• Title/Summary/Keyword: SI 방향

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플라즈마를 이용한 SiC 합성원리 및 특성분석

  • Yu, In-Geun;Yu, Seok-Jae
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.08a
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    • pp.169.1-169.1
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    • 2013

  • 산업 및 기술의 발전에 의해 많은 신소재들이 개발되고 있다. 그 중에서 SiC는 고온재료, LED, 반도체 등의 우주선 표면재료, 핵융합로 구조재료, 고온 씰, 히터 등 여러 산업분야에서 관심을 가지면서 다양한 가스를 이용한 합성법이 개발되어 있다. 최근에는 분말의 형태 및 크기를 용도에 맞게 개발해서 사용하고 있는 상황이다. 그런데 각 합성법에 따른 합성원리에 대해서는 여러 가지 주장이 있다. 그 중에서 몇 가지 합성법에 대해서 고찰하고 합성의 원리를 추론한다. 그리고 그 중의 한 가지인 CH3SiCl3 가스를 이용한 SiC 나노분말 합성과 SiC의 결정성장 과정에서 나타나는 whisker의 형성을 확인했다. 정교한 SiC 분말합성은 일반적으로 sol-gel, 플라즈마(DC, AC 및 ICP 등) 등을 이용한 방법이 개발되어 있다. 이와 같이 정교한 SiC 나노분말 등은 실리콘 유기 화합물 중합체(trichloromethylsilane, polycarbosilane 등)의 열분해를 통해 합성 할 수 있으며, 열분해 는 약 1,000{\sim}1,500^{\circ}C의 온도 영역에서 일어난다. 이 과정에서 고분자의 열분해 및 재결합 이 동반되고 부산물로서 HCl, CH4 등의 유해가스를 같이 생성한다. 합성된 SiC 나노분말은 전형적인 ${\beta}-SiC$로 XRD의 관찰결과 (111), (220), (311)의 방향성을 갖는 것을 확인했으며 평균입자의 크기는 약 30 nm 정도다.

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Design of Short Indolicidin Analogs with Enhanced Prokaryotic Selectivity (증가된 원핵세포선택성을 가진 짧은 인돌리시딘 유사체의 설계)

  • Shin, Song Yub
    • Microbiology and Biotechnology Letters
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    • v.40 no.4
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    • pp.409-413
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    • 2012

  • Indolicidin (ID) is a 13-residue Trp-rich antimicrobial peptide (AMP) isolated from bovine neutrophils. In addition to having a high antimicrobial potency, it is also toxic to mammalian cells. To develop novel ID-derived AMPs with shorter lengths and enhanced prokaryotic selectivities (meaning potent antimicrobial activity against bacterial cells without toxicity against mammalian cells) over the parental ID, several ID analogs were designed and synthesized. Finally, 10-residue ID analogs (SI, SI-PA, SI-WF and SI-WL) with much higher prokaryotic selectivity than the parental ID were developed. Our results suggest that the hydrophobic and aromatic amino acids at the central position of the analog SI with the highest prokaryotic selectivity are important for potent antimicrobial activity, but two Pro residues do not affect antimicrobial activity. The order of prokaryotic selectivity for ID and its designed analogs was SI > SI-PA > SI-WF > SI-WL > ID > SI-WA. Taken together, our designed short ID analogs could be developed as therapeutic agents for treating bacterial infections.

  • https://doi.org/10.4014/kjmb.1209.09002 인용 PDF KSCI

Formation and Growth of Epitaxial $CoSi_2$ Layer by Reactive Chemical Vapor Deposition (반응성 화학기상증착법을 이용한 에피택셜 $CoSi_2$ 박막의 형성 및 성장에 관한 연구)

  • Lee, Hwa-Seong;Lee, Hui-Seung;An, Byeong-Tae
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.10 no.11
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    • pp.738-741
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    • 2000

  • Univorm epitaxial $CoSi_2$layers have been grown in situ on a (100) Si substrate at temperatures near$ 600^{\circ}C$ by reactive chemical vapor deposition of cyclopentadienyl dicarbonyl cobalt, (Co(η(sup)5-C(sub)5H(sub)5) ($CO_2$). The growth kinetics of an epitaxial $CoSi_2$layer on al Si(100) substrate was investigated at temperatures ranging from 575 to $650^{\circ}C$. In initial deposition stage, plate-like discrete $CoSi_2$spikes were nucleated along the <111> directions in (100) Si substrate with a twinned structure. The discrete $CoSi_2$plates with both {111} and (100) planes grew into an epitaxial layer with a flat interface on (100) Si. For epitaxial $CoSi_2$growth on (100) Si, the activation energy of the parabolic growth was found to be 2.82 eV. The growth rate seems to be controlled by the diffusion of Co through the $CoSi_2$layer.

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