• 전기전자학회논문지
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• 제22권3호
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• pp.565-569
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• 2018

For the conventional power MOSFET (metal-oxide semiconductor field-effect transistor) device structure, there exists a tradeoff relationship between specific on-state resistance (Ron,sp) and breakdown voltage (BV). In order to overcome this tradeoff, a super-junction (SJ) trench MOSFET (TMOSFET) structure with uniform or non-uniform doping concentration, which decreases linearly in the vertical direction from the N drift region at the bottom to the channel at the top, for an optimal design is suggested in this paper. The on-state resistance of $0.96m{\Omega}-cm2$ at the SJ TMOSFET is much less than that at the conventional power MOSFET under the same breakdown voltage of 100V. A design methodology for the edge termination is proposed to achieve the same breakdown voltage and on-state resistance as the main body of the super-junction TMOSFET by using of the SILVACO TCAD 2D device simulator, Atlas.

• 전기전자학회논문지
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• 제28권1호
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• pp.46-52
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• 2024

이번 연구에서 우리는 게이트 산화막을 형성하기 위해 Si을 증착한 후 산화시킨 SiC MOSFET의 전기적 특성을 연구했다. 고품질의 Si/SiO₂ 계면을 제작하기 위해 얇은 Si 층을 SiC epi 층 위에 약 20 nm을 증착한 후 산화하여 게이트 산화막을 약 55 nm로 형성했다. SiC를 산화하여 게이트 산화막을 제작한 소자와 계면 트랩 밀도, 온저항, 전계-효과 이동도의 측면에서 비교했다. 위 소자는 향상된 계면 트랩 밀도 (~8.18 × 10¹¹ eV^-1cm^-2), 전계-효과 이동도 (27.7 cm²/V·s), 온저항 (12.9 mΩ·cm²)을 달성하였다.