• 전자통신동향분석
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• 제5권1호
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• pp.55-70
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• 1990

SIMOX SOI is known to be one of the most useful technologies for fabrications of new generation ULSI devices. This paper describes the current status of SIMOX SOI technology for ULSI applications. The SIMOX wafer is vertically composed of buried oxide layer and silicon epitaxial layer on top of the silicon substrate. The buried oxide layer is used for the vertical isolation of devices The oxide layer is formed by high energy ion implantation of high dose oxygen into the silicon wafer, followed by high temperature annealing. SIMOX-based CMOS fabrication is transparent to the conventional IC processing steps without well formation. Furthermore, thin film CMOX/SIMOX can overcome the technological limitations which encountered in submicron bulk-based CMOS devices, i.e., soft-error rate, subthreshold slope, threshold voltage roll-off, and hot electron degradation can be improved. SIMOX-based bipolar devices are expected to have high density which comparable to the CMOX circuits. Radiation hardness properties of SIMOX SOI extend its application fields to space and military devices, since military ICs should be operational in radiation-hardened and harsh environments. The cost of SIMOX wafer preparation is high at present, but it is expected to reduce as volume increases. Recent studies about SIMOX SOI technology have demonstrated that the performance of the SIMOX-based submicron devices is superior to the circuits using the bulk silicon.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1999년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.73-73
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• 1999

• 센서학회지
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• 제3권1호
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• pp.26-31
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• 1994

SIMOX SOI 홀 센서를 제조하여 $20^{\circ}C{\sim}260^{\circ}C$ 사이의 온도에서 그 특성을 측정하였다. 출력 홀 전압은 인가 전류의 변화에 따라 선형적으로 변하였으며 좋은 선형성을 나타내었다. 홀 전압과 오프셋 전압은 온도변화에 따라 처음에는 약간 증가하다가 그 다음 감소하는 경향을 보이고 있는데 이는 온도에 따른 전자의 이동도의 변화 때문이라 생각된다. 측정온도 범위내에서 소자의 적감도는 거의 일정하게 유지되었으며 이를 이용하여 고온에서의 응용이 기대된다.

• Applied Microscopy
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• 제42권3호
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• pp.151-157
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• 2012

The microstructure of various shapes of stacking fault pyramids (SFPs) formed in multiple implant/anneal Separation by Implanted Oxygen (SIMOX) material were investigated by plan-view and cross-sectional transmission electron microscopy. In the multiple implant/anneal SIMOX, the defects in the top silicon layer are confined at the interface of the buried oxide layer at a density of ${\sim}10^6\;cm^{-2}$. The dominant defects are perfect and imperfect SFPs. The perfect SFPs were formed by the expansion and interaction of four dissociated dislocations on the {111} pyramidal planes. The imperfect SFPs show various shapes of SFPs, including I-, L-, and Y-shapes. The shape of imperfect SFPs may depend on the number of dissociated dislocations bounded to the top of the pyramid and the interaction of Shockley partial dislocations at each edge of {111} pyramidal planes.

• 한국진공학회지
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• 제4권4호
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• pp.373-379
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• 1995

200keV의 에너지로 산소 이온들을 주입한 후 열처리하여 만든 SIMOX의 층구조를 분광 타원해석법을 이용하여 비파괴적으로 분석하여, 약 $300AA$의 계면층과 $800\AA$의 매몰산화층이 $3360\AA$ 정도의 결정성 실리콘층 아래에 존재하는 것을 알 수 있었다. 이러한 매몰산화층의 분포와 TRIM 전산시늉 결과의 비교로부터 매몰산화층의 형성은 산소 이온들이 열처리에 따라 이온 주입시 실리콘의 비정질화가 최대인 곳 주변으로 이동하여 이루어짐을 알 수 있었다. 또한 측정 위치에 따른 분광 타원해석 상수들의 변화로부터 이온주입시의 이온빔의 형태와 주사 방향의 영향으로 생긴 SIMOX층구조의 비균일성을 알 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제1권1호
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• pp.206-211
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• 1992

SIMOX SOI structures were formed by oxygen ion implantation with a dose of 2 1018 ions/cm2 at 180kev and post-implantation annealing at $1250^{\circ}C$ for 6 hours in nitrogen ambient. The oxygen redistribution process during post-implantation annealing was examined by AES and TEM. The electrical property of the structure was investigated by SRP method. We could find oxygen precipitates in SOI layer was discussed. And the limiting factor to the decrease of the precipitates during post-implantation annealing was discussed also.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1992년도 제2회 학술발표회 논문개요집
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• pp.93-94
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• 1992

2$\times$1018 ions/$\textrm{cm}^2$ 의 산소이온이 180 keV 로 주입된 실리콘웨이퍼를 125$0^{\circ}C$에서 6시간동안 질소분위기로 열처리하여 SIMOX SOI 구조를 제조하였다. 이온주입 후 열처리 과정에서 산소원자의 거동을 AES 와 TEM 으로 분석하였고, SRpp 법으로 시료의 전기적 특성을 조사하였다. 그 결과 고온의 열처리 후에 SOI 층 내에 산소적출물이 존재하고 있음을 관찰할 수 있었으며 이들은 SOI 층의 전기적특성에 심각한 영향을 미침을 알았다. 그리고 열처리과정에서 SOI 층 내 산소농도의 감소는 이들 석출물의 성장소멸기구에 지배됨을 알았다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1996년도 제11회 학술발표회 논문개요집
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• pp.91-91
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• 1996

• 한국진공학회지
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• 제7권1호
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• pp.35-42
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• 1998

100keV $O^+$이온 빔에 의해 형성된 separation by implanted oxygen(SIMOX) silicon on insulator (SOI)의 열처리 전후의 계면 구조를 high resolution transmission electron microscopy(HRTEM)을 이용하여 관찰하였다. 실리콘 주입 온도 $550^{\circ}C$에서 ~$5\times 10^{17}\textrm{cm}^{-2}O^+$를 주입한 직후의 계면은 매우 거칠고 산화물 석출, stacking fault, coesite $SiO_2$ 상 석출물 등 여러 가지 형태의 결함들을 가지고 있었다. 반면, 이것을 $1300^{\circ}C$에서 열처리한 후의 계면은 매우 편편하고 잘 정의된 계면으로 변하였다. 열처리후의 계면은 HRTEM을 통해서 3keV$O_2^\;+$이온 빔에 의해 형성된 산화막 계면, 그리고 게이트 산화막으로 사용되는 ~ 6nm열 산화막 계면과 비교하여 볼 때 비슷한 수준의 roughness를 보여 주었다.

• ETRI Journal
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• 제9권1호
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• pp.146-157
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• 1987

SOI(Silicon-On-Insulator)는 차세대 VLSI 구조로서 최근 중요한 연구개발 대상이 되고 있다. SOI의 제조기술을 크게 recrystallization, ELO, FIPOS 및 SIMOX로 나누고 이들 각 기술에 대한 고찰을 하였다. 향후 전반적인 SOI 제조기술 개발방향은 SOI면적 확장 및 결함 감소를 위한 것이 될 것이다.