• 한국전문물리치료학회지
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• 제8권4호
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• pp.1-16
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• 2001

회전(turning)은 보행 중 방향을 바꾸는 운동 기술(motor skill)이고, 회전 전략(turning strategy)은 회전을 완수하는데 사용되는 일반적 행동 전형(generalized movement pattern)이다. 회전에 대한 보행속도의 영향은 분명하지 않다. 이 연구의 목적은 보행속도의 돌기 전략에 대한 영향을 분석하고 보행속도의 하지 내외 회전(internal and external rotation)에 대한 영향을 분석하는 것이다. 건강한 젊은 성인 15명이 이 연구에 자발적으로 참여하였다. 맥리플렉스 측정 장치(MacReflex measurement system)가 동작 분석(motion analysis)을 위해 사용되었다. 각각의 자원자들은 보행 중 90도 왼쪽으로 회전을 10회씩 완수하였다. 각각의 시도마다 보행속도를 다르게 하기 위해서 세 가지의 다른 요구들(slow, regular, fast)이 임의적으로 주어졌고 각각의 실제 보행속도가 자원자의 무게중심 변화에 따라 구해졌고 요구별 평균이 구해졌다. 회전 안쪽 발의 스핀(in side foot spin)은 보행속도가 증가함에 따라 증가했지만, 회전 바깥쪽 발의 스핀(out side foot spin)은 보행속도와 상관이 없었다. 하지의 내외 회전은 보행속도와는 상관이 없었지만, 같은쪽 발의 스핀과는 역관계가 있었다. 회전은 발 스핀이 있는 돌기와 발 스핀이 없는 돌기로 구분되는 것이 합당한 듯 하다. 제한된 시간과 공간 내에서 스핀은 보행속도가 빨라질수록 몸의 전방 운동량(forward momentum)에서 몸의 전방 운동량(forward momentum)으로의 전환이 스핀이 없는 회전 시보다 효율적이다. 고관절의 내외 회전 근육들은 회전전략에 상관없이 회전되는 동안 몸의 역학(body mechanics)을 조절하는데 중요한 역할을 맡고 있는 것으로 보인다. 앞으로 회전 시 몸의 생체 역학적 그리고 신경 근육적 기전들(biomechanical and neuromuscular mechanisms)을 밝히는 연구들이 필요하다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제49권2호
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• pp.98-102
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• 2000

Ferroelectric PZT heterolayered thin films were fabricated by spin coating method on the Pt/Ti/SiO2/Si substrate using PZT(10/90) and PZT(90/10) m7etal alkoxide solutions. All PZT heterolayered films showed a homogeneous grain structures without presence of rosette structure. It can be assumed that the lower PZT layers played a role of nucleation site for the formation of the upper PZT layer. Pb-deficient PZT phase was formed at PZT/Pt interface due to the diffusion of Pb element into a Pt bottom electrode. The relative dielectric constant and the dielectric loss of the PZT-6 film were 567 and 3.6%, respectively. Increasing the number of coatings, remanent polarization and coercive field were decreased and the values of the PZT-6 heterolayered film were $7.18\muC/cm^2$ and 68.5kV/cm, respectively. Leakage current densities were increased with increasing the number of coatings, and the value of the PZT-4 film was about $7\times10-8A/cm^2$ at 0.05MV/cm.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2002년도 하계학술발표회
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• pp.134-135
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• 2002

Sm$^{2＋}$가 도핑된 불화물 결정은 실온에서 영구적 스펙트럼 홀 생성이 나타나며, 이러한 실온에서의 영구적 스펙트럼 홀 생성은 새로운 광 메모리의 개발에 매우 중요하므로 많은 관심을 받고 있다. 본 연구에서는 Sm$^{2＋}$가 도핑된 10Al$_2$O$_3$.90SiO$_2$ 박막을 제조하여 SEM 및 발광 스펙트럼(Photo-Luminescence; PL)을 측정함으로서 제조된 박막의 구조적, 광학적 특성을 조사하였다. (중략)

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2001년도 제21회 학술발표회 초록집
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• pp.90-91
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• 2001

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2009년도 정기총회 및 동계학술연구발표회
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• pp.89-90
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• 2009

