• Title/Summary/Keyword: Seed Layer

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Application of selective Epitaxial Growth of Silicon on MEMS Structure (실리콘 선택적 기상 성장을 이용한 마이크로 센서에 응용되는 구조물 제조법)

  • Pak, J.Jung-Ho;Kim, Jong-Kwan;Kim, Sang-Young;Sung, Yung-Kwon
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 1995.07c
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    • pp.1025-1027
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    • 1995
  • SEG(Selective Epitaxial Growth) and ELO(Epitaxial Lateral Growth) of Silicon offer new opportunities in the fabrication of MEMS(Micro Electro-Mechanical Systems) structures. SEG of silicon enables the stacking of junctions in addition to those resulting from the standard bipolar process and this properly was utilized for the fabrication of an improved-performance color sensor. When the crystalline growth takes place through the seed windows and proceeds over the dielectric, after reaching the surface, it form an ELO silicon layer and this ELO-Si can be modified into various structures for MEMS application such as cantilevers, beams, diaphragms.

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수평 구조 Zinc Oxide Nanorods 기반 센서의 전극 금속별 특성 비교

  • Lee, Jae-Hyeok;Kim, Seon-Min;Lee, Su-Min;Kim, Seong-Hyeon;Kim, Tae-Geun;Jo, Jin-U
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.08a
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    • pp.377-377
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    • 2012
  • 반도체 물질로서 Zinc oxide (ZnO) nanorod (NR)는 Hydrothermal growth method로 제작 시 고가의 장비가 필요치 않기에 저비용 대면적 박막을 제작하는데 적합하지만 NR들의 array 조절과 각각의 rod와 전극 간의 연결에서 어려움을 가지고 있다. 최근 연구에서는 이러한 NR array 형상 조절과 소자의 성능 향상을 위하여 tilted sputtering method를 이용해 seed layer를 lateral 하게 형성하여 성장시켜 표면적을 극대화함으로서 응용되는 센서의 성능을 향상시키는 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 이렇게 향상된 수평구조의 ZnO NR과 다양한 전극 금속 간의 schottky barrier의 높이 차이에 따라 sensitivity와 response time의 차이를 측정하였다. NR들을 전계방출형 전자현미경과 XRD로 분석 NR의 lateral structure 및 결정성을 확인하였다. 그리고 이렇게 형성한 NR을 소자화하여 Au, Ag, Al을 전극 금속물질로 사용한 경우에 대하여 sensing performance와 전극 금속의 schottky barrier의 상관관계를 확인하였다.

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Growth of Bi2O3 doped ZnO nanostructures fabricated by thermal evaporation method

  • Kim, Gyeong-Beom;Kim, Seon-Hong;Jeong, Yeong-Hun;Lee, Yeong-Jin;Baek, Jong-Hu
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2009.11a
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    • pp.243-243
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    • 2009
  • Bi2O3 doped ZnO nanostructures structure were successfully synthesized by a thermal evaporatiion process and their structural characteristics were investigated. It is demonstrated that the growth condition such as the areal density, pretreatment of the substrates and growth temperature have great influence on the morphology and the alignment of the nanorods arrays. The density of Bi2O3 doped ZnO nanostructures is controlled by the gold (Au) nanoparticle density deposited on the silicon substrates. Relatively homogenous size and shape were observed by introducing gold(Au) seed-layer as nucleation centers on the substrates prior to the VLS reaction. The samples were characterized by X-ray diffraction, scanning electron microscopy.

