• 제목/요약/키워드: SI 방향

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Hexagonal Barium-Ferrite(BaM) 박막의 미세구조와 자기적 특성에 미치는 $TiO_2$하지층의 효과 (The Effects of $TiO_2$ Underlayer on Magnetic Properties of Hexagonal Barium-Ferrite(BaM) Thin Films)

  • 김동현;남인탁;홍양기
    • 한국자기학회지
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    • 제11권3호
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    • pp.129-133
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    • 2001
  • 본 연구에서는 TiO$_2$ 하지층이 첨가된 hexagonal barium-ferrite(BaM) 박막을 RF/DC magnetron sputtering system을 이용하여 상온에서 증착한 후, 여러 온도에서 열처리하여 결정화하였다. BaM박막에 TiO$_2$ 하지층을 첨가하여 열처리한 경우 Si와 BaM의 (006), (106), (114), (217), (2011) peak들이 사라지고 (008)의 intensity가 낮아졌으며 SiO$_2$와 (116), (302)의 peak들이 성장하였음을 XRD pattern을 통하여 알 수 있었다. BaM 박막의 자기적 특성을 VSM을 통하여 알아본 결과, 보자력, 잔류자화, 각형비 등의 자기적인 특성들은 수직에 비해 수평이 더 좋게 나타났는데, 이러한 결과로 박막면에 평행한 방향으로의 자화용이축이 존재하고 있다는 것을 알 수 있었다. SEM을 통하여 증착압력 및 열처리 시간에 따른 결정화 정도와 자기적 특성을 알아본 결과 5 mTor 보다 10 mTrr에서 더 좋게 나타났으며, 열처리를 시작한 뒤 10분 이내에 750 $^{\circ}C$ 이상에서 대부분의 특성변화가 일어났음을 알 수 있었다.

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RIE 표면 텍스쳐링 모양에 따른 결정질 실리콘 태양전지의 영향 (Influence of Crystalline Si Solar Cell by Rie Surface Texturing)

  • 박인규;윤명수;현덕환;진법종;최종용;김정식;강형동;권기청
    • 한국진공학회지
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    • 제19권4호
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    • pp.314-318
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    • 2010
  • 다결정 실리콘 웨이퍼 표면에 대면적 reactive ion etching (RIE) 장비로 표면 텍스쳐를 형성한 뒤 태양전지를 제작하였다. 웨이퍼 표면에 텍스쳐를 형성하는 것은 광학적 손실을 줄이기 위해 일반적으로 사용되는 방법으로 alkaline etching이 사용된다. 그러나 다결정 실리콘 태양전지의 경우 재료의 결정 방향에 따라 식각되는 alkaline etching은 텍스쳐링의 모양을 제어할 수 없어 효과적이지 못하다. 이와 달리 플라즈마 식각방법을 사용하면 표면 텍스쳐의 모양을 효과적으로 제어하여 조금 더 낮은 반사율을 얻을 수 있다. 하지만 텍스쳐 모양 조절로 얻은 낮은 반사율이 항상 높은 변환효율을 얻을 수 있는 것은 아니다. 본 연구에서는 대면적 RIE 공정 조건별로 얻은 태양전지 표면 텍스쳐의 모양에 따라 각각의 반사율과 양자효율 및 변환효율이 미치는 영향을 살펴보았다.

펄스 레이저 증착법으로 증착된 $MgTiO_3$박막의 전기적 특성 분석 (Electrical Properties Of MgTiO$_3$ thin films grown by pulsedd laser deposition method)

