Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
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v.20
no.5
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pp.390-396
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2000
The dynamic elastic constants of the simulated weld HAZ (heat-affected zone) of SA 508 Class 3 reactor pressure vessel (RPV) steel were investigated by resonant ultrasound spectroscopy (RUS). The resonance frequencies of rectangular parallelepiped samples woe calculated from the initial estimates of elastic stiffness $c_{11},\;c_{12}\;and\;c_{44}$ with an assumption of isotropic property, dimension and density. Through the comparison of calculated resonant frequencies with the measured resonant frequencies by RUS, very accurate elastic constants of SA 508 Class 3 steel were determined by iteration and convergence processes. Clear differences of Youngs modulus and shear modulus were shown from samples with different thermal cycles and microstructures. Youngs modulus and shear modulus of samples with fine-grained bainite were higher than those with coarse-grained tempered martensite. This tendency was confirmed from other results such as micro-hardness test.
A significant enhancement of the magneto-optical Faraday rotation and extraordinary optical transmission (EOT) in the cascaded double-fishnet (CDF) structure with periodic rectangular apertures is theoretically predicted by using the extended finite difference time domain (FDTD) method. The results demonstrate that the transmittance spectrum of the CDF structure has two EOT resonant peaks in a broad spectrum spanning visible to near-infrared wavebands, one of them coinciding with the enhanced Faraday rotation and large figure of merit (FOM) at the same wavelength. It is most important that the resonant position and intensity of the transmittance, Faraday rotation and FOM can be simply tailored by adjusting the incident wavelength, the thickness of the magnetic layer, and the offset between two metallic rectangular apertures, etc. Furthermore, the intrinsic physical mechanism of the resonance characteristics of the transmittance and Faraday rotation is thoroughly studied by investigating the electromagnetic field distributions at the location of resonance. It is shown that the transmittance resonance is mainly determined by different hybrid modes of surface plasmons (SPs) and plasmonic electromagnetically induced transparency (EIT) behavior, and the enhancement of Faraday rotation is mostly governed by the plasmonic electromagnetically induced absorption (EIA) behavior and the conversion of the transverse magnetic (TM) mode and transverse electric (TE) mode in the magnetic dielectric layer.
Dielectric and piezoelectric properties of (Pb1-1.5xLnx)(Ti0.98Mn0.02)O3 ceramics with x=0~0.2 have been investigated. Pb(Ti0.98Mn0.02)O3 showed poor sinterability and cracking on cooling, but the substitution of Nd3+ ions into Pb2+ sites resulted in dense microstructures without cracking through reducing crystallographic anisotropy. The Nd3+ substitution, however, deteriorated the temperature stability of the piezoelectric properties because of lowering the Curie point. Electromechanical anisotropy(Kt/Kp) indicated a maximum value of 10 when x=0.1. This result might be attributed to the counteracting effects that with increasing x, the lattice anisotropy decreases while the poling becomes easier due to the increase in O2- vacancy concentration. Thickness-shear mode resonators with (Pb0.85Nd0.1)(Ti0.98Mn0.02)O3 composition showed good resonant characteristics around 4.5 MHz.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.20
no.5
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pp.1363-1371
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1996
This paper presents the design, fabrication, and testing of polysilicon electrostatic microactuators that resonate in the direction parallel to the silicon susbstrates. A set of six different designs has been developed using a theoretical model and design formulae developed for the mocroactuators. Microactuator prototypes are fabricated from a 2.1 $\mu{m}$-thick LPCVD polysilicon film, using a 4-mask surface-micromachining process. The prototypes are tested under a d.c. bias voltage of 45V with an a.c. drive voltage amplitude of 20 v.Measured resorant frequencies are in the ranges of 40-60 kHz, showing a good agreement to their theoretical estimates within error bounds of .$\pm$.5%. Important issues inthe design and microfabrication of the microactuators are discussed, together with potential applicaitons of the key technology involved.
