• 한국세라믹학회지
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• 제34권1호
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• pp.109-113
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• 1997

흡수계수가 매우 낮은 비정질 재료의 구조 해석을 하기 위하여 표준 X선 회절 기법을 이용했을 때, 시료의 측정된 X선 회절 강도에는 다중 산란에 의해 발생하는 X선 강도가 상당히 포함된다. 비정질 SiO2와 B2O3에서 사용되는 빔의 종류에 따라 발생하는 다중 산란 빔의 강도를 산출해 주는 컴퓨터 프로그램을 작성하였다. 여러 종류의 X선 빔과 시료 SiO2와 B2O3의 조합을 작성된 컴퓨터 프로그램을 도입하였을 때, 2$\theta$=0~180$^{\circ}$의 범위에서 시료 SiO2의 단일 산란 빔에 대한 다중 산란 빔의 강도 비는 CuK$\alpha$빔; 0.10~0.16%, MoK$\alpha$빔; 0.98~5.87%, AgK$\alpha$빔; 1.88~17.86%로 계산되어졌고, 시료 B2O3에 대한 단일 산란 빔에 대한 다중 산란 빔의 강도 비는 CuK$\alpha$빔; 0.27~0.54%, MoK$\alpha$빔; 2.30~19.69%, AgK$\alpha$빔; 3.96~53.83%로 계산되어졌다. 따라서, X선 회절 기법을 이용하여 비정질 SiO2와 B2O3의 구조 해석에 있어서는, MoK$\alpha$빔 및 AgK$\alpha$빔에서 측정된 X선 회절 강도는 다중 산란 효과에 대해서 반드시 교정하여야 한다.