  • 안순홍;노용한;이영훈;강신충;이재찬
    • 한국진공학회지
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    • 제9권3호
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    • pp.249-253
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    • 2000
  • 차세대 마이크로파 유전체 소자에 응용하기 위한 $MgTiO_3$ 박막을 펄스 레이저 증착법(PLD, pulsed laser deposition)을 이용하여 400-$500^{\circ}C$에서 비정질 상태로 실리콘 기판 위에 성장시킨 후 전기적 특성을 분석하였다. PLD로 증착된 $MgTiO_3$ 박막의 전기적 특성은 성장시 온도에 의존하였다. 즉, 증착 온도가 낮아짐에 따라 $MgTiO_3$ 박막 내부에 존재하는 이상정전하 결함 밀도가 증가하였으며, 이들 결함과 실리콘 기판과의 전하교환에 의하여 High Frequency(HF) C-V 곡선이 음의 방향으로 이동하는 현상이 관측된 것으로 사료된다. 또한, 증착 온도간 HF C-V 곡선 이동 폭 및 이상정전하 밀도는 ~l00$\AA$ 두께의 $SiO_2$ 중간층을 사용할 경우에 현저히 감소함을 확인하였다.

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창녕 술정리 동삼층석탑 석재의 원산지 해석 및 표면균열에 관한 연구 (A Study on the Provenance of the Stones and the Surface Cracks in the Suljeongri East Three-story Stone Pagoda, Changnyeong, Korea)

  • 김재환;좌용주
    • 암석학회지
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    • 제19권4호
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    • pp.283-292
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    • 2010
  • 국보 제34호 창녕 술정리 동삼층석탑에는 다수의 수직, 수평, 대각선 균열이 발달하고 있으며, 일부 부재들이 떨어져 나감에 따라 이에 대한 보존처리가 시급한 실정이다. 이 석탑은 중립질이며 등립질 조직을 나타내는 담홍색의 흑운모 화강암을 석재로 사용하였다. 석재에 대한 전암대자율 측정결과 2~9(${\times}10^{-3}$ SI unit) 사이의 값을 가지며, 감마스펙트로미터 측정결과 K는 3~7%, eU는 8~19 ppm, eTh는 11~35 ppm의 범위를 가진다. 석탑이 위치한 인근 화왕산 일대에 분포하는 흑운모 화강암과 석탑의 석재에 대한 암석기재적 특징, 전암대자율 및 감마스펙트로미터 측정 자료를 비교 분석한 결과, 화왕산 서쪽 사면의 등립질 흑운모 화강암이 석탑부재와 가장 유사한 암석으로 판단된다. 석탑에는 수직, 수평 및 대각선 균열이 발달하고 있는데 주로 석탑 하부인 기단부와 1층 탑신을 이루는 부재들에 집중되어 나타난다. 석탑에 사용된 석재는 원래부터 리프트 결과 그레인 결의 방향으로 미세균열이 잘 발달된 암석으로 이 두 결이 균열성장과 그에 따른 손상을 야기한 것으로 판단된다. 수직 균열은 주 압축응력에 평행한 방향으로 석재의 미세균열이 성장한 결과로 해석되는 반면 수평 균열의 경우 주 압축응력에 대한 반발 인장력이 균열의 성장을 촉진시킨 것으로 해석할 수 있다. 한편, 상하 대각선 방향의 균열은 리프트 결과 그레인 결이 부분적으로 사교하면서 나타나는 양상으로 해석된다.

봉화 북지리 마애여래좌상의 지질환경과 훼손원인 (Geological Environments and Deterioration Causes of the Sitting Buddha Carved on Rockcliff in Bukjiri, Bonghwa)