To summarize, we observed a spatial distribution of damping tensor gives a different simulation result. When we use LLG equation, especially dealing with spatially-varying magnetization texture, it is expected that damping tensor should be considered instead of constant damping.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
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• pp.578-580
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• 2003

PEDOT [poly(3,4-ethylenedioxythiophene)] powder soluble in common organic solvent were synthesized by oxidative polymerization of EDOT (3,4-ethylene dioxythiophene) monomer using functional dopant, DEHSNa [sodium di(2-ethylhexyl)sulfosuccinate]. Transparent electrodes were made by spin casting of PEDOT/organic solvents on substrates. The electrode showed the transmittance < 90% in visible region and the surface resistance of> ${\sim}10^3\;ohm/{\square}$, respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1995년도 추계학술대회 논문집
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• pp.1.1-4
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• 1995

In this study, PLZT thin films in AFE region prepared by sol-gel processing were investigated. And PLZT stock solutions were spin-coated on ITO-glass. The PLZT thin films were annealed by RTA. Hysteresis curves, dielectric characteristics and optical transmittances were measured in order to investigates the characteristics far the thin films. The PLZT thin films were crystallized at 750$^{\circ}C$ for 5 mimutes by RTA and the rosette structure composed of perovskite observed in the thin films. In case La content was 2/90/10 antiferroelectric-ferroelectric phase boundary was 2/90/10 PLZT thin film, and its hysteresis curve was good for application of optical information storage.

• Journal of Magnetics
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• 제15권1호
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• pp.17-20
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• 2010

The relationship between ferromagnet anisotropic magnetization and the antiferromagnet atomic spin configuration was investigated for various angles of the uniaxial deposition magnetic field of the FeMn layer in the Corning glass/Ta(5nm)/NiFe(7nm)/FeMn(25nm)/Ta(5nm) multilayer that was prepared by the ion beam sputter deposition. The exchange bias field ($H_{ex}$) obtained from the measurement of the easy-axis MR loop decreased to 40 Oe at the deposition field angle of $45^{\circ}$, and to 0 Oe at the angle of $90^{\circ}$. When the difference between the uniaxial axis between the ferromagnet NiFe and the antiferromagnet FeMn was $90^{\circ}$, the strong antiferromagnetic dipole moment of FeMn caused the weak ferromagnetic dipole moment of NiFe to rotate in the interface.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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• pp.311-314
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• 1999

Ferroelectric PZT heterolayered thin films were fabricated by spin coating method on the Pt/Ti/SiO$_2$/Si substrate using PZT(10/90) and PZT(90/10) metal alkoxide solutions. All PZT heterolayered films showed a homogeneous grain structure without presence of the rosette structure. It can be assumed that the lower PZT layers a role of nucleation site or seeding layer for the formation of the upper PZT layer. Zr and Ti diffusion into the Pt electrode were mainly distributed at the surface of Pt electrode beneath the PZT/Pt interface. The PZT/Pt interfacial layer showed a microstructure characterized by a grain phase surrounded by a Pb-deficient pyrochlore matrix phase. The relative dielectric constant and the dielectric loss of the PZT-6 film were 567 and 3.6, respectively.

• 전기화학회지
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• 제3권1호
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• pp.11-14
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• 2000

가시광선 영역에서의 높은 투과성과 우수한 전도성을 가진 전도성 ITO박막은 그 전기적 광학적 특성에 의해서 태양 전기 기판의 전극 재료나 Display소자의 투명전극으로 개발되고 있다. 이들의 제작은 현재 sputtering이 주종을 이루나 이들의 높은 생산비를 절감할 목적으로 sol-ge떫을 이용하여 ITO박막을 만들었다. ITO제조용 sol은 유기질 sol로는 indium tri-iso-propoxide를 ethylene glycol monoethyl ether에 녹인 후 $SnCl_4$를 dopant로 사용하여 제조하였다. Acetyl acetone을 넣어 sol이 수화되는 현상을 억제하였다. 무기질 sol로는 indium acetate를 n-propanol에 용해하여 사용하였다. Spin 방법을 이용하여 코팅하였으며 $500^{\circ}C$에서 열처리하였다. 가시 광선 영역에서의 투과도는 $90\%$ 이상을 얻었으며 비저항은 $0.01\Omega{\cdot}cm$가 측정되었다.