• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 1996.11a
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• pp.207-213
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• 1996

A ternary compound semiconductor $Al_{x}$-Ga/1-x/Sb crystals which have energy gap from 0.7eV to 1.6ev at room temperature with the composition ratio were grown by using the vertical Bridgman method. The characteristics of $Al_{x}$-Ga/1-x/Sb were investigated in this study. The lattice constants of $Al_{x}$-Ga/1-x/Sb crystals with the composition ratio were appeared from 6.096$\AA$ to 6.135$\AA$ with the composition ratio. The electrical properties of the $Al_{x}$-Ga/1-x/Sb crystals measured the Hall effect by van der Pauw method at the magnetic field of 3 kilogauss and at room temperature. The resistivity of Te-doped $Al_{x}$-Ga/1-x/Sb crystals increased from 0.771 $\Omega$-cm to 5 $\Omega$-cm at room temperature with increasing the composition ratio. The mobility of Te-doped $Al_{x}$-Ga/1-x/Sb crystals varied with the composition ratio x, within the following three different regions, such as GaSb-like (0$\leq$x$\leq$0.3), intermediate (0.3$\leq$x$\leq$0.4) and AlSb-like (0.4$\leq$x$\leq$1).eq$1).

• Herbal Formula Science
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• v.16 no.2
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• pp.155-162
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• 2008

Objectives : The present study was designed to investigate corelation between mix proportion of Scutellaria baicalensis (SB) and Coptis chinensis (CC) on lipopolysaccharide (LPS)-induced TYPE-1 interferon production. Methods : I examined TYPE-1 interferon, interferon regulating factor (IRF)-1,7 and interleukin(IL)-10 production on LPS-induced RAW264.7 cells to evaluate inhibitory effect of mix proportion of SB and CC using real time PCR. Results : Mixture of SB and CC regulated TYPE-1 interferon and IRF-1,7 mRNA expression with SB dose dependent manner, while maintained IL-10 mRNA expression on LPS-induced RAW264.7 cells. Conclusion : In mixture of SB and CC, SB plays a key role in reducing TYPE-1 interferon through inactivation IRF-1,7. Furthermore mixture of SB and CC maintained IL-10 mRNA level. Collectively, this results suggest that SB confer beneficial effects in autoimmune diseases clinically.

• Proceedings of the PSK Conference
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• 2002.10a
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• pp.233.3-234
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• 2002

SB31, an extract of Pulsatilla koreana, has been tried as an antitumor agent by traditional medicine pratitioner in Korea for the past 30 years, SB31 was evaluated for cytotoxic and antitumor activity against a variety of cancer cell lines. The SB31 exhibited 5-6 fold less cytotoxic activity against normal mononuclear cells (ED$\sub$50/. 1.1 mg/$m\ell$) than against cancer cell lines (ED$\sub$50/ 0.14-0.19mg/$m\ell$). (omitted)

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.308-308
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• 2011