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Plasma를 통한 기판 전처리가 구리박막 성장에 미치는 영향

  • Jin, Seong-Eon;Choe, Jong-Mun;Lee, Do-Han;Lee, Seung-Mu;Byeon, Dong-Jin;Jeong, Taek-Mo;Kim, Chang-Gyun
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2009.11a
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    • pp.29.1-29.1
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    • 2009
  • 반도체 공정에서의 금속 배선 공정은 매우 중요한 공정 중 하나이다. 기존에 사용되던 알루미늄이 한계에 다다르면서, 대체 재료로 사용되고있는 구리는 낮은 비저항, 높은 열전도도, 우수한 electromigration(EM)저항특성 등을 바탕으로 차세대 nano-scale집적회로의 interconnect application에 적합한 금속재료로서 각광받고 있다. Electroplating을 위한 구리 seed layer CVD 공정은 타 공정에 비해 step coverage가 우수한 막을 증착할 수 있어 고집적 소자의 구현이 가능하다. 본 연구에 이용된 2가 전구체 Cu(dmamb)2는 높은 증기압과 높은 활성화 에너지를 가짐으로서 열적안정성 및 보관안정성이 우수하며, 플루오르를 함유하지 않아 친환경적이다. 구리 증착 전 기판에 plasma 처리를 하면 표면 morphology가 변함에 따라 표면 에너지가 변화하고, 이는 구리의 2차원 성장에 유리하게 작용할 것으로 여겨진다. Plasma의 조건변화에 따른 기판의 morphology 변화 및 성막된 구리의 특성 변화를 분석하였다.

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Development of X-ray Micro Computed Tomography and Applications (미세 X선 단층촬영 기법의 개발과 적용)

  • Kim, Seung-Gon;Lim, Jae-Hong;Kim, Bo-Heum;Lee, Eui-Jae;Lee, Sang-Joon
    • Journal of the Korean Society of Visualization
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    • v.8 no.2
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    • pp.45-50
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    • 2010
  • The objective of this study is to elucidate the feasibility of synchrotron X-ray micro CT as a non-destructive imaging method to visualize the three-dimensional morphological structures of biological and non-biological samples. The experiments were conducted in 7B2 X-ray micro CT beamline in Pohang Accelerate Laboratory (PAL). A rotational 3-axis stage was specially designed for $0^{\circ}-180^{\circ}$ scanning of test samples. Preliminary tests were performed for opaque samples including a mosquito head, a plant seed and gas diffusion layer (GDL) of polymer electrolyte fuel cell to verify the feasibility of the X-ray micro CT. It visualized clearly the internal structure of all the test samples, supporting its usefulness.

Fabrication of dye sensitized solar cell by multiple growth of ZnO particle (ZnO 입자 다중 성장을 이용한 염료 감응형 태양 전지 제작)

  • Choi, Jin-Ho;Son, Min-Kyu;Kim, Jin-Kyoung;Choi, Seok-Won;Prabakar, K.;Kim, Hee-Je
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2011.07a
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    • pp.1469-1470
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    • 2011
  • 본 연구에서는 ZnO 입자 다중 성장을 이용하여 DSC를 제작하여 ZnO DSC의 가능성을 점검하고자 하였다. ZnO 입자 성장은 zinc acetate solution을 이용하여 seed layer를 제작한 후 zinc nitrate와 NaOH 혼합 용액에 다중성장 시킴으로써 완성되며 이를 이용하여 ZnO DSC를 제작하였다. 그 결과 ZnO가 입자형태로 얻어짐을 확인하고 ZnO DSC를 성공적으로 제작할 수 있었으며 ZnO 입자 성장 후 소성을 통해 ZnO DSC의 성능을 0.406%에서 1.385%까지 개선시킬 수 있었다.

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A Study on Exchange bias of Seed layer Etching on NiFe/FeMn/NiFe Multilayers (NiFe/FeMn/NiFe 다층박막의 씨앗층 에칭에 의한 교환 바이어스에 대한 연구)