Kim, Tea-Hong;Park, Jung-Rae;Lee, Suk-Jin;Sung, Hee-Kyung;Lee, Sang-Seok;Choy, Tae-Goo
ETRI Journal
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v.18
no.1
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pp.15-27
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1996
The effects of $Nd_2O_3$ and $TiO_2$ addition on the microstructures and microwave dielectic properties of $BaO-Nd_2O_3-TiO_2$ system were investigated. $BaNd_2Ti_4O_{12}$ or $BaNd_2Ti_{5}O_{14}$ phases were observed for compositions based on BaO/$Nd_2O_3$ = 1 ratio. The compositions deviated from $BaO/Nd_2O_3=1$ ratio were composed of major phases of $BaNd_2Ti_4O_{12}$ or $BaNd_2Ti_5O_{14}$, and the compound of $Nd_2O_3$ and $TiO_2(Nd_2Ti_2O_7)$ or that of BaO and $TiO_2(BaTi_4O_9)$. The microstructure of ceramic with $BaO{\cdot}Nd_2O_3{\cdot}4TiO_2$ composition varied from spherical grains to needlelike grains with increasing sintering temperature. With increasing $Nd_2O_3$, the optimum sintering temperature with maximum density increased, and the dielectric constant(${\varepsilon}_r$) and quality factor(Q) decreased due to the formation of secondary phases. With increasing $TiO_2$, the optimum sintering temperature and the dielectric constant decreased with increased Q value. And the temperature coefficient of resonant frequency, ${\tau}_f$ shifted toward positive direction. The dielectric ceramics with $BaO/Nd_2O_3=1$ showed Q values of above 2000 and dielectric constants of above 80 at 3GHz.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.41
no.6
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pp.423-427
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2017
In this paper, an anchor design that improves bonding strength uniformity in the silicon-on-glass (SOG) process is presented. The SOG process is widely used in conjunction with electrode-patterned glass substrates as a standard fabrication process for forming high-aspect-ratio movable silicon microstructures in various types of sensors, including inertial and resonant sensors. In the proposed anchor design, a trench separates the silicon-bonded area and the electrode contact area to prevent irregular bonding caused by the protrusion of the electrode layer beyond the glass surface. This technique can be conveniently adopted to almost all devices fabricated by the SOG process without the necessity of additional processes.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.21
no.6
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pp.517-523
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2008
The microwave dielectric properties of $LiNb_3O_8-TiO_2$ based ceramics with low firing agents, CuO, $Bi_2O_3$, $B_2O_3$, $SiO_2$, $TiO_2$, were investigated to improve the sintering condition for the LTCC system. According to the X-ray diffraction and SEM, the ceramics of $LiNb_3O_8-TiO_2$ with low firing agents showed no significant second phases within a range of experiments, and fine microstructures. By adding the low firing agents, the sintering temperature decreased from $1200^{\circ}C$ to $925^{\circ}C$. Based on the results of electrical measurements, the $LiNb_3O_8-TiO_2$ ceramics showed a promising microwave dielectric properties for LTCC applications, those are ${\varepsilon}_r$ (dielectric constant) = 44, Q f (quality factor) = 18000, and ${\tau}_f$ (the temperature coefficient of resonant frequency) = $-1.5\;ppm/^{\circ}C$.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.07b
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pp.662-665
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2002
The microwave dielectric properties and the microstructures of $Tm_2O_3$-modified $BiNbO_4$ ceramics were investigated. $Bi_{(1-x)}Tm_xNbO_4$ ceramics combined with orthorhombic and triclinic phases were identified at sintering temperatures of $920{\sim}960^{\circ}C$. The apparent density decreased slightly with the increasing Tm content. Regardless of the Tm content the dielectric constant $(\varepsilon_r)$ of all compositions except x=0.1 in $Bi_{(1-x)}Tm_xNbO_4$ ceramics saturated at the range of 42~44. The $Q{\times}f_0$ values of 6,000-12,000(GHz) were obtained for all compositions when the sintering temperatures were in the range of $920{\sim}960^{\circ}C$. The temperature coefficient of the resonant frequency$(\tau_f)$ can be also adjusted with increasing the amount of the doped Tm from a positive value of $+15ppm/^{\circ}C$ to a negative value of $-20ppm/^{\circ}C$. The $Bi_{(1-x)}Tm_xNbO_4$ ceramics can be possibly applied to multilayer microwave devices with low processing temperatures.
The microwave dielectric properties and microstructures of the Complex Perovskite (1-x)$(Li_{1/2}Sm_{1/2})TiO_3-x (Na_{1/2}Sm_{1/2})TiO_3$(LNST) system were investigated using the X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM). LNST had not only the antiphase tilting of oxygen octahedron but also the inphase tilting of oxygen octahedron and the antiparallel shift of cations. Also, when $0.0{\leq}x{\leq}0.4$, LNST had the vacancy ordering of A-sites because of the evaporation of Li ions. From the observation of the microstructure, abnormal grain growth phenomena were observed over the whole range of x. The temperature coefficient of resonant frequency ($T_{cf}$) of the $({Li_{1/2}}^{+1}{Sm_{1/2}}^{+3})TiO_3$(LST) system has a large negative value ($-220ppm/^{\circ}C$) but the $({Na_{1/2}}^{+1}{Sm_{1/2}}^{+3})TiO_3$(NST) system which substituted $Na^{+1}$ has a large positive value ($+173ppm/^{\circ}C$). The dielectric properties of ${\varepsilon}_r=103,\;Q*f_{0}=3,700GHz$ and $T_{cf}=+50ppm/^{\circ}C$ at 4GHz were obtained when x =0.4.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.16
no.11
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pp.975-978
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2003
The microwave dielectric properties and the microstructures on B $i_{0.97}$T $m_{0.03}$Nb $O_4$ doped with $V_2$$O_{5}$ were systematically investigated. B $i_{0.97}$T $m_{0.03}$Nb $O_4$ ceramics sintered at 920-96$0^{\circ}C$ were mainly consisted of orthorhombic and triclinic phases after addition of $V_2$$O_{5}$. The apparent density increased slightly with increasing the $V_2$$O_{5}$ addition. The dielectric constants($\varepsilon$$_{r}$) also increased with $V_2$$O_{5}$ addition(30-45). The Q${\times}$$f_{0}$ values measured on B $i_{0.97}$T $m_{0.03}$Nb $O_4$ ceramics doped with $V_2$$O_{5}$ were between 2,000 and 12,000[GHz] when the sintering temperatures were in the range of 920-960[$^{\circ}C$]. It was confirmed that the temperature coefficient of the resonant frequency($\tau$$_{f}$) can be adjusted from a positive value of +10ppm/$^{\circ}C$ to a negative value of -15ppm/$^{\circ}C$ by increasing the amount of $V_2$$O_{5}$ Based on our experimental results, the B $i_{0.97}$T $m_{0.03}$Nb $O_4$(added $V_2$$O_{5}$) ceramics can be applied to multilayer microwave devices at low sintering temperatures.ng temperatures.emperatures.ratures.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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