6.48 ${\AA}$의 격자 상수를 갖는 InSb 물질은 0.17 eV의 낮은 에너지 밴드갭과 78,000 cm2/Vs의 전자 이동도를 갖는 물질로서 고속의 자성 센서소자, 장파장의 광 검출기 그리고 고속 전자소자 등의 분야에서 많은 주목을 받고 있다. 그러나, 전기적 특성이 우수한 InSb 물질을 소자로 구현하는데 있어서 큰 어려움이 있다. InSb와 격자 크기가 잘 맞으면서 절연이 우수한 기판의 부재가 가장 큰 문제가 되는 부분이다. 즉, 격자 부정합을 최소화하며 동시에 절연기판을 사용함으로써 소자의 특성을 잘 살려야 하는 것이다. 이러한 이유로 인하여 InSb 기반의 소자가 널리 사용되지 못하고 있는 것이다. 현재 범용으로 사용하고 있는 기판은 격자 부정합이 14%인 GaAs, 11%의 InP 그리고 18%의 Si 등이 있다. 이번 발표에서는 GaAs 기판 위에 격자 부정합을 최소화하여 InSb 박막을 최적화 시켜 성장하는 방법에 대해서 소개하고자 한다. InSb 박막 성장하는데 있어 논문으로 보고된 여러 가지 방법들이 있다. 기판과의 격자 부정합을 줄이기 위하여 저온-고온 (L-T)의 의한 메타몰픽(metamorphic) buffer 층을 성장 후 InSb 박막을 성장하는 방법[1] 그리고 단계별 buffer를 성장하는 방법[2] 등을 통해서 많은 진보가 있었다. 하지만, 우리는 GaAs 기판 위에 AlSb 박막을 성장 하면서 동시에 In과 Al의 양을 서서히 변화시키는 grading 기술을 사용하였다. 즉, 물질 각각의 격자상수를 고려하여 GaAs (기판)-AlSb-InAlSb-InSb로 변화를 주어 격자 부정합이 최소가 되도록 하여 만들어진 buffer 위에 InSb 층이 만들어 지도록 하여 GaAs 기판 위에 InSb 박막을 성장 할 수 있었다. grading 기술을 이용하여 만들어진 buffer 위에 성장된 0.3 um의 InSb 박막 층은 상온에서 전자 이동도가 약 38,000 cm2/Vs에 이르는 것을 확인하였다. InSb 박막의 두께가 약 1 um 되어야 30,000 cm2/Vs 이상의 전자 이동도를 얻을 수 있다고 많은 논문을 통해서 보고 되고 있으나 우리는 단지 0.3 um의 InSb 박막두께에서 이와 같은 전기적인 특성을 확인하였기에 이상과 같이 보고 하고자 한다.

• Journal of the Mineralogical Society of Korea
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• v.4 no.2
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• pp.141-146
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• 1991

Minerals of system Ag-Sb have been found in iead-zinc (-silver) ores from the Dongjeom and the Taebaeg ore deposits, which were formed at later stage of the Yeonhwa 1 mine mineralization. The Ag-Sb minerals are intergrown intimately with galena, pyrargyrite and alabandite. Their chemical compositions as determined by electron microprobe analyser show that they are chracterized by relatively high content of S, up to 5.89 atomic percent. Also the composition of the minerals may be separated into two: Ag3.89 Sb1.00-Ag7.19 Sb1.00 and Ag2.96 Sb1.00-Ag4.00 Sb1.00.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.7 no.2
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• pp.379-386
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• 1996

Photosensitive compound, 1-methyl-4-[2-(4-diethylacetylphenyl)ethenyl] pridinium methosulfate(SbQ-A salt), was synthesized from dimethyl sulfate, terephthalaldehyde mono-(diethylacetal) and 4-picoline. SbQ-A salts were reacted with poly(vinyl alcohol)s, (PVA) in aqueous solution with phosphoric acid as catalyst to give photosensitive PVA-SbQ with different SbQ content and molecular weight. Relative photosensitivity of PVA-SbQ was determined by gray scale(GS) method. The rotative sensitivity of PVA-SbQ increased with increasing amount of bound SbQ in the case of high molecular weight(MW=77,000-79,000g/mol) as substrate and decreased with decreasing molecular weight of PVA with about constant(1.3mol%) amount of bound SbQ. The most sensitive polymer was obtained when SbQ group content in PVA-SbQ reached about 2.63mol% in the case of high molecular weight(77,000-79,000g/mol) PVA. This sample showed 90 times greater sensitivity than dichromated PVA as reference photosensitive system. PVA-SbQ photosensitive polymer synthesized was applied to the photolithographic screening process of phosphor on the panel of cathode ray tube(CRT). Phosphor slurry was made with PVA-SbQ, phosphor, a small amount of surfactant and other additives using water as medium. The slurry was coated onto panel, dried by heater, exposed to UV light and then developed by distilled water. When a small amount of cationic surfactant such as cetyltrimethylammonium chloride was used in the slurry formulation, the sharpness of phosphor pattern was equal to or better than that of dichromated PVA photosensitive polymer system used currently.

