• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권6호
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• pp.506-511
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• 2009

For the application of the photosensitive barrier ribs with optimal properties such as glass transition temperature, refractive index and coefficient thermal expansion, the boro-silicate glasses was studied. The glass transition temperature, coefficient thermal expansion, and refractive index of the glasses based on the $B_2O_3-Al_2O_3-Al_2O_3-SiO_2$ glass system have been investigated with the different ratio of BaO/$Na_2O$ and $B_2O_3/Na_2O$. Increasing the ratio of $B_2O_3/Na_2O$ was led to the increase of coefficient thermal expansion and the decrease of glass transition temperature. The increase of refractive index of boro-silicate glasses increased with the density of glasses. We suggest the empirical equation for the prediction of refractive index with the glass density, $n=0.123{\rho}+1.182$ with 0.042 as the standard deviation in the boro-silicate glass system. The aim of the present paper is to give a basic result of the thermal and optical properties for designing the composition of photosensitive barrier ribs in PDP.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.263-266
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• 2001

In this paper, we investigated dielectric properies for BST thin films that was deposited on MgO/Si substrates using RF magnetron sputtering. In here, MgO film was used to perform that a diffusion b arrier between the BST film and Si substrate and a buffer layer to assist the BST film growth. A d eposition condition for MgO films was RF Power of 50W, substrate temperature of room temperature and the working gas ratio of Ar:O$_2$ were varied from 90:10 to 60:47. Finally we manufactured the cap acitor of Al/BST/MgO/Si/Al structure to know electrical properties of this capacitor through I-V, C-V measurement. In the results, C-V aha racteristic curves was shown a ferroelectric property so we measured P-E. A remanent poliazation and coerceive electric field was present 2$\mu$C/cm$^2$ and -27kV/cm respectively at Ar:O$_2$=90:10. And a va clue of dielectric constant was 86 at Ar:02=90:10.

• 대한의용생체공학회:의공학회지
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• 제15권2호
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• pp.189-194
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• 1994

Effects of ${AI_2O_3}/{P_2O_5}$ ratio on the crystallization of a series of glasses with the nominal composition of 41.4wt % $SiO_2$, 35.0wt % CaO, 20.6wt % (${P_2O_5}$+${AI_2O_3}$) and 3.0wt% MgO were investigated with DTA, XRD and SEM. The major crystalline phases are apatite and anorthite. The glass transition temperature ($T_g$) and the softening point ($T_s$) are shifted to the upper temperature by increasing $AI_2O_3$ content. The temperature of apatite crystallization ($T_{p1}$) is increased by $AI_2O_3$ content, but the tempera¬ture of anorthite crystallization ($T_{p2}$) is not affected significantly. With increased of $AI_2O_3$, the apatite crystallization is decreased, but anorthite crystallization is increased.

• 한국세라믹학회지
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• 제39권7호
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• pp.649-656
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• 2002

Zn(NO$_3$)$_2$ 수용액과 urea[CO(NH$_2$)$_2$]를 이용한 침전법과 Self-Assembled Monolayers(SAMs)를 이용한 microcontact printing 방법으로 미세 패턴화된 ZnO 박막을 Al/si0$_2$/si 기판 위에 제조하였다. Zn(NO$_3$)$_2$와 urea를 혼합하여 제조한 Zn(OH)$_2$ 박막은 침전온도와 urea 량이 증가할수록 Zn(OH)$_2$의 침전량이 증가하였고 Zn(NO$_3$)$_2$와 urea의 반응 시간이 증가함에 따라, Zn(OH)$_2$ 박막의 두께와 입자 크기가 증가하였다. Zn(NO$_3$)$_2$와 urea의 혼합비를 1 : 8, 용액의 침전 온도를 오일 bath내에서 8$0^{\circ}C$, 반응시간을 1시간으로 하여 Al/SiO$_2$/Si 기판 위에 침전된 Zn(OH)$_2$ 박막을 $600^{\circ}C$에서 1시간 동안 열처리하여, 미세 패턴을 형성하기 위한 균질한 크기의 ZnO 박막을 제조할 수 있었다. Microcontact printing방법으로 소수성과 친수성 SAMs인 Octadecylphosphonic Acid(OPA)와 2-Carboxyethylphosphonic Acid(CPA)를 각각 Al/SiO$_2$/Si 기판 위에 선택적으로 흡착한 후에 친수성 SAM인 CPA위에 Zn(OH)$_2$를 침전시켜 미세 패턴화된 ZnO 박막을 제조할 수 있었다

• 공업화학
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• 제4권2호
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• pp.291-299
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• 1993

생석회-규사-수계 및 시멘트 슬러지-규사-수계에서 1.13nm tobermorite를 수열합성하였다. 생석회-규사-수계의 경우 반응온도 $180^{\circ}C$, $CaO/SiO_2$의 몰비 0.4, 0.8에서 공히 양질의 tobermorite($5CaO{\cdot}6SiO_2{\cdot}5H_2O:C_5S_6H_5$)가 형성되었으나 $CaO/SiO_2$의 몰비 0.4일 때는 반응시간 6시간에서, 0.8일 때는 4시간에서 결정전이 현상이 관찰되었다. 그러나 시멘트 슬러지를 생석회 대신 전량 사용한 시멘트 슬러지-규사-수계는 동일한 몰비에서 반응시간 10시간 이내에 결정전이 현상이 나타나지 않았는데 이는 시멘트 슬러지로부터 용출되어 나온 알루미늄 이온의 지연작용으로 판단되며 생석회-규사-수+알루미늄계에서 확인되었다. 알루미늄 분말의 첨가량이 0.8에서 3.0%로 증가함에 따라 결정은 보다 넓고 평평하게 형성되었다. 또한 동일한 반응시간 내에서 재결정화 현상이 관찰되지 않았다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.22-25
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• 2002

