• Journal of Soil and Groundwater Environment
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• v.14 no.6
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• pp.35-44
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• 2009

Naphthalene and TNT (2,4,6-trinitrotoluene) are defined by U.S. EPA as possible carcinogenic compounds known to have detrimental effects on the aquatic ecosystem and human body. There are, however, few researches on methods of analyzing micro-levels of naphthalene and TNT dissolved in groundwater. This study introduces and evaluates the newly developed analytical methods of measuring naphthalene and TNT in groundwater by using HPLC-FLD (Fluorescence detector) and MSD (Mass detector). The MDL, LOQ and salt effect of these methods, respectively, are compared with those of conventional methods which use HPLC-UV. For the analysis of naphthalene, HPLC-FLD was set in the maxima wavelength (Ex: 270 nM, Em: 330 nM) obtained from 3D-Fluorescence to be compared with HPLC-UV in 266 nM wavelength. The MDL ($0.3\;{\mu}g/L$) and LOQ ($2.0\;{\mu}g/L$) of naphthalene by using HPLC-FLD were approximately 80 times lower than those analyzed by HPLC-UV (MDL: $23.3\;{\mu}g/L$, LOQ: $163.1\;{\mu}g/L$). HPLC-MSD were used in comparison with HPLC-UV in 230 and 254 nM wavelength for the analysis of TNT. The MDL ($0.13\;{\mu}g/L$) and LOQ ($0.88\;{\mu}g/L$) of TNT analyzed by using HPLC-MSD were approximately 130 times lower than those obtained by using HPLC-UV in 230 nM (MDL: $16.8\;{\mu}g/L$, LOQ: $117.5\;{\mu}g/L$). The chromatogram of TNT analyzed by using HPLC-UV in 230 nM displayed elevated baseline as the concentration of ${NO_3}^-$ increases beyond 21 mg/L, while the analysis using HPLC-MSD did not demonstrate any change in baseline in presence of ${NO_3}^-$ of 63.7 mg/L which is 3.5 times higher than average concentration in groundwater. In conclusion, HPLC-FLD and HPLC-MSD may be used as suitable methods for the analysis of naphthalene and TNT in groundwater and drinking water. These methods can be applied to the monitoring of naphthalene and TNT concentration in groundwater or drinking water.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.45 no.2
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• pp.131-137
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• 2001

The protonation and stability constants of complexation of Zn(II), Cd(II) and Pb(II), Hg(II) ion with sulfur-containing podand ligands such as tri(phenylthio-2-ethy1)amine (Podand N$_1$S$_3$)tetra(phenylthio-2-ethyl)ethylenediamine (Podand N$_2$S$_4$) , tris(1-benzylaminoethyl)amine (Podand N$_4$) have been determined by potentiometric titration in 95% methanol at variable temperatures, From these studies, we observed that podand N$_4$ ligand showed the largest protonation constant. Protonation constant, stability constant, enthalpy, entropy of Zn(II), Cd(II) and Pb(II), Hg(II),ions increased with the following order podand N$_1$S$_3$$_2$S$_4$$_4$.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2002.11a
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• pp.109-113
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• 2002

본 연구에서는 공침법에 의한 초미세분말을 이용하여 제조된 (NiCuZn)-ferrite와 건식법을 이용하여 제조된 (NiCuZn)-ferrite의 저온소결 특성 및 전자기적 특성을 상호 비교 분석하였다. 조성은 (N $i_{0.4-x}$C $u_{x}$Z $n_{0.6}$)$_{1+w}$(F $e_2$ $O_4$/)$_{1-w}$에서 x의 값을 0.2, w의 값은 0.03으로 고정하였고, 소결은 공침법으로 합성된 분말의 경우 초기열처리과정을 거쳐 최종적으로 90$0^{\circ}C$에서, 건식법의 경우 11$50^{\circ}C$의 온도에서 진행하였다. 그 결과, 공침법으로 제조된 (NiCuZn)-ferrite는 건식법으로 제조된 (NiCuZn)-ferrite보다 20$0^{\circ}C$이상 낮은 소결온도에서 높은 소결밀도 값을 가졌으며, 품질계수 등 칩 인덕터에서 중요한 요소인 전자기적 특성이 우수하게 나타났다. 또한, 공침법으로 합성된 페라이트는 분말의 초기열처리온도에 따라 최종소결 특성이 크게 변하였다. 그밖에 공침법과 건식법으로 합성한 (NiCuZn)-ferrite의 결정성, 미세구조들을 XRD, SEM, TEM을 이용하여 비교 고찰하였다.하였다.다.