• Journal of radiological science and technology
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• v.36 no.1
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• pp.39-47
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• 2013

For radiotherapy in rectal cancer patients treated with small bowel displacement device (SBDD) and belly board, We will suggest new indication of using SBDD depending on obesity index by analyzing correlation between obesity and irradiated small bowel volume. In this study, We reviewed 29 rectal cancer patients who received pelvic radiation therapy with belly board and SBDD from January to April in 2012. We only analyzed those patients treated with three-field technique (PA and both LAT) on 45 Gy (1.8 Gy/fx). We measured patients' height, weight, body mass index (BMI), waist-hip ratio (WHR) and divided BMI into two groups.(${\geq}23$:BMI=group1, <23:BMI=group2) We performed a statistical analysis to evaluate correlation between total volume of bladder($TV_{bladder}$), obesity index and high dose volume of small bowel (small bowel volume irradiated at 90% of prescribed dose, $HDV_{sb}$), low dose volume of small bowel (small bowel volume irradiated at 33% of prescribed dose, $LDV_{sb}$). The result shows, gender, WHR and status of pre operative or post operative do not greatly affect $HDV_{sb}$ and $LDV_{sb}$. Statistical result shows, there are significant correlation between $HDV_{sb}$ and BMI (p<0.04), $HDV_{sb}$ and $TV_{bladder}$ (p<0.01), $LDV_{sb}$ and $TV_{bladder}$ (p<0.01). BMI seems to correlate with $HDV_{sb}$ but does not with $LDV_{sb}$ (p>0.05). There are negative correlation between $HDV_{sb}$ and BMI, $TV_{bladder}$ and $HDV_{sb}$, $TV_{bladder}$ and $LDV_{sb}$. Especially, BMI group1 has more effective and negative correlation with $HDV_{sb}$ (p=0.027) than in BMI group2. In the case of BMI group 1, $TV_{bladder}$ has significant negative correlation with $HDV_{sb}$ and $LDV_{sb}$ (p<0.04). In conclusions, we confirmed that Using SBDD with belly board in BMI group1 could more effectively reduce irradiated small bowel volume in radiation therapy for rectal cancer. Therefore, We suggest using belly board with SBDD in order to reduce the small bowel toxicity in rectal radiotherapy, if patients' BMI is above 23.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.31 no.11
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• pp.1396-1400
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• 1994

Electrical properties in the ZnO-Bi2O3-CoO-Zn7Sb2O12 system were investigated with Zn7Sb2O12 content (0.1~2 mol%). The increase of the Zn7Sb2O12 content inhibited the grain growth of ZnO, which showed a narrow grain size distribution of ZnO. The breakdown voltage (Vb) increased markedly with 1 mol% Zn7Sb2O12 addition due to the grain growth control behaviour of the Zn7Sb2O12 . The nonlinear I-V characteristic was significantly influenced by the Zn7Sb2O12 content (or Bi2O3/Zn7Sb2O12 ratio). Addition of 0.5 mol% Zn7Sb2O12 showed the highest nonlinear coefficient ($\alpha$) of 43. The leakage current in prebreakdown region was decreased with increasing Zn7Sb2O12 content.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.223-223
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• 2010