  • 황상구;남재국
    • 자원환경지질
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    • 제40권1호
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    • pp.47-66
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    • 2007
  • 봉화 북지리 마애여래좌상(국보 201호)은 흑운모 화강암으로 구성되고 NE-SW EW 및 NS 방향의 3개 절리조가 규칙적으로 나타난다. 이들은 마애여래좌상의 여러 부분을 심각하게 파손하는 기계적 풍화를 일으켰다. 이 화강암의 풍화암에서 주원소의 화학조성을 이용한 풍화지수는 토양층에서 $59{\sim}61$로 사장석이 용해되고 흑운모가 변질되어 카올린 광물의 생성이 활발한 방향으로 풍화작용이 진행되었다. 풍화도가 커질수록 주원소의 $SiO_2$, MnO는 약간 증가하는 반면에 $TiO_2,\;{Fe_2O_3}^t,\;MgO,\;CaO,\;K_2O$는 감소하는 경향을 보인다. $Al_2O_3$에 대한 미량원소의 변화량을 보면 모든 전이원소와 Rb, Y는 풍화도가 커질수록 증가하며, 반면에 Li, Sr, Ba은 감소를 나타낸다. REE의 패턴은 LREE에서 거의 일정하게 나타나지만 HREE에서 풍화도가 커질수록 증가하는 경향을 보인다. 특히 CaO, $K_2O$, Sr과 Ba의 감소는 장석들이 지하수에 용해되면서 유출된 결과이다. 마애여래좌상에서 훼손은 풍화에 의해 3방향의 절리, 착색현상, 입상분해, 미생물서식 등으로 나타난다. 풍화의 윈인은 주로 변형작용, 수분, 기온변화, 생물서식 등이다. 이 중에 수분이 화강암 내의 절리를 따라 스며들어 광물을 용해하고 분해할 뿐만 아니라 식물을 서식케 하고 결빙을 일으킨다. 북동 및 남북 절리조는 외곽부에서 내부로 연결되기 때문에 이 절리들은 빗물이 쉽게 마애여래좌상 내부로 스며들게 하여 앞으로 문화재를 훼손하는데 큰 영향을 미칠 것으로 생각된다.

경찰 위기협상 발전 방향에 관한 연구 - 경찰 기관의 교육 발전 방안을 중심으로 - (A Study on the Development Direction of Crisis Negotiations of the Police - With Focus on the Police Department Education Development Plan -)

  • 조세희
    • 시큐리티연구
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    • 제45호
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    • pp.161-189
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    • 2015
  • 2015년 3월 5일 리퍼트 주한 미국대사 테러사건과 2월 25일 세종시 엽총 사건으로 3명이 사망한데 이어 2월 27일 화성 남양에서도 엽총살인사건이 연이어 발생하며 우리 사회도 더 이상 총기로부터 안전지대가 아니라는 것이 현실화 되고 있다. 국제적으로는, 2015년 1월 18세의 김00이 자발적으로 가입한 이슬람 수니파 원리주의 무장단체인 이슬람국가(IS)등 국제 테러조직으로부터 우리나라도 더 이상 테러로부터 안전지대가 아니라는 우려가 높아가고 있다. 우리나라 경찰위기협상은 1988년 올림픽을 대비하여 대테러 위주로 창설 운영되어 왔으나, 20여 년간 대테러 사건은 한건도 발생하지 않으면서 존재에 대한 회의 및 발전 방향에 대한 논의가 활발히 이루어지고 있는 시점이다. 우리나라는 각종 살인 테러 강도 등 위기상황을 해결하기 위해 전통적인 물리력 행사가 여전히 선호되고 있고 전술적 역량을 강화하고 있다. 그러나, 국민의 신체와 재산을 보호하는 경찰의 기본 임무를 수행하기 위해서는 미국 등 선진국에서 강조하는 위기협상 기법에 대한 교육 확대로 어떤 사건이 발생하던지 초기에 위기협상이 가능한 체계 확립이 필요하다. 본 연구에서는 최 일선 경찰관들이 기본 협상가로서의 역할을 수행할 수 있도록 경찰의 위기협상 운영 실태를 파악하고, 내부 교육 자료 및 언론을 분석하여, 경찰 위기협상의 교육, 선발 등 발전 방향에 대한 대책을 제시하고자 한다.

