Analysis of the Drain Current in Nonuniformly Doped Channel(NUDC) MOSFET's due to Pocket Ion Implantation (포켓 이온주입으로 비균질 채널도핑을 갖는 MOSFET소자의 드레인 전류 해석)
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- Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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- v.36D no.9
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- pp.21-30
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- 1999