InSb 물질은 다른 III-V족 물질들과 비교해서 bandgap이 낮고 전자 이동도가 높아, 소자 구현 시 낮은 전압으로도 고속 동작 특성을 제어할 수 있다는 장점이 있다. 그러나 Si, GaAs 또는 InP 등 쉽게 구할 수 있는 기판과 격자 부정합이 커서 상기 기판에 성장시 많은 defect가 존재하는 단점이 있다. 그러므로 이를 상기 기판에 성장하는데 meta-morphic이라 불리는 성장 기술이 요구되는 어려움이 있다. 본 발표에서 Semi-insulating GaAs 기판위에 고품질의 InSb 박막을 성장하기 위해 grading buffer technique을 도입하며 이에 대한 여러 가지 비교실험과 함께 최적의 성장 방법과 기술에 대해 논의 한다. GaAs와 InSb 물질사이의 bandgap과 격자 부정합을 고려하여 AlSb 물질을 먼저 성장하면서 동시에 InxAl1-xSb로 변화를 주어 InSb 박막이 성장되도록 하였다. ($x=0{\rightarrow}1$). 성장 온도 변화 및 In과 Al의 조성비에 변화를 주어 grading 기법으로 성장하였고 상기 grading buffer위에 InSb 박막을 0.65um 성장하였다. $10um{\times}10um$ AFM 측정결과 2.2nm 정도의 표면 거칠기를 가지며 상온에서의 전자 이동도는 약 46, 300 cm2/Vs 이고 sheet electron density는 9.47(e11) /cm2의 결과를 확인하였다. 실험결과 InSb 박막을 올리는데 있어 가장 고려할 사항인 GaAs 기판과 InSb 박막 사이에 존재하는 격자 부정합을 어떻게 해결하는가에 대해서, 기존의 여러가지 방법과 비교해서 grading buffer 기술이 유효하다는 것을 증명하였다.

• Proceedings of the Korean Environmental Sciences Society Conference
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• 2008.11a
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• pp.482-487
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• 2008

성능이 우수한 다성분계 전극을 개발하기 위하여 Ru를 주 전극성분으로 Pt, Sn, Sb 및 Gd를 보조 전극성분으로 하여 3, 4성분계 전극의 성능과 산화제 생성량 및 전극 표면 분석을 행하여 다음의 결과를 얻었다. 1. 2분 동안 단위 W당 제거된 RhB 농토는 Ru:Sn:Sb=9:1:1 > Ru:Pt:Gd=5:5:1 > Ru:Sn=9:1 > Ru:Sn:Gd=9:1:1 > Ru:Sb:Gd=9:1:1로 나타났다. Ru:Sn:Sb=9:1.1 전극에서 발생하는 free Cl, ClO$_2$ 및 H$_2$O$_2$농도가 다른 전극보다 높은 것으로 나타나 산화제 생성경향과 RhB 분해율과는 상관관계가 있는 것으로 사료되었다. 4성분계 전극 중에서 Ru:Sn:Sb:Gd 전극의 성능이 가장 우수한 것으로 나타났으나 3성분계 전극인 Ru:Sn:Sb=9:1.1 전극보다 성능이 떨어지는 것으로 나타났다. Ru:Sn:Sb=9:1:1 전극에서 생성되는 산화제 농도가 다른 두 종류의 산화제 농도보다 높은 것으로 나타났고 4성분 전극의 경우 Ru:Sn:Sb:Gd 전극의 산화제 농도가 Ru:Sn:Sb:Gd 전극이 높거나 유사한 경우로 나타나 산화제 생성 경향과 RhB분해 능과는 상관관계가 있는 것으로 나타났다. 초기 RhB 분해 속도가 높은 전극의 COD 제거율도 높은 것으로 나타났다. OH 라디칼은 발생하지 않지만 염소계 산화제 농도가 높고 RhB제거율이 높아 Ru를 주 성분으로 한 전극의 RhB분해는 주로 간접 산화작용에 의한 것이며, 개발된 3, 4성분계 산화물 전극은 간접 산화용 전극임을 알 수 있었다. 에칭을 하기 전의 Ti판은 표면이 매끄러운 것으로 나타났으며, 35% 염산으로 에칭한 후의 Ti메쉬는 매우 거친 표면조직을 가지는 것을 관찰할 수 있었다. Ru:Sn:Sb=9:1:1 전극과 Ru:Sn:Sb:Gd 전극의 SEM 사진을 관찰한 결과 두 전극 모두 전극 물질이 균일하게 도포되어 있었으며, 두 전극 모두 열소성을 통해 전극 성분을 코팅할 때 발생하는 "mud crack"이 발생한 것이 관찰되었다 EDX 분석에서 Cl이 관찰되었는데, 전극 성분의 불완전 산화로 인한 비양론적 산화물 때문이며 이는 RhB 분해성능과 관련 있는 것으로 사료되었다.