanate thin films were fabricated on Si(100) wafer and ITO-coated glass substrates by metal organic chemical vapor deposition using ultrasonic spraying. When the ratio (Ti/Pb) of starting materials was 1.2, the films deposited on Si wafer had a single perovskite phase. The films deposited on ITO-coated glass had higher growth rate than that on Si wafer. As deposition temperature was increased from $530^{\circ}C$ to $570^{\circ}C$, dielectric constant was increased due to the increase of crystallinity and grain size. At $570^{\circ}C$, dielectric constant and dielectric loss of the films were 205 and 0.016, respectively. When the deposition temperature is higher than $600^{\circ}C$, dielectric constant was decreased.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.167-167
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• 2012

최근 들어 유연한 폴리머 기판을 이용한 차세대 Flexible display는 다양한 장점으로 인해 많은 연구가들에 의해 유망한 차세대 디스플레이로 주목받고 있다. 일반적 폴리머 기판은 산소, 수분 등에 취약하기 때문에 무기막 또는 멀티레이어를 증착한다. 본 연구는 remote-type과 direct-type DBD로 구성되어 있는 double discharge system을 이용한 SiOx 무기막 증착 실험에 관한 연구이다. 본 연구에서는 HMDS/$O_2$/He/Ar gas mixture를 통해 발생된 대기압 플라즈마를 이용하여 공정을 진행하였다. SiOx를 증착할 때 SiOx 무기막 증착 실험은 $O_2$의 유량이 감소할수록 그리고 HMDS의 유량이 증가함에 따라 deposition rate, 즉 공정효율이 증가하는 것을 알 수 있었다. 하지만 HMDS의 유량이 증가하고 $O_2$ gas 유량이 감소함에 따라 carbon과 hydrogen 등의 불순물의 함유도 함께 증가하게 되고 이로 인해 무기막의 특성이 약해지고, 유기적인 막 특성이 강해지게 된다. Double discharge system을 사용하였을 경우에는 remote-type DBD system을 사용하였을 때 보다 더 높은 공정 효율을 관찰할 수 있었고 동시에 더 낮은 불순물 함량을 가지는 것을 알 수 있었다. 이는 기판에 추가적으로 인가되는 power에 따라 discharge efficiency가 향상되어 Si-O bond 결합을 유도, 무기막적 특성이 강해지고, 또한 기판 바이어스 효과에 따라 증착무기막의 기계적인 강도 역시 향상됨을 관찰할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.142-142
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• 2013

DBD (Dielectric Barrier Discharge) 대기압 플라즈마를 이용한 a-Si 식각기술에 대한 연구결과를 논하고자 한다. 기술개발의 목적은 대면적 TFT-LCD 혹은 Flexible Display 공정에 적용가능한 대기압 플라즈마 식각장치의 개발 및 검증이다. 실험에서 식각 가스로는 SF6, NF3 등을 사용하였으며, 질소를 기본 가스로 사용하였다. 검증용으로 개발된 대기압 플라즈마 식각 장치는 대기압 플라즈마 장치를 연속적으로 통과하는 in-line system 형식으로 개발되었다. 검증에 사용된 대기압 플라즈마 장치는 300 mm의 방전 폭으로 1세대 LCD기판의 처리가 가능하다. 대기압 플라즈마 식각 기술 개발에서 식각율에 영향을 미치는 변수들은 기판의 온도, 식각가스의 농도, 기판의 이송속도, 기판과 플라즈마 발생장치 사이의 간격 그리고 플라즈마의 인가 전력 등으로 크게 구분지어 생각할 수 있다. 개발된 식각 장치는 SF6를 사용하는 경우 최대 환산 식각율은 500 nm/min 정도이다. 식각 기술에서 중요한 식각 Uniformity와 그와 연관된 a-Si/SiNx 식각 선택비는 사용하는 가스의 Recipe 개발에 중점을 두고 연구를 진행하였다. 식각 Uniformity는 약 7% 이내의 균일도를 갖고 a-Si/ SiNx의 선택비는 10이상의 결과를 얻었다. 또한 식각 가스는 식각 profile에 영향을 줄 수 있는데 대기압 환경에서 형성되는 collisional sheath에도 불구하고 비 등방성 식각이 가능하였다.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.12 no.6
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• pp.282-288
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• 2003

