• 제목/요약/키워드: Semiconductor test equipment

검색결과 98건 처리시간 0.026초

전자·반도체용 스프레이 분사형 세정제에 대한 청정도 평가 (Cleanliness Test by Spray-Type Cleaning Agent for Electronic and Semiconductor Equipment)

  • 허효정;노경호
    • Korean Chemical Engineering Research
    • /
    • 제47권6호
    • /
    • pp.688-694
    • /
    • 2009
  • PCB의 먼지 제거용 세정제로 사용되는 스프레이형 세정제를 선정하여 이에 대한 청정도를 평가하였다. 친환경적인 대체 세정제를 채택하기 위해서는 세정제의 세정성, 환경성, 경제성을 평가하여 체계적인 선정절차에 의거하여 도입 및 적용하여야 한다. 객관적이고 효율적인 세정성 평가방법의 정립이 현시점에서 매우 중요하다. 본 연구에서는 여러 세정성 평가 방법들 중 표면관찰평가법인 SEM-EDX(Scanning Electron Microscopy/Energy-Dispersive X-ray) 분석과 적외선열화상카메라(THERMOVISION A20 model)를 이용하여 청정도를 평가하였다. CT-2770 모델의 사운드카드를 $2{\times}2cm$로 잘라내어 스프레이 세정 전과 후의 청정도를 SEM의 이미지 분석을 통해 관찰할 수 있었고 EDX의 성분분석을 통해 먼지의 제거율을 정량화할 수 있었다. 컴퓨터의 P4T-E 모델의 마더보드와 IPC-A-36 모델의 기판을 사용, 오염물로 먼지와 철가루를 사용하여 열화상카메라로 세정 전, 후의 상온과 $50^{\circ}C$ Oven에 방치된 시간의 차이에 따른 온도의 변화를 비교하였다.

UHF 및 가스센서를 이용한 SF6 가스 상태 감시기술 기초연구 (Fundamental Study on the Maintenance Technology for SF6 Gas Condition using Pressure and UHF Sensors)

  • 안희성;조성철;엄주홍
    • 조명전기설비학회논문지
    • /
    • 제21권2호
    • /
    • pp.20-27
    • /
    • 2007
  • 정보화 시대로 변화함에 따라 고품질 전력의 중요성이 강조되고 있으며 이를 보장하기 위한 전력기기 운전의 신뢰성 향상이 선결과제로 대두되었다. 특히 대용량 전력기기 중 개폐기와 차단기의 성능을 일정 수준 이상으로 유지하기 위한 예방진단기술이 발달되어 왔다. 개폐기와 차단기에서 많이 사용되는 $SF_6$ 가스의 절연성능을 검출하여 유지보수 여부를 결정하는 것이 매우 중요하다. 본 연구에서는 이러한 $SF_6$ 가스의 절연성능을 검출하기 위해 사용되는 여러 가지 방법 중에 전기방전에 의해 나타나는 여러 현상을 검출하는 센서들의 기초특성을 확인하고 파악된 특성을 통해 복수의 검출센서를 사용할 것을 제안하였다. 즉 코로나 방전이나 아크방전 시에도 사용할 수 있는 UHF 센서와 방전전류 검출기를 병용하는 것이 $SF_6$ 가스의 절연성능 확인에 유리할 것으로 판단되었다. 이외에도 가스센서를 이용한 $SF_6$ 가스의 절연상태 검출을 시도해 그 가능성을 시험해 보았다.

VME 시스템 제어기의 FPGA 구현 (FPGA Implementation of VME System Controller)

  • 배상현;이강현
    • 한국정보처리학회논문지
    • /
    • 제4권11호
    • /
    • pp.2914-2922
    • /
    • 1997
  • 산업분야의 공장자동화와 자동 측정장비의 다중 프로세서 환경의 시스템 성능을 향상시키는 표준버스가 필요하다. VME 버스는 이러한 명세에 적합하지만, 소규모 패키지와 보드의 낮은 집적성 사양을 가지고 있다. 더욱이 보드와 반도체 집적성은 개발시간, 연구비용, 현장진단에 영향을 주는 중요한 문제로 대두되어 있다. 이러한 추세에 맞추어, 본 논문에서는 VME 버스와 제어기 모듈 사이의 주기능인 중재, 인터럽트, 인터페이스를 Revision C.1(IEEE std. P1014-1987)의 통합환경으로 구성하고, 설계된 VME 시스템 제어기를 Slot 1에 장착할 수 있도록 FPGA 상에 구현한다. 제어 및 기능 모듈의 동작은 VHDL의 mid-fixed 방식으로 코딩을 하고 검증하였다. 실험을 통하여 VME 시스템 제어기의 가장 중요한 동작인 버스 타이머의 버스 에러 신호가 $56{\mu}m$ 이내에 발생된 것과, 제어모듈과 기능모듈의 정확한 상호 동작도 확인하였다. 그러므로 구축된 VHDL 라이브러리는 VME 버스 기반시스템과 ASIC 설 계 에 응용할 수가 있다.