  • 임재준;윤상민;호영강;이영우;김철기;김종오
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2003.11a
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    • pp.221-221
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    • 2003
  • 본 연구에서는 스핀밸브 다층박막에서 교환 바이어스에 영향을 끼치는 요인 중 하나인 강자성층과 반강자성층사이의 접합 계면에서의 표면 거칠기 [1,2]를 줄이기 위해 현재 반도체 공정에 사용되고 있는 이온빔 에칭 장비를 사용하여 스핀 밸브 다층박막의 씨앗층 에칭에 따른 교환 바이어스를 알아보고자 하였다. 스핀밸브 구조는 강자성층/비자성층/강자성층의 기본구조를 갖는데 이중 하나의 강자성층의 스핀방향이 반강자성층에 의해 고정되는 구조[3]로써 이러한 고정 효과를 교환 바이어스(exchange bias)라 부른다. 교환 바이어스(exchange bias)현상은 강자성과 반강자성의 접합계면에서 강한 상호 교환결합력에 의해 나타나는 현상으로 이러한 교환 바이어스 특성은 하드드라이브의 고밀도 자기헤드소자 및 비휘발성 자기 메모리소자에 응용되어 기존의 자기저항 소자의 특성을 크게 향상시킬 수 있게 되었다.

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Fabrication of Copper Electrode Array and Test of Electrochemical Discharge Machining for Glass Drilling (유리의 미세 구멍 가공을 위한 구리 전극군 제작 및 전기 화학 방전 가공 시험)

  • Jung, Ju-Myoung;Sim, Woo-Young;Jeong, Ok-Chan;Yang, Sang-Sik
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2003.10a
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    • pp.297-299
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    • 2003
  • In this paper, we present the fabrication of copper electrode array and test of electrochemical discharge machining for the fabrication of microholes on Borofloat33 glass. Copper electrode array is fabricated by the bonding of silicon upper substrate and lower substrate and copper electroplate. The silicon upper electrode having microholes fabricated by ICP-RIE is the mold of copper electroplate. The lower substrate is used as the seed layer for copper electroplate after Au - Au thermocompression bonding with the upper substrate.

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Effect of $Co_{73}Cr_{27}$ Seed Layer on the Crystalline Alignment and Microstructure in CoCr Thin Films ($Co_{73}Cr_{27}$ 씨앗층이 CoCr 박막의 결정배향성 및 미세구조에 미치는 영향)

  • 이유기;이택동
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.3 no.1
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    • pp.45-50
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    • 1994
  • CoCr 박막에 있어서 C축 결정배향성과 미세구조 변화에 대한 Co73Cr27 씨앗층의 영향이 조사되 었다. 기록밀도가 높고 재생전압도 높은 CoCr 수직기록매체를 개발하기 위해서는 CoCr층의 두께가 엷 으면서 결정배향성이 우수하고 결정립 크기가 적고 균일한 자성기록막 제조가 필요하다. CoCr 단층막 또는 CoCr/퍼말로이 이중막 제조에서 500$\AA$정도의 Co73Cr27 층을 씨앗층으로 만들어 줌으러써 기록층인 CoCr 박막이 $0.2mu$m의 두께에서도 천이층이 거의 없고 결정배향성이 우수한 자성막을 제조할 수 있었 다. 또한 Co73Cr27 씨앗층은 비록 결정립 크기는 증가시켰지만 기록층의 에피택시 성장에 보다 바람직 한 것으로 조사되었다.

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Low Voltage Atmospheric Plasma Generation using DBD Initiation Carrier Injection (유전체 장벽 방전(DBD) 씨드 캐리어를 이용한 저 전압 대기압 플라즈마 발생)

  • Hwang, Sol;Park, Hyunho;Kim, Youngmin
    • The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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    • v.67 no.1
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    • pp.82-86
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    • 2018
  • Low voltage atmospheric plasma generation using DBD Initiation carrier injection is reported. DBD afterglow was used as initiation carriers prior to a primary discharge and a significant reduction in the breakdown voltage of atmospheric discharge was observed when sufficient initiation carriers were provided. Quantative correlation study between the breakdown voltage and the initiation carriers suggests that the atmospheric breakdown voltage reduces to only half of the breakdown voltage for Townsend regime. Also, use of DBD initiation carrier injection likely offers better device reliability by protecting electrodes with a dielectric layer and thus suppressing electrode wear.