• The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.14 no.3
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• pp.15-19
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• 2003

In This paper, we developed 1.96 GHz air gap type FBAR BPF using ZnO as piezoelectric sputtered by RF magnetron at room temperature. FBAR BPF was fabricated by sputtering bottom electrode (Al), ZnO as piezoelectric and top electrode (Mo) on Si wafer one by one with RF magnetron sputter, then Si was dry etched to make an air hole. XRD test result of fabricated FBAR BPF showed that ZnO crystal was well pre-oriented as (002) and sigma value of XRC was 1.018. IL(Insertion loss) showed excellent result as 1 dB.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.340-340
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• 2012

최근 MOS 소자들이 게이트 산화막을 Mono-layer가 아닌 Multi-Layer을 사용하는 추세이다. Bulk와 High-k물질간의 Dangling Bond를 줄이기 위해 Passivation 층을 만드는 것을 예로 들 수 있다. 이러한 Double Layer의 쓰임이 많아지면서 계면에서의 Interface State Density의 영향도 커지게 되면서 이를 측정하는 방법에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 $SiO_2$ Double Layer의 Interface State Density를 Conductance Method를 사용하여 구하는 연구를 진행하였다. Wet Oxidation과 Chemical Vapor Deposition (CVD) 공정을 이용하여 $SiO_2$ Double-layer로 증착한 후 Aluminium을 전극으로 하는 MOS-Cap 구조를 만들었다. 마지막 공정은 $450^{\circ}C$에서 30분 동안 Forming-Gas Annealing (FGA) 공정을 진행하였다. LCR meter를 이용하여 high frequency C-V를 측정한 후 North Carolina State University California Virtual Campus (NCSU CVC) 프로그램을 이용하여 Flatband Voltage를 구한 후에 Conductance Method를 측정하여 Dit를 측정하였다. 본 연구 결과 Double layer (Wet/CVD $SiO_2$)에 대해서 Conductance Method를 방법을 이용하여 Dit를 측정하는 것이 유효하다는 것을 확인 할 수 있었다. 본 실험은 앞으로 많이 쓰이고 측정될 Double layer (Wet/CVD $SiO_2$)에 대한 Interface State Density의 측정과 분석에 대한 방향을 제시하는데 도움이 될 것이라 판단된다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.10a
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• pp.65-66
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• 2006

AIGaN/GaN 고전자 이동도 트랜지스터 (High Electron Mobility Transistors, HEMTs)는 와이드 밴드-갭과 높은 항복 전계 및 우수한 채널 특성으로 인해 마이크로파 응용분야와 전력용 반도체에서 각광받고 있다. 최근, 전력 응용분야에서 요구되는 높은 항복 전압과 출력, 우수한 주파수 특성을 획득하기 인해 이중 게이트 AIGaN/GaN HEHTs에 관한 연구가 발표되고 있다. 본 논문에서는 AIGaN/GaN HEMTs에 이중 게이트를 적용하여, 두 개의 게이트와 드레인, 소스의 누설 전류를 각각 측정하여 이중 게이트 AIGaN/GaN HEMTS의 누설 전류 메커니즘을 분석하였다. 또한 제안된 소자의 $SiO_2$ 패시베이션 전 후의 누설 전류 특성을 비교하였다. $SiO_2 $ 패시베이션되지 않은 소자의 누설 전류는 드레인, 소스와 추가 게이트로부터 주 게이트로 흐른 반면, 패시베이션 된 소자 누설 전류는 드레인으로부터 주 게이트 방향의 누설 전류만 존재하였다. $SiO_2$ 패시베이션 된 소자의 누설 전류는 (87.31 nA ) 패시베이션 되지 않은 소자의 누설 전류 ( $8.54{\mu}A$ )에 비해 의게 감소하였다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.4 no.3
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• pp.238-244
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• 1994

We investigated solution growth of silicon on borosilicate and quartz glass substrates in the temperature range of $800^{\circ}C~520^{\circ}C$. A thin Al-Si layer evaporated onto the substrate serves to improve the wetting between the substrate and the Al/Ga solvent. Nucleation takes place by a reaction of Al with $SiO_2$ from the substrate. We obtained silicon deposits with a grain size up to a few 100 $\mu\textrm{m}$. There was a perferential (111) orientation for the case of quartz glass substrates while there is a strong contribution of other orientations for the deposition of Si on borosilicate glass substrates.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.387-387
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• 2012

