• 제목/요약/키워드: SI 방향

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전기자동차 파워 인버터용 전력반도체 소자의 발전: SiC 및 GaN (Advances in Power Semiconductor Devices for Automotive Power Inverters: SiC and GaN)

  • 김동진;방정환;김민수
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제30권2호
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    • pp.43-51
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    • 2023
  • 본 논문에서는 전기차 전력변환 시스템의 근간이 되는 전력반도체 소자의 발전 방향과 차세대 전력반도체 소자인 wide bandgap (WBG)의 특징에 관해 소개하고자 한다. 현재까지의 주류인 Si insulated gate bipolar transistor (IGBT)의 특징에 관해 소개하고, 제조사 별 Si IGBT 개발 방향에 대해 다루었다. 또한 대표적인 WBG 전력반도체 소자인 SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)이 가지는 특징을 고찰하여 종래의 Si IGBT 소자 대비 SiC MOSFET이 가지는 효용 및 필요성에 대해 서술하였다. 또한 현 시점에서의 GaN 전력반도체 소자가 가지는 한계 및 그로 인해 전기자동차용 전력변환모듈 용으로 사용하기에 이슈인 점을 서술하였다.

Printer용 a-Si:H 감광체의 연구동향

  • 양홍근
    • 전기의세계
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    • 제36권1호
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    • pp.28-35
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    • 1987
  • 본고에서는 laser printer의 여러구성부분 중 화질과 직접 관련된 감광체재료의 부분에 촛점을 두는 한편 새로운 재료의 응용으로서 다양한 실험과 개선을 하고 있는 반도체 laser printer용 a-Si:H감광체의 기술동향과 문제점을 살펴보고 향후 개발방향을 기술하였다.

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유방암 환자의 정상 호흡에서 종양에 삽입된 외과적 클립의 움직임 분석 (Analysis of the Movement of Surgical Clips Implanted in Tumor Bed during Normal Breathing for Breast Cancer Patients)

  • 이레나;정은아;서현숙;이경자;이지혜
    • Radiation Oncology Journal
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    • 제24권3호
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    • pp.192-200
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    • 2006
  • 목 적: 정상 호흡에서 외과적 클립을 이용하여 유방 종양의 움직임을 평가하였다. 대상 및 방법: 유방 보존 수술 후 방사선 치료를 받은 7명의 환자를 대상으로 하여 각 환자별로 일반적인 모의 치료 과정에서 형광 투시 영상을 얻었다. 한 환자의 영상만 매초 15프레임의 비율로 기록되었고, 다른 환자들의 영상은 1초당 30프레임의 비율로 앞뒤, 옆, 빗나가는 방향에서 기록되었다. 각 클립의 원점에서의 최대, 최소 움직임을 측정하였고 이를 통하여 클립마다 각 방향에서의 최대 움직임을 계산하였다. 비교를 위하여 위-아래 방향으로의 횡경막의 움직임도 측정하였다. 결 과: 앞뒤 방향의 영상으로부터 옆 방향과 위-아래 방향으로의 외과적 클립의 평균 움직임은 $0.8{\pm}0.5\;mm,\;0.9{\pm}0.2\;mm$이며, 최대 움직임은 1.9 mm, 1.2 mm였다. 또한, 옆 방향 영상에 나타난 클립들은 평균적으로 앞-뒤 방향으로 $1.3{\pm}0.7\;mm$, 위-아래 방향으로 $1.3{\pm}0.6\;mm$ 움직였으며, 최대 움직임은 각각 2.6 mm, 2.6 mm였다. 빗나가는 방향의 영상에 있는 외과적 클립들의 평균 움직임과 최대 움직임은 비스듬한 방향에서는 $1.2{\pm}0.5\;mm$와 2.4 mm였으며, 위-아래 방향으로는 $0.9{\pm}0.4\;mm$와 1.7 mm였다. 횡격막은 위-아래 방향으로 평균적으로 $14.0{\pm}2.4\;mm$ 움직였으며, 최대 18.8 mm 움직였다. 결 론: 호흡에 의해 발생되는 클립의 움직임은 횡경막의 움직임에 비해서 크지 않은 것으로 나타났다. 그리고, 외과적 클립의 움직임은 모든 방향에서 3 mm 이내였다. 이 결과, 유방암의 방사선 치료 시 호흡을 잡아주는 기술이나 도구가 필요하지 않다는 것을 알 수 있었다.

SiNx/Si 구조를 이용한 SiC 박막성장 (Growth of SiC film on SiNx/Si Structure)

  • 김광철;박찬일;남기석;임기영
    • 한국재료학회지
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    • 제10권4호
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    • pp.276-281
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    • 2000
  • Si(111) 표면을 NH$_3$분위기에서 실리콘질화물(SiNx)로 변형시킨 후 탄화규소(silicon carbide, SiC) 박막을 성장하였다. 질화시간이 증가함에 따라 SiC 박막 두께가 감소함을 관찰하였다. 또한 성장변수에 따라 SiC/Si 계면에서 결정결함인 틈새를 없앨 수 있었다. 100nm, 300nm, 500nm의 SiNx/Si 기판 위에 SiC 박막을 성장시켰다. 성장된 SiC 박막들은 모두 [111]면을 따라 성장되었고, SiC 결정들이 원주형 낟알로 성장되었다. SiC/SiNx 계면에서 void를 관찰할 수 없었다. 이러한 실험 결과는 SOI 구조의 산화규소를 SiNx로 대체함으로써 SiC 소자 제작에 응용될 수 있는 방향을 제시하고 있다.

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탄화규소로 도포된 탄소/탄소 복합재의 고온 연소거동 (High Temperature Combustion Behavior of Carbon/Carbon Composites Coated with SiC)

  • 최돈묵;김정일
    • 한국방재학회 논문집
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    • 제1권1호
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    • pp.127-138
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    • 2001
  • CFRCs는 고온에서의 우수한 물성에도 불구하고, 연소에 대한 취약한 성질로 인하여 많은 분야에서 사용에 제약을 받고 있다. 그러므로 EFRCs의 연소저항성을 향상시키기 위해서 수 많은 연구가 수행되어지고 있다. 본 연구에서는 고온에서 보다 개선된 물성과 높은 연소저항성을 부여하고, 다른 도포물질과 비교해서 낮은 열팽창계수의 차이를 보이는 탄화규소를 Pack-Cementation 방법으로 4방향성 CFRCs에 도포하였다. 제작된 탄화규소로 도포된 CFRCs는 광학현미경의 관찰을 통하여 도포 메카니즘을 추정하였으며, TGA 시험을 통하여 개선된 연소저항성을 조사하였다. Arc plasma torch 시험을 통하여 고온 연소특성과 거동을 연구하였다. 그 결과로부터 탄화규소로 코팅된 CFRCs의 기계적 강도와 고온 연소특성이 순수한 4방향성 CFRCs에 비해서 개선되었다는 것을 알았다.

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