  • PDF

Plasma Assisted ALD 장비를 이용한 니켈 박막 증착과 Ti 캡핑 레이어에 의한 니켈 실리사이드 형성 효과 (Nickel Film Deposition Using Plasma Assisted ALD Equipment and Effect of Nickel Silicide Formation with Ti Capping Layer)

  • 윤상원;이우영;양충모;하종봉;나경일;조현익;남기홍;서화일;이정희
    • 반도체디스플레이기술학회지
    • /
    • 제6권3호
    • /
    • pp.19-23
    • /
    • 2007
  • The NiSi is very promising candidate for the metallization in 45 nm CMOS process such as FUSI(fully silicided) gate and source/drain contact because it exhibits non-size dependent resistance, low silicon consumption and mid-gap workfunction. Ni film was first deposited by using ALD (atomic layer deposition) technique with Bis-Ni precursor and $H_2$ reactant gas at $220^{\circ}C$ with deposition rate of $1.25\;{\AA}/cycle$. The as-deposited Ni film exhibited a sheet resistance of $5\;{\Omega}/{\square}$. RTP (repaid thermal process) was then performed by varying temperature from $400^{\circ}C$ to $900^{\circ}C$ in $N_2$ ambient for the formation of NiSi. The process temperature window for the formation of low-resistance NiSi was estimated from $600^{\circ}C$ to $800^{\circ}C$ and from $700^{\circ}C$ to $800^{\circ}C$ with and without Ti capping layer. The respective sheet resistance of the films was changed to $2.5\;{\Omega}/{\square}$ and $3\;{\Omega}/{\square}$ after silicidation. This is because Ti capping layer increases reaction between Ni and Si and suppresses the oxidation and impurity incorporation into Ni film during silicidation process. The NiSi films were treated by additional thermal stress in a resistively heated furnace for test of thermal stability, showing that the film heat-treated at $800^{\circ}C$ was more stable than that at $700^{\circ}C$ due to better crystallinity.

  • PDF

완전차폐 및 이온조절형 연X선식 정전기제거장치의 개발 (Development of Radiation Free Soft X-Ray Ionizer with Ion Control)

  • 정필훈;이동훈
    • 한국안전학회지
    • /
    • 제31권5호
    • /
    • pp.22-27
    • /
    • 2016
  • The Electrostatic Charge Prevention Technology is a core factor that highly influences the yield of Ultra High Resolution Flat Panel Display and high-integrated semiconductor manufacturing processes. The corona or x-ray ionizations are commonly used in order to eliminate static charges during manufacturing processes. To develop such a revolutionary x-ray ionizer that is free of x-ray radiation and has function to control the volume of ion formation simultaneously is a goal of this research and it absolutely overcomes the current risks of x-ray ionization. Under the International Commission on Radiological Protection, it must have a leakage radiation level that should be lower than a recommended level that is $1{\mu}Sv/hour$. In this research, the new generation of x-ray ionizer can easily control both the volume of ion formation and the leakage radiation level at the same time. In the research, the test constraints were set and the descriptions are as below; First, In order not to leak x-ray radiation while testing, the shielding box was fully installed around the test equipment area. Second, Implement the metallic Ring Electrode along a tube window and applied zero to ${\pm}8kV$ with respect to manage the positive and negative ions formation. Lastly, the ion duty ratio was able to be controlled in different test set-ups along with a free x-ray leakage through the metallic Ring Electrode. In the result of experiment, the maximum x-ray radiation leakage was $0.2{\mu}Sv/h$. These outcome is lower than the ICRP 103 recommended value, which is $1{\mu}Sv/h$. When applying voltage to the metallic ring electrode, the positive decay time was 2.18s at the distance of 300 mm and its slope was 0.272. In addition, the negative decay time was 2.1s at the distance of 300 mm and its slope was 0.262. At the distance of 200 mm, the positive decay time was 2.29s and its slope was 0.286. The negative decay time was 2.35s and its slope was 0.293. At the distance of 100 mm, the positive decay time was 2.71s and its slope was 0.338. The negative decay time was 3.07s and its slope was 0.383. According to these research, the observation was shown that these new concept of ionizer is able to minimize the leakage radiation level and to control the positive and negative ion duty ratio while ionization.

VOC Analyzer를 이용한 목재용 도료의 휘발성유기화합물의 간이측정 (Test Method Using VOC Analyzer to Measure VOC Emission of Paints for Wood-based Panel)