결정 Si 및 비정질 Si 태양전지는 환경친화적이며 안정적인 물질로 전력변환 및 에너지 저장 장치에 중요하기 때문에 연구가 활발하게 진행되고 있다. 고효율 Si 태양전지를 제작하여 상용화하기에는 여러 가지 문제점이 있다. 공기와 비교하여 높은 굴절률을 갖고 있기 때문에 발생하는 반사를 줄이기 위해서 필요한 무반사 코팅층(Anti-reflective coating; ARC)은 주로 SiO2 와 SiNx 와 같은 유전체를 이용하여 사용하지만 이들 ARC 증착은 PECVD와 같은 진공장비를 사용하므로 제작 비용이 높아지는 단점이 있다. 나노선 또는 나노 팁과 같은 sub-wavelength 구조를 표면에 만들어 반사율을 줄이는 작업을 통해 ARC 공정비용을 감소하고 효율을 증진하는 연구가 활발히 진행되고 있다. CdS 양자점을 태양전지 표면에 형성함으로 ARC로 해결할 수 없는 단파장영역에 해당하는 부분을 줄이는 연구가 진행되었으며, 비정질의 경우 원기둥 형태의 태양전지 형태와 더불어 지름 방향으로의 PN 접합 나노로드 배열을 만들어 흡수면을 증가하여 효율을 증가한 연구도 진행되었다. 태양전지 표면의 형태를 V-groove 형태로 형성하여 입사하는 태양전지의 광밀도를 증가하는 이론적 결과도 발표되었다. 본 연구에서는 Si 태양전지의 표면변형에 따른 태양전지의 전력변환효율의 변화를 관찰하기 위하여 태양전지 표면의 texture 지름을 $3{\sim}15{\mu}m$, 간격을 $5{\sim}20{\mu}m$로 변화하고, 태양전지 표면의 나노 패턴을 2~10 nm 로 변화하여 반사율과 전력변환효율을 비교하였다. 나노와 마이크로 패턴은 각각 polystyrene nanosphere 와 photo mask를 이용하여 제작하였으며 PN junction Si 태양전지는 spin on dopant 방식으로 제작하여 성능을 조사하였다.

• Membrane Journal
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• v.28 no.1
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• pp.37-44
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• 2018

Polysulfone composites including graphene were prepared, and their thermal characteristics in membrane states were analyzed by using a custome-made residual stress analyzer and a thermal diffusivity analyzer based on laser flash method. The residual stress analysis was carried out on the polysulfone composite films deposited on Si (100) substrates for 1 cycle of heating and cooling runs. The flat membrane of graphene-embedded polysulfone composites were prepared by the phase transfer method in distilled water and the thermal conductivity was separately measured in the out-of-plane and the in-plane directions. The residual stress of the graphene-embedded polysulfone film was gradually decreased with increasing graphene loading and the out-of-plane thermal conductivity was distinguished from the in-plane thermal conductivity in the flat membranes. These thermal characteristics are caused by the structural uniqueness of graphene and the micro-void structures formed during membrane fabrication.

• The Journal of the Petrological Society of Korea
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• v.9 no.4
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• pp.205-210
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• 2000

Measurements of phase identification and degree of orientation for fine-grained (about 0.3 mm in diameter) minerals in rock samples performed by micro-area X-ray diffractometer.$Al_{2}SiO_{5}$ polymorphs (andalusite, kyanite and sillimanite) were chosen for the measurements and target minerals were existed on thin sections. Micro-area X-ray diffractometer is composed of 3(${\omega}\;{\chi}\;{\phi}$)-circle oscillating goniometer and position sensitive proportional counter (PSPC). $CuK_{\alpha}$ radiation was used as X-ray source and a pin hole ($50\;\mu\textrm{m}$$ in diameter) collimator was selected to focus radiation X-ray onto the target minerals. Phase identification and diffracted X-ray peak indexing were carried out by 3(${\omega}\;{\chi}\;{\phi}$)-circle oscillation measurement. Then, 2(${\omega}\;{\phi}$)-circle oscillation measurement was made for the purpose of searching the prevailing lattice plane of the minerals on thin section surface. Finally, for a selected peak by 2-circle oscillation measurement, X-ray pole figure measurement was executed for the purpose of check the degree of orientation of the single lattice direction and examine its pole distribution. As a result of 3-circle oscillation measurement, it was possible that phase identification among $Al_{2}SiO_{5}$ polymorphs. And from the results of 2-circle oscillation measurement and X-ray pole figure measurement, we recognized that poles of andalusite (122), kyanite (200) and sillimanite (310) lattice plances were well developed with direction normal to each mineral surface plane respectively. Therfore, the measurements used with micro-area X-ray diffractometer in this study will be a useful tool of phase identification and degree of orientation measurement for fine-grained rock forming minerals.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.31 no.4
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• pp.149-153
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• 2021