We report the growth of HgCdTe by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE), using (211)B CdTe/Si substrates grown by molecular beam epitaxy (MBE). The surface morphology of these films is very smooth with hillock free. The etch pit densities (EPD) and full widths at half maximum (FWHM) of x-ray rocking curves exhibited that the crystalline quality of HgCdTe epilayer on MBE grown CdTe/Si was improved compare to HgCdTe on GaAs substrate. The Hall parameters of undoped HgCdTe layers on CdTe/Si showed n-type behavior with carrier concentration of $8{\times}10^{14}/cm^3$ at 77K. But HgCdTe on GaAs showed p-type conductivity due to in corporation of p-type impurities during GaAs substrate preparation. It is thought that these results are applicable for large area HgCdTe forcal plane arrays of $1024{\times}1024$ format and beyound.

• Journal of IKEEE
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• v.20 no.2
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• pp.177-180
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• 2016

The effect of varying thickness of Ag/Ti metal bilayer and annealing time have investigated for controlling self-organized nanoparticles (NPs) on 4H-SiC substrate. In addition, Glass and Si substrate which have different surface energy from SiC were fabricated for analyzing interaction of agglomeration. The results of FE-SEM indicated the different formation behaviors of NPs in various ranges of fabrication condition. The surface energy was measured by using a Contact Angle Analyzer. The formation of network-like NPs was observed on Glass and 4H-SiC, respectively, whereas it was not the case on Si substrates. It has been found that the size of NPs increases with decreasing surface energy, due to particle size-dependent hydrophilic properties of substrates. The different formation behavior was explained by using Young's equation for the contact angles between the metal and different substrates.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.17 no.6
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• pp.65-71
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• 1980

The Sn O2-Si Heterojunction sola cells are Prepared by vacuum deposition of SnO2 on N- and P-type Si - wafers arts the effects of annealing on the Solar cell characteiistics are presented. The existence of optimumannealins temperature for maximum open-circuit voltage and short - circuit current of the solar cell is observed. The optimum tomperature, when low resistivity (7- 2.3 [$\Omega$.cm]) P-and N-type Si -wafers are used, is 500 [$^{\circ}C$] End 400 [$^{\circ}C$] when high resistivity[41-58 [$\Omega$.cm]) P-type Si-wafers are used.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.250-250
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• 2011

Pulsed DC magnetron sputter 진공 웹코팅 연속증착기를 사용하여 PET 또는 PEN 기판 위에 Al2O3 가스 배리어 박막을 형성 하였다. 주사전자현미경 측정으로 표면을 분석하였고, PERMATRAN-W3/33을 사용하여 투습률 값을 결정하였다. PEN과 PET 기판위의 가스 배리어 막 모두 O2 분압이 증가 할수록 투습률이 증가하였다. O2 분압이 증가함에 따라 결정립들 사이에 크랙이 발생하여 투습률값에 영향을 미치는 것을 확인하였다. PET 보다 PEN 기판위에 증착막이 더 O2분압이 증가할수록 크랙이 증가하였다. PET 위에 SiO2, SiOC 및 SiON 박막을 증착하여 SiO2는 두께에 따른 변화를 SiOC와 SiON는 부분압의 변화에 따른 투습률값과 투과도값을 측정하였다. SiO2 박막 두께가 500 nm일 때 최소의 투습률인 6.63 g/m2/day를 얻었고, SiO2 박막 두께가 $1{\mu}m$ 일 때 투습률값이 9.46 g/m2/day로 증가하였다. 투과도값은 두께가 증가할수록 감소하는 것을 보였다. 이러한 결과는 투습률값이 두께 변화에 따른 영향보다 표면의 결정립들의 영향에 더 민감함을 알 수 있었다. 부분압이 $6.6{\times}10^{-4}Torr$일 때 SiOC와 SiON의 최소의 투습률이 각각 7.85 g/m2/day 이고 8.1 g/m2/day 이며 SiOC 박막의 투습률 보다 작았다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.3 no.4
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• pp.405-413
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• 1994

