• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 1999.05a
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• pp.30-33
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• 1999

본 연구에서는 Pt/f4-SiC Schottky barrier diodes(SBDs)의 소자 성능향상과 미세구조와의 상관관계를 규명하였다. 다른 열처리 온도구간에 따른 금속/SiC 계면의 미세구조 평가는 X-ray scattering법을 사용하여 분석하였다. 소자의 역 방향 특성은 열처리 온도가 증가함에 따라 저하되었다. As-deposited와 $850^{\circ}C$ 온도에서 열처리된 소자의 최대 항복전압은 각각 1300 V와 626 V 이었다. 그러나, 소자의 순방향 특성은 열처리 온도가 증가함에 따라 향상되었다. X-ray scattering법으로 >$650^{\circ}C$ 이상의 열처리 온도에서는 Pt/SiC 계면에서 Pt-silicides가 형성되었고, 이러한 Silicides의 형성이 Pt/SiC 계면의 평활도를 증가시킨 원인이 됨을 보였다. SBDs의 순방향 특성은 열처리 과정동안 Pt/SiC 계면에서 형성된 silicides의 결정성에 강하게 의존함을 알 수 있었다.

• Journal of Korea Foundry Society
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• v.8 no.4
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• pp.453-458
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• 1988

Al-Si alloy powder produced by the gas atomizer showed fine eutectic structure between ${\alpha}-dendrites$, that was grown by coupled growth, and there remained small amount of ${\alpha}$ in Al - 20 wt% Si alloy. The morphology of Si in the eutectic structure was largely influenced by the recalescence caused by solidification latent heat, and that was thought to be due to decrement of the surface energy of Si. In modified eutectic Si by rapid solidification, fine twin about $0.01\;{\mu}m$ was observed and growth direction of eutectic Si was <112>. This fact implied that the growth mechanism of eutectic Si in rapid solidification was related to TPRE mechanism. Due to rapid solidification Si was soluble in ${\alpha}-phase$ in Al - 12.6wt%Si alloy up to about 3.4wt%, and the solubility of Si in ${\alpha}-phase$ reaches the equilibrium solubility stare after 60min, holding when it was held isothermally at $253-296^{\circ}C$.

• Journal of Korean Ophthalmic Optics Society
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• v.3 no.1
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• pp.15-19
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• 1998

The purpose of this study, when one prepared lead zirconate thin films by sol-gel method, was to find the preferred direction of crystal growth and dielectric characteristics for ratio of Pb and Zr. We used the Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrate, and annealing condition was $800^{\circ}C$ for lminute. When Pb was deficient, preferred direction was <221>. And when it was stoichiometric ratio, they were grown <200> and <221> direction. But they have antiferroelectric properties, they don't appear distinct domain switching.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.7 no.3
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• pp.134-139
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• 1997

Magneto-impedence (MI) were measured in amorphous $Co_{66}Fe_4NiB_{14} Si_{15}$ ribbons at 100 kHz as a function of the angle from ribbon axis. The samples were prepared using etching method, with the angle deviated from ribbon axis, 0$^{\circ}$, 30$^{\circ}$, 45$^{\circ}$, 60$^{\circ}$ and 90$^{\circ}$. The MI measured in 60$^{\circ}$ sample increased with the increasing magnetic fields. The dip in profile appears at H = 0 above the angle of 30$^{\circ}$. The maximum values of MI and their dips are increased with the cutting angle, but the maximum value of MI decreased at 90$^{\circ}$. The increase of MI with the angle was analyzed in terms of the transverse magnetic permeability.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.190-190
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• 2003

현재 a-Si TFT는 평판 디스플레이 소자로서 주로 사용되고 있으나 점차 고속응답속도 특성, 고화질이 요구됨에 따라 높은 전계효과 이동도를 가진 poly-Si TFT로 대체하기 위한 연구가 진행되고 있으며 특히 poly-Si TFT를 상용 유리 기판에 적용하기 위해 비정질 실리콘의 저온 결정화에 대한 연구가 활발히 진행 되고 있다. 본 연구에서는 극박막의 Ni을 선택적으로 증착하여 전계 유도방향성 결정화 (Field Aided Lateral Crystallization : FALC) 공정을 이용하여 결정화를 진행하였으며 전계를 인가하지 않은 경우와 전계를 인가한 경우, 전계 세기에 따른 결정화에 대하여 비교하였다.

