This paper describes the design and development of a novel semiconductor-based solid-state switch for damped oscillating voltage test system. The proposed switch is configured as two identical series-connected switch stacks, each of which comprising 10 series-connected IGBT function units. Each unit consists of one IGBT, a gate driver, and an auxiliary voltage sharing circuit. A single switch stack can block 20 kV-rated high voltage, and two stacks in series are proven applicable to 30 kV-rated high voltage. The turn-on speed of the switch is approximately 250 ns. A flyback topology-based power supply system with a front-end power factor correction is built for the drive circuit by loosely inductively coupling each unit with a ferrite core to the primary side of a power generator to obtain the advantages of galvanic isolation and compact size. After the simulation, measurement, and estimation of the parasitic effect on the gate driver, a prototype is assembled and tested under different operating regimes. Experimental results are presented to demonstrate the performance of the developed prototype.
본 논문에서는 series-shunt type의 PIN diode를 사용하여 8 ㎓ (7.7㎓ - 8.3㎓) 에서 사용 가능한 switch를 설계 제작하였다 스위치의 중요한 사양인 격리도 (-50㏈ 미만) 삽입손실(-1.5㏈ 미만) 입력전력 허용치 (평균전력 0.5 watt 이상 ) 입출력 정재파비 (1.3:1) 등을 고려하여 설계하였으며, 제작은 인텍웨이브사의 알루미나 기판을 이용한 thin film 공정을 이용하였으며, 측정 또한 이 네 가지에 중점을 두었다. 격리도는 중심 주파수 근방에서 비교적 넓은 대역을 가지고 -50㏈ 미만이었으며, 삽입손실은 -1.3㏈-1.6㏈였다. 입출력 정재파비는 1 -1.4였다.
본 논문에서는 단일 스위치를 사용한 LC 직렬 공진형 부스트 컨버터를 제안하였다. 제안하는 토폴로지는 별도의 보조 스위치의 추가 없이 일반 부스트 컨버터에 수동소자만을 추가하여 스위치 턴-온, 턴-오프 시 영전압 스위칭(ZVS; Zero Voltage Switching)을 수행한다. 이 토폴로지는 LC직렬 공진에 의해 스위치 오프 타임이 결정되므로, 스위치 온 타임을 가변하여 출력전압을 조절하는 온 타임 가변형 주파수 변조 기법으로 제어된다. 전류 도통 경로에 따라 제안된 회로의 동작 모드를 구분하였고, 제안된 컨버터의 동작모드와 특성은 수학적 해석과 시뮬레이션 및 실험을 통해서 검증하였다.
Background: Under the risk of financial sustainability of National Health Insurance, Korean government attempted a series of regulations over pharmaceutical prices. The first price-cut was implemented to the hyperlipidemial treatments, and the prices of statins were reduced on 15th, April in 2009. The purposes of this study are 1) to investigate the impact of this price-cut on pharmaceutical expenditure, and 2) to identify the factors associated with drug-switch among statins. Methods: Using the national patients sample data, this study conducted time series analysis on the expenditures, prices, and volumes of statin drugs. To understand the factors associated with drug-switch, the multinomial logit model was analyzed at the patients level. Results: The results of time series analysis demonstrated that the price-cut of hyperlipidemic medicines did not lead to the reduced expenditure, suggesting the increased volume was the major cause. The multinomial logit analysis identified the switch of healthcare provider as the significant factor that was highly associated with drug-switch, implying the physicians' preference was the major motivation of drug-switch. Conclusion: Without control of utilization, price regulation itself could not reduce pharmaceutical expenditure. This suggests that the pharmaceutical regulations should be implemented on the basis of understanding of provider behaviors. The findings of this study will form the first step for further empirical studies.
A fast decoupled algorithm for time domain simulation of power electronics circuits is presented. The circuits can be arbitrarily configured and can incorporate feedback amplifier circuits. This simulation algorithm is performed for the input series output parallel connected 2 switch forward converter. Steady state and large signal transient responses due to a step load change are simulated. The simulation results are verified through experiments.
A fast time domain modeling and simulation is performed for the input-series-output-parallel connected 2-switch forward converter Steady-state and large-signal transient responses due to a step load change are simulated. The simulation results are verified through experiments.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제17권1호
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pp.7-12
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2016
This paper proposes a metal contact RF MEMS switch which utilizes a see-saw mechanism to acquire a switching action. The switch was built on a quartz substrate and involves vertical deflection of the beam under an applied actuation voltage of 5.46 volts over a signal line. The see-saw mechanism relieves much of the operation voltage required to actuate the switch. The switch has a stiff beam eliminating any stray mechanical forces. The switch has an excellent isolation of −90.9 dB (compared to − 58 dB in conventional designs ), the insertion of −0.2 dB, and a wide bandwidth of 88 GHz (compared to 40 GHz in conventional design ) making the switch suitable for wide band applications.
A prototype semiconductor switch for the command resonant charging system has been developed for a line type modulator, which charges parallel pulse forming network(PFN) up to voltage of 5 kV at repetition rates of 60 Hz. A phase controlled power supply provides charging of the 4.7 ${\mu}s$ filter capacitor bank to voltage up to 5 kV. A solid state module of series stack array of sixe matched SCRs(1.6 kV, 50 A) is used as a command charging switch to initiate the resonant charging cycle. Both resistive and RC snubber network are used across each stage of the switch assembly in order to ensure proper voltage division during both steady state and transient condition. A master trigger signal is generated to trigger circuits which are transmitted through pulse transformer to each of the 6 series switch stages. A pulse transformer is required for high voltage trigger or power isolation. This paper will discuss trigger method, protection scheme, circuit simulation, and test result.
In this paper, a new soft-switching Two-switch Forward converter topology has been proposed. Compared with conventional two-switch forward converter, the proposed converter employs an auxiliary switch and a clamp capacitor to instead of two reset diodes, not only its duty cycle can exceed 0.5 to achieve wide range input voltage, but also soft switching can be achieved for all switches. Especially, voltage stress across main switches can be clamped at $1/2V_{in}$, voltage stress across auxiliary switch can be clamped at $V_{in}$. In addition, due to clamp capacitor series with the transformer, duty ratio can be extended with equation $V_o=\frac{V_{in}(1-D}D{N}$. Therefore, as a kind of better cost-effective approach, it is very attractive for high input, wide range and high efficiency application.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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