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지석묘의 입지특성과 축조방식에 대한 지형학적 고찰 - 효산리·대신리를 중심으로 - (A Geomorphological Study on the Locational Characteristics and Construction Method of Dolmens in Hyosanri·Daesinri)

  • 박철웅;김인철
    • 한국지형학회지
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    • 제19권3호
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    • pp.23-36
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    • 2012
  • 본 연구는 그동안 고고학이나 역사학의 관점으로만 바라보았던 지석묘(支石墓)의 입지와 축조방식에 대한 문제를 지형학적 관점으로 고찰하여 지석묘가 입지하게 된 이유 및 특성과 지석묘를 축조하는 방식에 대한 문제를 생각해 보고자 하였다. 이를 위하여 전라남도 화순군 도곡면 효산리와 춘양면 대신리 일대의 유네스코 세계문화유산으로 지정되어 있는 지석묘군(群)을 연구대상으로 선정하였다. 효산리 대신리는 지석묘 상석의 장축방향 및 주변의 자연 암괴와 암편 들의 장축방향이 사면의 방향과 일치하고, tor나 block stream 등을 쉽게 관찰할 수 있다. 토양의 성분은 silt >sand >clay의 순으로 분포하며 silt질이 높은 토양과 angular, sub-angular 수준의 원마도 및 illite를 중심으로 하는 1차 점토광물의 높은 피크와 빈도를 보인다. 사면의 상부에는 단애가 위치하고 사면의 중 하부에 지석묘가 분포하는 바, 상석 및 주변 암석과 토양시료의 규반비, 규철반비, CIA등의 풍화지수를 구하여 살펴본 결과 한랭습윤한 환경에서 동결융해의 반복으로 기계적 풍화가 우세하였으며 화학적 풍화가 진전되지 못한 환경이었음을 파악하였다. 지석묘 축조에 사용된 암석은 solifluction과 같은 mass movement에 의해 사면의 아래로 이동하여 제 위치에 놓여 진 것을 청동기인들이 이용한 것으로 보이며, 지석묘를 축조하는 과정도 사면의 상부에 놓여 진 암괴를 이동하지 않고 암괴의 하부를 파내고 굄돌을 돌려가며 먼저 받친 후, 남은 흙을 파내어 유구를 넣고 막음돌로 막은 후 흙으로 덮은 것으로 추정하였다.

CBCT 기반 폐 종양 정위 신체 방사선 요법(SBRT)에서 치료 전·후 set up 에러의 정확도 평가 (Accuracy Evaluation of Pre- and Post-treatment Setup Errors in CBCT-based Stereotactic Body Radiation Therapy (SBRT) for Lung Tumor)

  • 장은성;최지훈
    • 한국방사선학회논문지
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    • 제15권6호
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    • pp.861-867
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    • 2021
  • SBRT는 1회나 또는 3~5회에 걸쳐 치료 Fraction이 30분에서 최대 1시간 걸리므로 치료 중 자세오차가 발생할 가능성이 있다. 이러한 set-up의 오차를 줄이고 정확한 선량을 주기위해 SBRT 환자 치료 시 치료 전 CBCT를 사용하여 보정 후 좌표 값들을 적용하여 치료한 값과 치료 후 긴 치료시간으로 인해 자세 움직임 여부를 확인하기 위해 다시 CBCT를 촬영하여 치료 전.,후 오차 값들의 유용성을 평가하고자 한다. 계통오차 범위는 평균적으로 X, Y, Z축에서 0.032~0.17 cm으로 나타나 치료 후에도 움직임의 변화가 매우 적음을 확인하였다. 호흡동조에 의한 종양 중심체 변화 (±SD)는 X, Y 및 Z 방향에서 0.11(±0.12) cm, 0.27(±0.15) cm, 0.21cm(±0.31cm)였다. 종양 에지 (±SD)은 각각 X, Y및 Z 방향에서 0.21(±0.18) cm, 0.30(±0.23) cm, 0.19cm(±0.26) cm이었다. 종양 교정된 변위의 (±SD)은 각각 RL, AP 및 SI 방향에서 0.03(±0.16) cm, 0.05(±0.26) cm, 0.02(±0.23) cm이었다. 3차원 벡터 값의 범위는 치료 전과 CBCT를 비교했을 때 평균적으로 0.11~0-.18 cm 교정된 셋업 오차는 0.3 cm 이내에 있음을 확인하였다. 따라서, 일부 나이가 많은 환자, 치료 당일 컨디션, 체형에 따라 다소 값들의 변화가 있었지만 유의 범위 내에 있음을 확인하였다.