ε-Ga₂O₃ thin films were grown on 4H-SiC substrates by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) and crystalline quality were evaluated depend on growth conditions. It was found that the best conditions of the ε-Ga₂O₃ were grown at a growth temperature of 665℃ and an oxygen flow rate of 200 sccm. Two-dimensional growth was completed after the merge of hexagonal nuclei, and the arrangement direction of hexagonal nuclei was closely related to the crystal direction of the substrate. However, it was confirmed that crystal structure of the ε-Ga₂O₃ had an orthorhombic rather than hexagonal. Crystal phase transformation was performed by thermal treatment. And a β-Ga₂O₃ thin film was grown directly on 4H-SiC for the comparison to the phase transformed β-Ga₂O₃ thin film. The phase transformed β-Ga₂O₃ film showed better crystal quality than directly grown one.

• Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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• 2008.05a
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• pp.524-528
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• 2008

도류제 완성 후에 대한 100년 빈도 홍수시의 흐름(유향과 유속)을 기초로 하여 수치모형실험 결과의 일례를 그림에 나타내었다. 초록에는 오염물질 확산 수치모형실험결과를 시간별로 나타내지안했지만, 오염물질 확산에 대한 수치모형실험의 일반적인 결과를 평가하면 아래와 같다. 우선 흐름은 임랑해수욕장 방향으로 형성되고 청정지역인 방향에서는 남측도류제 설치전보다 복잡한 와류가 형성되어 청정지역 방향으로의 흐름은 미약하다. 모델하천의 빈도별 유출량이 증가함에 따라 큰 변화는 없고, 흐름은 모델하천 하구부 전면해역의 외해 방향으로 형성되며 빈도에 따른 흐름방향의 변화는 거의 없다. 보존성 오염물물 확산 계산 결과를 보면 평수시의 오염물질 영향범위는 양안에 도류제가 완성됨으로 인해 확산이 차단되어 도류제 내부의 오염물의 농도가 가중되고 도류제 전면해역으로의 오염물질의 확산범위가 확대됨을 알 수 있다. 모델하천의 빈도별 유출량이 증가함에 따라 오염물질의 농도가 일정하게 유지될 때 초기유출(3시간)에는 도류제 전면해역의 외해 방향으로의 오염물질 확산이 가속화 되며, 확산범위도 점차 확대된다. 오염물질의 농도가 감소하여 모델하천으로 부터의 오염물질 배출이 감소할 경우(15-24시간)는 오염물질 농도가 점차적으로 저감되며 청정지역으로 확산이 지연됨을 알 수 있다.

• Journal of Korea Foundry Society
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• v.14 no.6
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• pp.514-519
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• 1994

일방향 응고법을 이용하여 텔루리움(Te)이 Fe-C-Si 합금 즉 주철의 응고시 흑연의 형태에 미치는 영향을 관찰하였다. Te이 산소와의 반응성향이 큼을 감안하여 수소 및 아르곤으로 응고분위기를 조절함으로써 각각의 분위기에서 나타나는 Te의 영향을 비교 분석하였다. 그 결과 아르곤 분위기에 비하여 수소분위기에서 Te의 효과가 현저하였으며, 이것은 수소가 산소의 영향력을 억제하여 Te의 산화를 방지함에 기인하는 것으로 판단되었다. 수소 분위기 하에서 Te의 효과가 극대화되었을 경우 희주철 조직은 응고속도가 극히 낮은 때에만 얻어졌으며, 미세한 편상(片狀)흑연이 평면형 응고선단을 형성하며 열전달이 일어나는 반대 방향을 따라 성장함으로써 지금까지 볼 수 없었던 독특한 조직이 관찰되었다.