In this paper, we deposited MgO buffer layer on p-type (100)Si substrate in the condition of substrate temperature 400$^{\circ}C$, working gas ratio Ar:O$_2$=80:20, RF Power 50W, working pressure 10mtorr, and the thickness of the film was about 300${\AA}$. Then we deposited Ba$\sub$0.5/Sr$\sub$0.5/TiO$_3$ thin film using RF Magnetron sputtering method on the MgO/Si substrate in various RF power of 25W, 50W, 75W. The film deposited in 50W showed the best crystalline from the XRD measurement. To know the electrical properties of the film, we manufactured Al/BSTMgO(300${\AA}$)/Si/Al structure capacitor. In the result of I-V measurement, The leakage current density of the capacitor was lower than 10$\^$-7/A/$\textrm{cm}^2$ at the range of ${\pm}$150kV/cm. From C-V characteristics of the capacitor, can calculate the dielectric constant and it was 305. Finally we deposited BST thin film on bare Si substrate and (100)MgO substrate in the same deposition condition. From the comparate of the properties of these samples, we found the properties of BST thin film which deposited on MgO/Si substrate were better than on bare Si substrate and similar to on MgO substrate.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.232-232
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• 2010

Simulation Program (AFORS-HET 2.4.1) was used, include the basic structure of crystalline silicon thin film as above, under the intrinsic a-Si:H films bonded symmetrical structure (Symmetrical structure) were used. The structure of ITO, a-Si p-type, intrinsic a-Si, c-Si, intrinsic a-Si, a-Si n-type, metal (Al) layer has one of the seven. When thickness for each layer was given the change, the changes of a-Si p-type layer and the intrinsic a-Si layer on top had an impact on efficiency. Efficiency ratio of p-type a-Si:H layer thickness was sensitive to, especially a-Si: H layer thickness is increased in a rapid decrease in Jsc and FF, and efficiency was also decreased.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.136-136
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• 2011

반도체 및 전자기기 산업에 있어서 NVM은 아주 중요한 부분을 차지하고 있다. NVM은 디스플레이 분야에 많은 기여를 하고 있는데, 측히 AMOLED에 적용이 가능하여 온도에 따라 변하는 구동 전류, 휘도, color balance에 따른 문제를 해결하는데 큰 역할을 한다. 본 연구에서는 bottom gate 구조의 nc-Si NVM 실험을 진행하였다. P-type silicon substrate (0.01~0.02 ${\Omega}-cm$) 위에 Blocking layer 층인 SiO2 (SiH4:N2O=6:30)를 12.5nm증착하였고, Charge trap layer 층인 SiNx (SiH4:NH3=6:4)를 20 nm 증착하였다. 마지막으로 Tunneling layer 층인 SiOxNy은 N2O (2.5 sccm) 플라즈마 처리를 통해 2.5 nm 증착하였다. 이러한 ONO 구조층 위에 nc-Si을 50 nm 증착후에 Source와 Drain 층을 Al 120 nm로 evaporator 이용하여 증착하였다. 제작한 샘플을 전기적 특성인 Threshold voltage, Subthreshold swing, Field effect mobility, ON/OFF current ratio, Programming & Erasing 특성, Charge retention 특성 등을 알아보았다.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제32권2호
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• pp.240-247
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• 2015

석탄회를 NaOH로 용융시킨 후 수열 처리에 의하여 제올라이트 A를 합성하였다. NaOH/석탄회의 비, 용융 온도, $NaAlO_2$의 첨가량, 수열 처리 온도 및 시간이 생성된 제올라이트의 종류와 결정도에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. 결정도가 높은 제올라이트의 생성에 필요한 최적의 NaOH/석탄회의 중량비는 1.2, 최적의 용융 온도는 $550^{\circ}C$이었다. 용융된 석탄회로부터 $Si^{4+}$ 와 $Al^{3+}$의 용출은 교반 시간의 영향을 받지 않았다. 생성된 제올라이트의 형태는 첨가한 $NaAlO_2$의 영향을 받는 것으로 나타났다. 적은 양의 $NaAlO_2$를 첨가하면 제올라이트 X가 생성되나 $NaAlO_2$의 양이 증가하면 단일상의 제올라이트 A가 생성되었다. 수열처리 시간과 온도가 증가하면 제올라이트 A는 hydroxysodalite로 변화 하였다. 승온 속도를 낮춰 반응 온도까지의 도달시간을 증가시키면 결정도가 좋은 제올라이트 A를 얻을 수 있었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제33권7호
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• pp.832-838
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• 1996

Thermite reaction products of MgO and Al were added to MgO-C refractory to improve the properties of corrosion against the attack of slag, oxidation and mechanical spalling. Corrosion rate of MgO-C-MgAl2O4 spinel refractory at the ratio of 3.3(CaO/SiO2) slag was smaller than that of MgO-C and MgO-C-Al refractory. The excellent corrosion resistance of the MgO-C-MgAl2O4 spinel refractory against the slag attack was appeared by Al and MgAl2O4 spinel with high melting point and corrosion resistance and the high thermal conductivity and low thermal expansion of AIN. Hot M.O.R at 140$0^{\circ}C$ and the resistance of oxidation weight loss at 90$0^{\circ}C$ were 210kg/cm2 and -12% respectively.