EFG 방법으로 성장한 β-Ga2O3 단결정의 영역별 품질 분석 (Spatial variation in quality of Ga2O3 single crystal grown by edge-defined film-fed growth method)

  • 박수빈;제태완;장희연;최수민;박미선;장연숙;문윤곤;강진기;이원재
    • 한국결정성장학회지
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    • 제32권4호
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    • pp.121-127
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    • 2022
  • 초광역대 반도체인 β-Ga2O3은 고전력 반도체 소재에 대한 유망한 응용으로 인해 큰 주목을 받고 있다. 5가지 다른 다형 중 가장 안정적인 상인 β-Ga2O3는 4.9 eV의 넓은 밴드갭과 8 MV/cm의 높은 항복 전계를 갖는다. 또한, 이는 용융 소스로부터 성장될 수 있어 전력반도체용 SiC, GaN 및 다이아몬드와 같은 다른 와이드 밴드갭 반도체보다 더 높은 성장률과 더 낮은 제조 비용으로 성장이 가능하다. 이 연구에서 β-Ga2O3 단결정 성장은 EFG(edge-defined film-fed growth) 방법에 의해 성장되었다. 성장 방향과 주면을 각각 β-Ga2O3 결정의 [010] 방향과 (100)면으로 성장하였다. Raman 분석의 스펙트럼으로 β-Ga2O3 잉곳의 결정상과 불순물을 확인하였고, 고해상도 X선 회절(HRXRD)을 이용하여 결정 품질과 결정 방향을 분석하였다. 또한 EFG 방법으로 성장한 β-Ga2O3 리본형태의 잉곳을 각 위치별로 결정 품질과 다양한 특성을 체계적으로 분석하였다.

GaAs기판의 orientation에 따른 InGaP/InAlGaP 이종접합 태양전지의 소자 특성에 대한 연구

  • 김정환
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.333-333
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    • 2016
  • 현재까지 가장 높은 광전류 변환 효율을 나타내는 III-V 화합물 반도체의 다중접합 태양전지 대신 이보다 단순한 에피구조를 가진 단일셀 이종접합구조의 태양전지를 제안하였다. 이를 한국나노 기술원에서 MOCVD(Metalorganic Vapour Phase Epitaxy) 장비를 이용하여 에피구조를 성장하고 태양 전지를 제작해 그 특성을 조사하였다. 태양 전지는 서로 다른 orientation의 두 GaAs 기판에 각각 동일한 에피 구조로 성장되었다. GaAs 기판은 Si 도핑된 n-type 기판으로 (100) 표면이 <111>A 방향으로 2도 off 된 웨이퍼와 10도 off 된 웨이퍼가 사용되었다. 연구에서 시뮬레이션에 사용된 태양전지의 에피 구조는 맨 위 p-GaAs (p-contact 층), p-InAlP, p-InGaP의 광흡수층과 N-InAlGaP 층과 아래의 n-InAlP와 n-GaAs의 n-contact층으로 이루어져있다.태양전지는 $5mm{\times}5mm$의 면적을 가지고 있다. 그림 1은 전류-전압의 측정된 결과를 나타낸 그래프이다. 태양전지는 1 sun 조건하에서 probe를 이용해 측정되었다. 2도 off GaAs 기판 위에 성장시킨 태양전지에서는 3.7mA의 단락전류값이, 10도$^{\circ}$ off 인 샘플에서는 4.7mA의 단락전류값이 측정되었다. 반면에 전류-전압곡선으로부터 얻은 10도 off 인 태양전지의 직렬 저항값은 2도 off 인 태양전지의 약4배 정도로 나타났다. 이는 기판의 결정방향에 따라 태양전지의 내부 전하 transport에 차이가 있음을 나타낸다. TLM (Transmission Line Model) 방법에 의한 p-contact의 ohmic저항 측정에서도 이와 일치하는 결과를 얻었다.

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