• Journal of the Korean Electrochemical Society
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• v.16 no.1
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• pp.1-8
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• 2013

This review article summarizes metal-assisted chemical etching (MAC etch or MACE), an anisotropic etching method for Si, and describes principles, main factors, and recent achievements in literature. In 1990, it was discovered that, with metal catalyst on surface and $H_2O_2$/HF as etchant, Si substrate can be etched anisotropically, in even in solution. In contrast to high-cost vacuum-based dry etching methods, MAC etch enables to fabricate a variety of high aspect ratio nanostructures through wet etching process.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.1
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• pp.51-59
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• 1995

(001)방향 GaAs 기판과 Si/Co 박막의 계면반응 및 상평형에 관한 연구를 300-$700^{\circ}C$ 열처리 구간에서 행하였다. 반응에 의한 상전이 과정은 glancing angle X-ray diffraction(GXRD), Auger electron spectroscopy(AES) 및 cross-sectional transmission electron microscopy(GXRD), Auger electron spectroscopy(AES) 및 corss-sectional transmission electron microscopy(XTEM)을 이용하여 분석하였다. Si/Co/GaAs계의 계면반응에서 Co는 $380^{\circ}C$에서 GaAs 기판 및 Si와 반응하여 Co2GaAs과 Co2Si상을 형성하였다. $420^{\circ}C$에서 열처리 후, Co층은 모두 소모되었으며 단면구조는 Si/CoSi/CoGa(CoAs)/Co2GaAs/GaAs으로 전이되었다. $460^{\circ}C$까지 온도를 올려 계속적인 반응을 일으키면 CoGa와 CoAs이 분해되면서 CoSi가 성장하였고, $600^{\circ}C$에서는 Co2GaAs마저 분해되고 CoSi상이 성장하여 GaAs와 계면을 형성하였다. CoSi와 GaAs사이의 계면은 $700^{\circ}C$의 고온까지 안정하였으며 이러한 계면반응 결과는 계산에 의하여 구한 Si-Co-Ga-As 4원계 상태도로부터 이해될 수 있었다.

• 대한방사선방어학회:학술대회논문집
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• 2011.11a
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• pp.378-379
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• 2011

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.11 no.1
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• pp.50-58
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• 2002

The growth of GaN films on Si substrate has many advantages in that Si is less expensive than sapphire substrate and that integration of GaN-based devices with Si substrate is easier The difference of lattice constant and thermal expansion coefficient between GaN and Si is larger than those between GaN and sapphire. However, which results in many defects into the grown GaN. In order to obtain high duality GaN films on Si substrate, we need to reduce defects using the buffer layer such as AlN. In this study, we prepared three types of AlN buffer layer with various crystallinity on Si (111) substrate using MOCVD, Sputtering and MOMBE methods. GaN was grown by MOCVD on three types of AlN/Si substrate. Using TEM and XRD, we carried out comparative investigation of growth and properties of GaN deposited on the various AlN buffers by characterizing lattice coherency, crystallinity, growth orientation and defects formed (voids, stacking faults, dislocations, etc). It is found that the crystallinity of AlN buffer layer has strong effects on growth of GaN. The AlN buffer layers grown by MOCVD and MOMBE showed the reduction of out-of-plane misorientation of GaN at the initial growth stage.

• 한국IT서비스학회:학술대회논문집
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• 2003.05a
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• pp.83-94
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• 2003

본 연구는 국내외를 막론하고 SI 기업의 R&D에 대한 학문적 연구가 거의 이루어지지 않은 상태에서, 국내 대형 SI 기업들이 World Class SI로 성장하는데 견인차가 되도록 최초로 SI 기업의 R&D 모델을 제시하고 있다. 현재 날로 치열해 지는 SI 시장환경에 비추어 볼 때 향후 국내 대형 SI 기업들간의 보다 치열한 경쟁은 물론이고 국내외에서 선진 IT 서비스 기업들과 경쟁이 예상된다. 본 연구에서는 국내 대형 SI 기업들이 선진 IT 서비스 기업과의 경쟁에서 살아 남으려면 핵심 경쟁력을 확보해야만 하며, 이에 대한 방안으로 연구개발의 강화를 제시한다. 즉, SI 기업은 R&D를 통해 빠르고 복잡하게 변화하는 IT 기술을 적시에 도입하여 실제 프로젝트에 적용하고, 기존의 기술 및 프로세스의 개선을 통해 생산성을 향상시키며, 궁극적으로는 새로운 서비스 모델 개발을 통해 가치를 창출하는 목적을 달성할 수 있다. 이를 위해 R&D는 부가가치 창출, 미래혁신 주도, 신기술의 검증/평가/확산 담당, 응용기술의 표준획득 및 특허취득, 프로세스와 품질의 일관성과 효율성을 확보하는 역할을 해야 한다. 이러한 R&D 역할을 효율적, 효과적으로 수행하기 위해서는 중앙 R&D와 사업부 R&D를 동시에 운영하는 Hybrid Organization을 제안하고 있다. 또한 국내 대형 SI 기업의 R&D 담당자들과 설문, 인터뷰를 통해 본 연구에서 제시한 모델의 현실 적용성을 살펴보고, 바람직한 R&D 방향성을 제시하고 있다.