이온선보조증착에 의한 Si(100)기판에 정합성장된 $Si_{0.5}Ge_{0.5}$ 박막의 성장방식
(Growth mode of epitaxial $Si_{0.5}Ge_{0.5}$ alloy layer grown on Si(100) by ion beam assisted deposition)
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- 한국재료학회지
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- 제5권3호
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- pp.297-309
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- 1995