• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.59-59
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• 2010

Graphene is a 2-D sheet of $sp^2$-bonded carbon arranged in a honeycomb lattice. This material has attracted major interest, and there are many ongoing efforts in developing graphene devices because of its high charge mobility and crystal quality. Therefore clear understanding of the substrate effect and mechanism of synthesis of graphene is important for potential applications and device fabrication of graphene. In a published paper in J. Phys. Chem. C (2008), the effect of substrate on the atomic/electronic structures of graphene is negligible for graphene made by mechanical cleavage. However, nobody shows the interaction between Ni substrate and graphene. Therefore, we have studied this interaction. In order to studying these effect between graphene and Ni substrate, We have observed graphene synthesized on Ni substrate and graphene transferred on $SiO_2$/Si substrate through Raman spectroscopy. Because Raman spectroscopy has historically been used to probe structural and electronic characteristics of graphite materials, providing useful information on the defects (D-band), in-plane vibration of sp2 carbon atoms (G-band), as well as the stacking orders (2D-band), we selected this as analysis tool. In our study, we could not observe the doping effect between graphene and Ni substrate or between graphene and $SiO_2$/Si substrate because the shift of G band in Raman spectrum was not occurred by charge transfer. We could noticed that the bonding force between graphene and Ni substrate is more strong than Van de Waals force which is the interaction between graphene and $SiO_2$/Si. Furthermore, the synthesized graphene on Ni substrate was in compressive strain. This phenomenon was observed by 2D band blue-shift in Raman spectrum. And, we consider that the graphene is incommensurate growth with Ni polycrystalline substrate.

• 과학교육연구지
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• 제44권1호
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• pp.92-111
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• 2020

컴퓨팅 사고(computational thinking)는 2015 개정 과학교육과정 및 미국의 차세대 과학교육표준(NGSS)에서 새로운 탐구 기능 혹은 역량으로 제시되고 있다. 특히, 2014년부터 교육부가 소프트웨어 교육을 필수화함에 따라 컴퓨팅 사고에 관한 관심은 더욱 커지고 있다. 그러나 과학교육 분야에서 컴퓨팅 사고를 어떻게 접목할 것인가에 대한 논의는 아직 부족한 실정이다. 이에, 본 연구에서는 다양한 관련 분야의 문헌 분석을 통해 컴퓨팅 사고 요소들을 과학 탐구에 접목하는 방안을 마련하고자 하였다. 이를 위해 먼저 컴퓨팅 사고의 요소에 대한 여러 정의를 정리하였고, 이를 활용한 모형을 개발하기 위해 일반 문제해결 과정과 과학적 탐구과정들을 종합적으로 분석하였다. 마지막으로 컴퓨터 과학 분야에서 문제해결에 접목한 사례들과 비교하여 컴퓨팅 사고 기반 과학 탐구(CT-SI) 모형의 요소들을 정리하였다. 정리된 요소들을 이학 전문가들에게 제공하여 각 분야의 연구 과정과 컴퓨팅 사고 요소들을 접목하여 설명하게 한 후, 이를 기반으로 문제발견형 CT-SI 모형과 문제해결형 CT-SI 모형을 개발하였다. 개발된 두 모형은 이학 전문가들에 의해 모형의 단계가 각 분야의 연구에 활용 가능하다고 검토받았으며, '문제발견형'은 과학 연구 과정에서 정보를 선별하고 문제를 분석하는 과정과 이론적 연구에서 근거를 기반으로 하는 추론 연구 과정에 적합하다고 응답하였다. '문제해결형'은 과학의 일반적인 연구 과정 및 공학설계를 활용한 공학적 문제해결과정에 적합하다고 응답하였다. 또한, 현장 교사 2인에 의해 중고등학교 현장 탐구 수업에 적용 가능함을 확인하였다. 본 연구에서 개발된 모형은 다양한 과학 교과의 탐구 활동과 연계할 수 있으며 이를 통해 2015 개정 교육과정에서 제시하고 있는 '자료의 수집, 분석 및 해석', ' 수학적 사고와 컴퓨터 활용' 역량을 길러줄 수 있을 것이다.

• Journal of Magnetics
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• 제11권2호
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• pp.77-82
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• 2006

The structure and magnetic properties of Fe-Ni films, deposited by DC magnetron sputtering on Si(111) wafer, have been studied. The spin wave stiffness constant is determined by Brillouin light scattering (BLS) and compared with the value obtained from magnetization measurements. The range of exchange interaction was determined as 0.4 atomic distances in the film deposited in a bias magnetic field, which is 1/2 that in the film grown in no bias magnetic field. The results show that the dimensions of exchange coupling increased by the sputtering in the magnetic field.

• 한국광물학회지
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• 제13권1호
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• pp.37-43
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• 2000

Fourier transform 적외선 분광기를 사용하여 원적외선 (<200 cm-1) 영역과 중간적외선 (400-4000 cm-1) 영역에서 열수기원 일라이트의 층간 결합상태와 화학조성간의 관계를 해석하였다. 중간 적외선 영역에서는 2M1 다형의 Al-O-Al 및 Al-O-Si 결합이 1Md 형의 것보다 강한 것으로 나타났다. 원적외선 영역에서는 세 종류의 K-O 결합이 111-114, 135-143 및 167-168 cm-1에서 인지되었다. 2M1과 1Md 다형간의 가장 큰 차이는 2M1형의 층간결합이 1Md형보다 상대적으로 강하여 K가 층간에 보다 강하게 결합되어 있다는 점이며, 두 다형의 층간결합의 상태는 서로 상이하다. K-Oinner band는 (OH) stretching band의 진동수가 높을수록 커지며, (OH) stretching band는 팔면체의 양이온 (Fe+Mg)의 함량에도 영향을 받는 것으로 나타났다.