• The Korean Nurse
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• v.5 no.3 s.23
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• pp.81-85
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• 1966

• Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
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• 1998.10a
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• pp.38-39
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• 1998

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1998.02a
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• pp.107-107
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• 1998

GaN 에피택시 층의 전기적, 광학적 특성 및 표면 형상의 향상을 위한 전처리 공 정으로서 사파이어 기판의 질화 처리가 많이 행해지고 있는데 이는 표면에 질화 충올 형성시킴으로서 GaN 충과의 계면에너지 및 격자상수 불일치를 줄여 GaN 충의 성장을 촉진시킬 수 있기 때문이다 본 실험에서는 고 진공 하에서 유도 결합 플라즈마를 이용하여 사파이어 기판의 질화 처리를 행한 후 XPS와 AFM을 이용하여 기판 표면의 질소 조성과 표면 형상을 관찰하였다. 기판 표면의 질소 조성은 질소 가스의 유입량과 기판의 온도보다 칠화 시 간 및 RF-power에 의해 크게 좌우되나 표면 형상은 기판의 온도에 크게 영향올 받는 것으로 나타났다. 따라서 본 실험에서는 기판의 온도를 낮춤으로서 protrusion이 없는 매끈한 표면의 질화 충을 얻올 수 있었다. 핵생성 충의 성장 없이 450 oC의 저온에서 GaN 충올 성장시킨 결과 육방 대청성 의 wurtzite구조를 가지며 bas허 plane이 사파이어 기판과 in-plane에서 300 회전된 관계 를 갖고 있는 것올 XRD -scan으로 관찰하였다. 또한 GaN 충의 성장이 진행됩에 따라 결정성이 향상되고 있는 것이 뼈S ali맹ed channeling 실험올 통해 관찰되었으며 이는 G GaN 충의 두께 중가에 따라 결정성이 향상된다는 것올 의미한다 사파이어 기판의 질 화 처 리 시 간이 증가함에 따라 후속 성 장된 GaN 층의 bas외 pI뻐e에 대 한 XRD -rocking c curve의 반치폭이 감소하는 것으로 나타났는데 이는 기판의 표면이 질화 충으로 전환 됨에 따라 각 GaN island의 c-축이 잘 정렬됨올 의미한다. 또한 AFM으로 ~이 충의 표 면 형상올 관찰한 결과 기판의 질화 처리가 선행될 경우 lateral 방향으로의 G뼈 충의 성장이 촉진되어 큰 islands로 성장이 일어나는 것으로 관찰되었는데 이는 질화 처리가 선행될 경우 Ga과 N의 표면 확산에 대한 활성화 에너지가 감소되기 때문인 것으로 생 각된다 일반적으로 GaN 에피택시 충의 결정성의 향상과 lateral 생장올 도모하기 위하여 성장 온도를 증가시키지만 본 실험에서는 낮은 성장 온도에서도 결정성의 향상 및 l later빼 성장을 촉진시킬 수 있었으며 이는 저온 성장법에 의한 고품위의 GaN 에피택시 충 성장에 대한 가능성올 제시하는 것이다.

• Geophysics and Geophysical Exploration
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• v.5 no.4
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• pp.250-256
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• 2002

Resistivity tomography has become an important tool to image underground resistivity distribution. This method has been widely applied to site investigation for engineering and environmental purpose. In resistivity tomography, various electrode arrays can be used and each array has both merits and demerits. For example, the pole-pole array has high signal to noise ratio (S/N ratio), but its resolution is too low. The dipole-dipole array has low S/N ratio, but its resolution is very high. The Pole-dipole may has intermediate Snf ratio and resolution. The modified Pole-dipole array, recently proposed, shows reasonable S/N ratio and resolution, which are comparable to the pole-dipole array. These electrode arrays except the pole-pole array, however, have the problem that the apparent resistivity can diverge at some special electrode Positions. Also, the Pole-Pole array may not reflect the doe resistivity of an anomalous body. In this study, we propose a new electrode array, mixed array, where pole-dipole and modified pole-dipole ways are selectively used with the relative positions of current and potential electrodes. The mixed array has the same level of S/N ratio and resolution as the pole-dipole array and the apparent resistivity does not diverge in the receiver hole. Furthermore, the apparent resistivity using the array can reflect the true resistivity of the anomalous body.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2010.05a
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• pp.1261-1262
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• 2010

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2006.11a
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• pp.58-61
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• 2006

n-Pentane and n-hexane, previously regarded as non-hydrate formers, are found to form structure H hydrate in mixtures with 2,2-dimethylbutane. Even though they are thought to be too large to fit into the largest cage of the structure H hydrate, powder XRD and NMR measurements show that they form gas hydrates in mixtures with other sH hydrate former. These findings are of fundamental interest and also will impact the composition and location of natural gas hydrates and their potential as global energy resource and climate change materials.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.459-459
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• 2013

Si (111) 기판 위에 plasma assisted molecular beam epitaxy 법으로 Si과 Mg doping된 GaN 나노막대를 각 각 성장하고 나노막대의 모양과 광학적 특성을 조사하였다. Si이 doping된 GaN 나노막대는 biaxial m-plane 방향의 변화로 별 모양을 갖는 것을 관찰하였고 Mg doping된 GaN 나노막대의 지름은 줄어드는 것을 scanning electron microscopy로 확인하였다. 본 연구에서는 이러한 변화의 원인을 stress 때문으로 보고 x-ray diffraction과 raman scattering 측정을 통하여 구조적 변화를 조사하였다. 또한, stress에 의한 GaN 나노막대의광학적 특성 변화를 photoluminescence을 통하여 조사하였다. Doping한 GaN 나노막대의 특성조사를 통해 GaN 나노막대 성장 시 발생되는 stress의 영향을 이해하는데 중요한 정보를 제공할 것이다.