• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.02a
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• pp.144-144
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• 1999

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2004.08a
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• pp.116-116
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• 2004

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2013.12a
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• pp.30-30
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• 2013

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2002.06a
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• pp.165-165
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• 2002

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2002.02a
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• pp.84-84
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• 2002

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.8 no.1
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• pp.111-144
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• 1993

최근 소프트웨어의 수요가 급증하고 규모가 복잡해짐에 따라 소프트웨어 산업은 위기를 맞게 되었으며, 이의 해결을 위해 소프트웨어 개발에도 하드웨어 개발과 마찬가지로 공학적인 접근방법의 시도가 이루어지고 있다. 초기에는 주로 구조적 프로그래밍과 같은 새로운 기법과 방법론의 제안으로 문제점을 해결하려고 하였으나, 개발자들은 곧 불편과 한계를 느끼게 되었으며 컴퓨터를 이용한 자동화 요구가 대두되어 이른바 CASE 도구의 개발에 관심을 갖게 되었다. 본 고에서는 교환기 개발에 적합한 최신의 CASE 환경을 구축하기 위해서 최근 선진각국의 CASE 기술동향을 조사하고 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2005.08a
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• pp.58-58
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• 2005

• 전기의세계
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• v.29 no.2
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• pp.111-117
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• 1980

Contacts formed by vacuum evaporation of As-Te-Si-Ge chalcogenide glass onto Al metal (99.9999%) are studied by measuring paralle capacitance C(V), Cp(w), resistance R(V), Rp(w), and I-V characteristics. The fact that contact metal alloying produced high-resistance region is confirmed from the measurements of parallel capacitance and resistance. From the I-V characteristics in the pre-switcing region, it is found that electronic conduction and sitching occurs in the vicinity of metal-amorphous semiconductor interface. From the experimental obsevations, it is concuded that the current flow in the thin film is space-charge limited current (SCLC) due to the tunneling of electrons through the energy barriers.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2002.07a
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• pp.177-180
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• 2002

Thickness dependence of crystallographic orientation of diol based sol-gel derived PZT(52/48) films on dielectric and piezoelectric properties was investigated The thickness of each layer by one time spinning was about 0.2 $\mu\textrm{m}$, and crack-free films was successfully deposited on 4 inches Pt/Ti/SiO$_2$/Si substrates by 0.5 mol solutions in the range from 0.2 $\mu\textrm{m}$ to 3.8 $\mu\textrm{m}$. Excellent P-E hysteresis curves were achieved without pores or any defects between interlayers. As the thickness increased , the (111) preferred orientation disappeared from 1$\mu\textrm{m}$ to 3 $\mu\textrm{m}$ region, and the orientation of films became random above 3 $\mu\textrm{m}$. Dielectric constants and longitudinal piezoelectric coefficient d$\_$33/, measured by pneumatic method were saturated around the value of about 1400 and 300 pC/N respectively above the thickness of 0.8 7m. A micromachined piezoelectric cantilever have been fabricated using 0.8 $\mu\textrm{m}$ thickness PZT (52/48) films. PZT films were prepared on Si/SiN$\_$x/SiO$_2$/Ta/Pt substrate and fabricated unimorph cantilever consist of a 0.8 fm thick PZT layer on a SiNx elastic supporting layer, which becomes vibration when ac voltage is applied to the piezoelectric layer. The dielectric constant (at 100 kHz) and remanent polarization of PZT films were 1050 and 25 ${\mu}$C/$\textrm{cm}^2$, respectively. Electromechanical characteristics of the micromachined PZT cantilever in air with 200-600 $\mu\textrm{m}$ lengths are discussed in this presentation.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.38 no.2
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• pp.158-165
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• 2001

고체산화물 연료전지용 밀봉재로서 전지 구성원과 열팽창계수가 유사하고 비젖음성 특성을 가지며 전지 작동온도에서 화학적 안정성을 갖는 밀봉유리를 개발하고자, BaO-Al$_2$O$_3$-La$_2$O$_3$-Ba$_2$O$_3$-SiO$_2$계 유리를 제조하여 조성 변화에 따른 열적 특성 변화와 접합후의 젖음성 및 반응성 등을 조사하였다. 유리망목 형성산화물인 B$_2$O$_3$와 SiO$_2$의 함량비 및 BaO의 망목 형성산화물(B$_2$O$_3$+SiO$_2$)에 대한 함량비 변화에 따른 유리의 열적 특성을 조사한 결과, 0.33~0.71의 B$_2$O$_3$/SiO$_2$함량비하에서 BaO/(B$_2$O$_3$+SiO$_2$)가 0.70일 때 유리의 열팽창계수는 106~111$\times$$10^{-7}$/K 이었으며 이때 연료전지 구성원인 YSZ(yttria stabilized zirconia)와의 열팽창 불일치(thermal expansion mismatch)가 가장 작았다. 또한 이러한 조성의 유리로부터 분말성형체를 제조하여 YSZ에 접합을 시도한 결과, 우수한 접합성 및 비젖음성을 확인할 수 있었으며, 800~8$50^{\circ}C$의 전지 작동온도에서 100시간까지 유지시에도 YSZ와의 계면반응이 일어나지 않음을 관찰할 수 있었다.