  • 엄영근;김기욱;안재윤;김현중;문석중
    • Journal of the Korean Wood Science and Technology
    • /
    • 제35권6호
    • /
    • pp.65-72
    • /
    • 2007
  • VOC Analyzer는 공기 중에 포함되어 있는 VOC (휘발성 유기화합물) 중 toluene, ethyl benzene, xylene, styrene 등 4가지 방향족 탄화수소 가스 농도를 측정하는 측정 장비이다. 검출기에는 고감도 반도체 가스센서를 사용한 가스크로마토그래피방식으로써 캐리어 가스로서는 봄베공기를 사용한다. 또한, 대기 중에 포함되어 있는 다양한 가스성분을 농축하지 않고 VOC를 분리 검출하여 농도를 편리하면서도 자세하게 측정할 수 있으므로 건축자재, 페이트, 도료, 접착제 등에서 응용될 수 있다. 이러한 장점을 가진 VOC Analyzer를 이용하여 목재에 주로 사용되는 도료로부터 VOC 방사거동을 확인하였다. 실험은 시편을 밀봉하여 실험개시 후 일정시간 간격으로 48시간까지 측정하였다. 수용성 페인트와 enamel 페인트의 VOC 방산량은 lacquer와 urethane vanish에 비해 상대적으로 적었으며 4개의 샘플 중에서 lacquer의 VOC 방산량이 가장 높게 나타났다. VOC Analyzer를 이용한 측정법은 현재 사용되고 있는 VOC 측정방법 중 가장 빠르고 경제적인 기술이기 때문에 앞으로 널리 사용된 것이라 기대된다.

Robust Design for Showerhead Thermal Deformation

  • 공대위;김호준;이승무;원제형
    • 한국진공학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
    • /
    • pp.150.1-150.1
    • /
    • 2014
  • Showerhead is used as a main part in the semiconductor equipment. The face plate flatness should remain constant and the cleaning performance must be gained to keep the uniformity level of etching or deposition in chemical vapor deposition process. High operating temperature or long period of thermal loading could lead the showerhead to be deformed thermally. In some case, the thermal deformation appears very sensitive to showerhead performance. This paper describes the methods for robust design using computational fluid dynamics. To reveal the influence of the post distribution on flow pattern in the showerhead cavity, numerical simulation was performed for several post distributions. The flow structure appears similar to an impinging flow near a centered baffle in showerhead cavity. We took the structure as an index to estimate diffusion path. A robust design to reduce the thermal deformation of showerhead can be achieved using post number increase without ill effect on flow. To prevent the showerhead deformation by heat loading, its face plate thickness was determined additionally using numerical simulation. The face plate has thousands of impinging holes. The design key is to keep pressure drop distribution on the showerhead face plate with the holes. This study reads the methodology to apply to a showerhead hole design. A Hagen-Poiseuille equation gives the pressure drop in a fluid flowing through such hole. The assumptions of the equation are the fluid is viscous-incompressible and the flow is laminar fully developed in a through hole. An equation can be expressed with radius R and length L related to the volume flow rate Q from the Hagen-Poiseuille equation, $Q={\pi}R4{\Delta}p/8{\mu}L$, where ${\mu}$ is the viscosity and ${\Delta}p$ is the pressure drop. In present case, each hole has steps at both the inlet and the outlet, and the fluid appears compressible. So we simplify the equation as $Q=C(R,L){\Delta}p$. A series of performance curves for a through hole with geometric parameters were obtained using two-dimensional numerical simulation. We obtained a relation between the hole diameter and hole length from the test cases to determine hole diameter at fixed hole length. A numerical simulation has been performed as a tool for enhancing showerhead robust design from flow structure. Geometric parameters for the design were post distribution and face plate thickness. The reinforced showerhead has been installed and its effective deposition profile is being shown in factory.

  • PDF

고순도 Ge 검출기의 전기적 노이즈 감소를 통한 감마선 에너지 스펙트럼의 분해능 향상에 관한 연구 (A Study on the Improvement of Gamma Ray Energy Spectrum Resolution through Electrical Noise Reduction of High Purity Ge Detector)

  • 이삼열
    • 한국방사선학회논문지
    • /
    • 제14권7호
    • /
    • pp.849-856
    • /
    • 2020
  • 감마선 에너지 스펙트럼 연구에서 에너지 분석을 통한 핵종 분석은 매우 중요하다. 감마선 에너지 측정에 일반적으로 사용되는 고순도 Ge 검출기는 높은 에너지 분해능과 상대적으로 높은 검출 효율 때문에 일반적으로 사용된다. 그러나 반도체 검출기는 높은 에너지 분해능을 유지하기 위해 주변 환경에서 발생하는 노이즈를 효과적으로 차단하지 않으면 원래의 성능을 유지하기 어렵고 고가의 장치의 효과를 얻지 못하는 문제점이 있. 따라서 본 연구에서는 검출기에서 발생하는 전기적 노이즈를 제거하기 위해 접지 루프 아이솔레이터 (NEXT-001HDGL)를 사용했다. 에너지 분해능 향상 효과를 테스트하기 위해 양성자 가속기 KOMAC에 새로 설치된 HPGe 검출 장치를 사용했다. 감마선 에너지 2614 keV의 경우 에너지 분해능이 (0.16 ± 0.02) %에서 (0.11 ± 0.01) %로 개선되었고, 감마선 에너지 662 keV의 경우 에너지 분해능이 (0.72 ± 0.07) %에서 0.27 ± 0.03 %로 향상되었다. 이 결과는 KOMAC (Korea Multi-Purpose Accelerator Complex)의 HPGe 검출 장비를 이용한 감마선 스펙트럼 연구에 매우 유용한 것으로 판단된다.