• 한국지능정보시스템학회:학술대회논문집
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• 한국지능정보시스템학회 1999년도 추계학술대회-지능형 정보기술과 미래조직 Information Technology and Future Organization
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• pp.111-120
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• 1999

Although the concept of viewing knowledge as a critical resource has been widely accepted in prior studies, it is not fully understood how to acquire available knowledge in order to improve organizational effectiveness. However, it si sure that organizational knowledge management should pursuit the achievement of the business goal by delivering relevant and useful information to the right person at the right time. Group Support System (GSS) can play an important role to transfer scatter information into meaningful business knowledge for supporting strategic corporate decision-making. This study proposes a fuzzy GSS framework for acquiring workgroup knowledge from individual memory and aggregating workgroup knowledge to organizational knowledge. This study also proposes an architecture to support the fuzzy GSS framework. The architecture consists of user agents, information management agents, and a fuzzy model manager. To illustrate how the fuzzy GSS framework can be used to support the whole process of organization knowledge acquisition, an Internet-based GSS was developed and applied in a marketing decision process. It showed that the framework was effective for acquiring organizational knowledge.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.369-369
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• 2012

The present work deals with selective deposition of copper on fluoropolymers patterned silicon (111) surfaces. The pattern of fluoropolymer was fabricated by nanoimprint lithography (NIL) and plasma reactive ion etching (RIE) was used to remove the residuals layers. Copper was electrochemically deposited in bare Si regions which were not covered with fluoropolymers. The patterns of fluoropolymers and copper have been investigated by scanning electron microscopy (SEM). In this work, we used two deposition methods. One is galvanic displacement method and another is electrodeposition. Selective deposition works in both cases and it shows applicability to other materials. By optimization of the deposition conditions can be achieved therefore this process represents a simple approach for a direct high resolution patterning of silicon surfaces.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2010년도 추계학술대회 초록집
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• pp.49.1-49.1
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• 2010

본 연구에서는 증착법에 의해 제조된 다결정 실리콘을 이용한 태양전지 제작과 관련하여 다결정 실리콘 씨앗층 제조를 위한 기판에 대하여 연구를 수행하였다. 다결정 실리콘 씨앗층을 제조할 수 있는 기술중 aluminum-induced layer exchange(ALILE) 공정을 이용하여 다결정 실리콘 씨앗층을 제조하였다. glass/Al/oxide/a-Si 구조로 알루미늄과 비정질 실리콘 계면에 알루미늄 산화막을 다양한 두께로 형성시켜, 알루미늄 유도 결정화에서 산화막의 두께가 결정화 특성에 미치는 영향, 결정결함, 결정크기에 대하여 연구하였다. 형성된 다결정 실리콘 씨앗층 막의 특성은 OM, SEM, FIB, EDS, Raman spectroscopy, XRD, EBSD 을 이용하여 분석하였다. 그 결과 산화막의 두께가 증가할수록 결함도 함께 증가하였다. 16nm 두께의 산화막 구조에서 <111> 방향의 우선배향성을 가진, $10{\mu}m$의 sub-grain 결정립을 갖는 씨앗층을 제조 하였다.

• 비파괴검사학회지
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• 제14권3호
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• pp.157-171
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• 1994

진공도가 $10^{-11}$ Torr 수준의 초고진공 상태에서 작동되고 실제공간에서 개별원자를 구별할 수 있는 주사형 터널링 현미경을 제작하였다. 주사형 터널링 현미경의 배경 및 작동원리와 제작에 있어서의 제문제점들을 서술하고 흑연결정과 실리콘에 대해서 관찰한 결과를 보고한다.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제3권2호
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• pp.105-109
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• 1997

The effects of surface conditions of the C-2 cemented carbide substrate on the adhesion of diamond film were investigated. The substrates were pretreated for different times with Murakami's reagent and then the acid solution of an H2SO4-H2O2. The adhesion strength was estimated by a peeling area around the Rockwell-A indentation. The cutting performance of the diamond-coated tools was evaluated by measuring flank wears in dry turning of Al-17% Si alloy. The morphology of deposited diamond crystallites was dominated by (111) and (220) surfaces with a cubooctahedral shape. The diamond film quality was hardly affected by the surface conditions of the substrate. The variation of tool life with longer substrate etching times resulted from a compromies between the increase of film adhesion at the interface and the decrease of toughness at the substrate surface. The coated tools were mainly deteriorated by chipping and flaking of the diamond film form a lock of adhesion strength, differently from the wear phenomena of PCD tools.

• 한국세라믹학회지
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• 제28권10호
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• pp.777-784
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• 1991

Diamond films have been growth by the hot-filament chemical vapor deposition (HFCVD) using CH4 and H2 gaseous mixture on the Si substrate. The experimental results indicated that the deposits were pure diamond and contained no amount of non-diamond phases such as amorphous carbon or graphite. The diamond films were deposited well at the conditions: the filament temperature of 210$0^{\circ}C$, the substrate temperature of 77$0^{\circ}C$, the CH4 concentration of 1.76%, the reactor pressure of 30 torr, and the deposition time of 7 hr. At this growth condition, the maximum deposition rate was 2 ${\mu}{\textrm}{m}$/hr. X-ray diffraction patterns and texture coefficient results showed that preferred orientation of the diamond films was {111} orientation under all experimental conditions.