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KLIS의 대전류 빔 인출 실험 결과

  • 김태성;정승호;장두희;김진춘;이광원;진정태;윤병주;장대식;서민석;김범열;송우섭;정기석;인상렬;오병훈
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2007년도 제33회 하계학술대회 초록집
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    • pp.123-123
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    • 2007

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Effect of Co-doping in Indium-Zinc-Tin Oxide based transparent conducting oxides sputtering target

  • 서한;최병현;지미정;원주연;남태방;주병권
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.108-108
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    • 2009

  • ITO에 사용되는 주된 재료인 인듐의 bixbyite 구조는 TCOs의 전기적 특성에서 매우 중요한 것으로 알려져 있다. 때문에 인듐의 Bixbyite구조를 유지하면서 인듐의 사용량을 줄이기 위해 최적의 Solubility limit에 관해 연구하였다. 이를 위해 In2O3-ZnO-SnO2의 삼성분계 기본 조성에 두가지 물질을 추가로 첨가하여 첨가량에 따른 Solubility limit을 연구하였다. Solubility limit의 측정을 위해 X-ray Diffractometer(XRD)를 사용하였으며, 첨가 원소의 양이 증가할수록 TCOs target의 Latice parameter값은 작아졌다, SEM을 통한 미세구조의 관찰로 원소첨가에 따른 샘플의 소결에너지 변화를 분석할 수 있었다. 제작된 시편의 정성분석 및 Chemical binding Energy를 측정하기 위해 X-ray Photo Spectroscopy (XPS)를 이용하였으며, 전기적인 특성 측정을위해 4-Point prove mesurement 방법을 사용하였다.

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