• 제목/요약/키워드: Ru(0001)

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Electronic Structures of Graphene Intercalated by Oxygen on Ru(0001): Scanning Tunneling Spectroscopy Study

  • Jang, Won-Jun;Jeon, Jeung-Hum;Yoon, Jong-Keon;Kahng, Se-Jong
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.114-114
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    • 2011
  • Graphene is the hottest topic in condensed-matter physics due to its unusual electronic structures such as Dirac cones and massless linear dispersions. Graphene can be epitaxially grown on various metal surfaces with chemical vapor deposition (CVD) processes. Such epitaxial graphene shows modified electronic structures caused by substrates. In the method for removal of the effect of substrate, there are bi, tri-layer graphene, gold intercalation, and oxygen intercalation. Here, We will present the changes of geometric and electronic structure of graphene grown on Ru(0001) by oxygen intercalation between graphene and Ru(0001). Using Scanning tunneling microscopy (STM) and spectroscopy (STS), we observed the aspect that the band gap features near the fermi level of graphene on Ru(0001) system is shifted and narrow. Based on the observed results, two effects by intercalated oxygen were considered.

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Pt(111)과 Ru(0001) 표면에 생성시킨 얼음 층의 연구

  • 김수연;강헌
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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    • pp.395-395
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    • 2010
  • RIS(Reactive Ion Scattering)은 저 에너지 이온 빔을 쏘아 표면을 분석하는 방법이다. 분자 동력학 계산(MD simulation) 결과에 따르면 $Cs^+$이온은 두꺼운 얼음 표면에서 산란이 거의 일어나지 않는다. 본 연구에서는 이와 달리 Pt(111)과 Ru(0001) 표면에 생성시킨 두꺼운 얼음 표면에서 $Cs^+$이온 산란 실험이 가능함을 보였다. 한편, RIS signal은 얼음 층이 쌓인 구조나 두께에 따라 영향을 받는데, Ru(0001)과 Pt(111)의 표면에 생성시킨 crystalline water ice에서 시간과 water ice film의 두께가 RIS signal에 어떠한 영향을 미치는지도 조사하였다.

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Electronic Structures of Graphene on Ru(0001) : Scanning Tunneling Spectroscopy Study

  • Jang, Won-Jun;Jeon, Jeung-Hum;Yoon, Jong-Keon;Kahng, Se-Jong
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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    • pp.307-307
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    • 2011
  • Graphene is the hottest topic in condensed-matter physics due to its unusual electronic structures such as Dirac cones and massless linear dispersions. Graphene can be epitaxially grown on various metal surfaces with chemical vapor deposition processes. Such epitaxial graphene shows modified electronic structures caused by substrates. Here, local geometric and electronic structures of graphene grown on Ru(0001) will be presented. Scanning tunneling microscopy (STM) and spectroscopy (STS) was used to reveal energy dependent atomic level topography and position-dependent differential conductance spectra. Both topography and spectra show variations from three different locations in rippled structures caused by lattice mismatch between graphene and substrate. Based on the observed results, structural models for graphene on Ru(0001) system were considered.

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Acidic Water Monolayer on Ru(0001)

  • Kim, Youngsoon;Moon, Eui-Seong;Shin, Sunghwan;Yi, Seung-Hoon;Kang, Heon
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.268-268
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    • 2013
  • Water molecules on a Ru(0001) surface are anomalously acidic compared to bulk water. The observation was made by conducting reactive ion scattering, reflection absorption infrared spectroscopy, and temperature-programmed desorption measurements for the adsorption of ammonia onto a water layer formed on Ru(0001). The study shows that the water molecules in the first intact $H_2O$ bilayer spontaneously release a proton to NH3 adsorbates to produce $NH_4{^+}$. However, such proton transfer does not occur for $H_2O$, OH, and H in a mixed adsorption layer or for $H_2O$ in a thick ice film surface.

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주사형 탐침 현미경을 이용한 Ru(0001) 위 그래핀의 에피탁시얼 성장 조건에 대한 연구 (Epitaxial Growth of Graphene by Surface Segregation and Chemical Vapor Deposition on Ru(0001) Studied with Scanning Tunneling Microscopy)

  • 장원준;강세종
    • 한국진공학회지
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    • 제22권6호
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    • pp.285-290
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    • 2013
  • 금속 기판 위에 성장한 그래핀은 원자구조와 전자구조 연구에 우수한 기반이 된다. 그래핀은 금소 기판에서 탄소의 surface segregation 이나 chemical vapor deposition으로 성장할 수 있는데, 이 두 방법의 성장 양상에 대한 비교 연구는 아직까지 없었다. 본 연구에서는 surface segregation, 흡착된 에틸렌의 post-annealing, 에틸렌의 high-temperature dose 등 3 방법으로 성장한 그래핀의 성장구조를 주사형 터널링 현미경으로 연구했다. 처음 2종류의 방법에서는 $100nm^2$ 수준의 작은 그래핀 영역이 나타났고, 3 번째 방법에서는 $10^4nm^2$ 보다 큰 그래핀이 육각형 무아레 무늬와 함께 타나났다. 본 연구에서는 에틸렌의 high-temperature dose 방법이 추가적인 분자성장 등에 필요한 넓은 그래핀을 성장하기에 가장 좋은 방법임을 보였다.