초고진공에서 기판 Si(111)-7$\times$7 위에 Ti:Si 또는 1:2의 조성비로 Ti와 Si을 동시증착한 후 in situ 열처리하여 TiSi2 박막을 에피택셜 성장시켰다 XRD와 XPS 분석결과 동시증착된 혼합 층에서 C49-TiSi2 박막의 성장은 핵형성에 의함을 확인하였으며 양질의 C49-TiSi2 박막은 Ti를 증착한후 Ti와 Si를 동시 증착한 (Ti+2Si)/(Ti)/Si(111)-7$\times$7구조의 시료를 초고진공에서 50$0^{\circ}C$에서 열처리하여 얻을수 있었다. 형성된 C49-TiSi2/Si(111)의 계면은 깨끗하였고 HRTEM 분석 결과 C49-TiSi2\ulcornerSi(111)의 계면은 약 10。 의 편의를 가지면서 TiSi2[211]∥Si[110] TiSi2(031)/Si(111) 의 정합성을 가졌으며 시료의 전 영 역에 에피택셜 성장되었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.299-299
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• 2016

SiC는 넓은 에너지갭 (Eg=~3.4 eV)을 갖는 반도체로써, 고전압, 고온에서 동작이 가능하여 기존의 Si기반의 파워디바이스를 대체하기 위한 물질로 많은 연구가 이루어지고 있다. 파워 디바이스의 성능 향상을 위해서는 기판과 절연체 사이의 계면에 생성되는 계면 결함을 감소시켜야 한다. 따라서 본 연구에서는 SiC 기판에 high-k 물질인 HfO2를 증착하여 HfO2/SiC 계면에 유도된 결함을 분석하고 이를 감소시킬 수 있는 방법에 대한 연구를 수행하였다. HfO2 박막은 atomic-layer-deposition (ALD) 방법을 이용하여 SiC 기판 위에 $200^{\circ}C$에서 증착하였다. HfO2 박막 증착 후 NH3 분위기에서 rapid thermal annealing 방법을 이용하여 $600^{\circ}C$에서 1분 동안 열처리 진행하였다. Current-voltage (I-V) 측정을 통해 열처리 전 HfO2/SiC의 절연파괴 전압이 약 8.3 V 임을 확인하였다. NH3 열처리 후 HfO2/SiC의 절연파괴 전압이 10 V로 증가하였으며 누설 전류가 크게 감소하는 것을 확인하였다. 또한 capacitance-voltage (C-V) 측정을 통해 열처리 후 flat band voltage가 negative 방향에서 positive 방향으로 이동함을 확인하였고, 이를 통해 NH3 열처리 방법이 HfO2/SiC 계면에 존재하는 결함을 감소시킬 수 있음을 확인하였다. 전자 구조상의 conduction band edge에 존재하는 결함 준위를 분석하기 위해 x-ray absorption spectroscopy (XAS) 분석을 실시하였고, 열처리 전 HfO2/SiC 계면에 많은 결함 준위가 존재함을 확인하였으며, x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) 분석을 통해 이 결함 준위가 oxygen deficiency state과 관련됨을 알 수 있었다. NH3 열처리 후 결과와 비교해보면, oxygen deficiency state가 감소함을 확인하였으며 이로 인해 conduction band edge에 존재하는 결함 준위가 감소함을 알 수 있었다. 따라서, NH3 열처리 방법을 이용하여 HfO2/SiC 계면에 존재하는 결함을 감소시킬 수 있으며, HfO2/SiC의 물리적, 전기적 특성을 향상시킬 수 있다는 결과를 도출하였다.