Objectives: This study was conducted to examine the association between health condition and leaving the labor market among middle-aged and older adults in South Korea. Methods: Data was obtained from individuals aged 45 years and older participating in the 2006 and 2008 Korean Longitudinal Study of Ageing. We used various health measures including chronic diseases, comorbidities, traffic accident injuries, disabilit of instrumental activities of daily living, depressive symptoms, and self-rated health. The odds ratios of job loss, and retirement, versus employment were calculated using multinomial logistic regression by each health measure. Results: In our cross-sectional and longitudinal analysis, health problems related to physical disabilities had the greatest effect on leaving the worksite. A shift in health condition from good to poor in a short period was a predictor of increased risk of unemployment but a persistent pattern of health problems was not associated with unemployment. Women with health problems showed a high probability of retirement, whereas among men, health problems instantly the possibility of both job loss and retirement. Conclusions: Health problems of middle aged and older workers were crucial risk factors for retirement and involuntarily job loss. Especially functional defect and recent health problems strongly and instanty affected employment status.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.12
no.3
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pp.89-92
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2011
Hydrogenated amorphous carbon (a-C:H) films were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition on silicon substrates. a-C:H thin film was irradiated to a typical He-Cd laser to study its emitting properties. The photoluminescence (PL) intensity during the irradiation achieved a maximum value when 2,000 seconds elapsed. Fourier transform infrared measurement revealed a-C:H thin film suffered transformation from a polymer-like to graphite-like phase during laser irradiation. Thermal annealing was done at various temperatures, ranging from room temperature to $400^{\circ}C$ in the atmosphere, to investigate structural changes in a-C:H film by heat generation during the emission. PL intensity of a-C:H thin film increased 1.5 times without apparent structural change, as annealing temperature increased up to $200^{\circ}C$. However, a-C:H film above $200^{\circ}C$ exhibited significant decrease of PL accompanying dehydrogenation. This led to a red shift of the PL peak.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.291.1-291.1
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2014
산화아연 박막은 아연이 코팅된 테프론 기판 위에 졸-겔 스핀코팅 방법을 이용하여 각기 다른 후열처리 온도에서 제작되었다. 산화아연 박막의 후열처리 온도에 따른 구조적, 광학적 특성은 field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), X-ray diffractometer, and photoluminescence spectroscope를 이용하여 분석하였다. 후열처리 온도를 달리하여 성장한 모든 산화아연 박막은 수지상(dendrite) 구조를 가지고 있으며, 이 수지상 구조 위에 약 20 nm의 산화아연 입자들이 성장되었다. 후열처리 온도가 증가함에 따라 c-축 배향성이 우세하게 나타났으며, 인장응력도 증가하였다. 후열처리 온도 $400^{\circ}C$에서 Near-band-edge emission (NBE) 피크는 적색편이(red-shift) 하였고, 후열처리 온도가 증가함에 따라 deep-level emission (DLE) 피크의 세기는 감소하였다. 또한 $400^{\circ}C$의 후열처리 온도에서 NBE 피크의 반치폭(FWHM)이 가장 작았으며, INBE/IDLE의 비율이 가장 높았다. 따라서 $400^{\circ}C$의 후열처리 공정에 의해 결정성 및 광학적 특성이 가장 우수한 산화아연 박막을 얻을 수 있었다.
Soluble polyaniline was synthesized by attaching titanium isoproxide ($Ti(OPr)_4$) to the amine group of the aniline. Approximately 1 to 1 molar ratio of aniline and $Ti(OPr)_4$ was mixed and polymerized with ammonium persulfate. The FTIR result showed clear difference between $TiO_2$-aniline composite ($TiO_2An$) and $TiO_2$-polyaniline composite ($TiO_2PAn$). Although the $TiO_2An$ had negligible UV-visible absorption, the $TiO_2PAn$ showed strong absorption in the UV-visible region. Photoluminescence (PL) peaks of $TiO_2An$ were shifted toward red with the reduction of the excitation energy, which could be due to the multiple emission centers. The luminescence peak shift stopped at 501 nm. The PL spectra of $TiO_2PAn$ exhibited three emission peaks at 2.88 eV (430 nm), 2.48 eV (501 nm) and 2.22 eV (558 nm). The new emission center (2.22 eV) was observed after polymerization. Field emission scanning electron microscope image showed crack-free composite film.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.268-268
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2011
GaAs (001) 기판에 MBE를 이용하여 자발형성법으로 성장한 InAs 양자점(QDs: quantum dots)의 광학적 특성을 PL (photoluminescence)과 TRPL (time-resolved PL)을 이용하여 분석하였다. InAs 양자점 성장 동안 In 공급은 계속하면서 As 공급을 주기적으로 차단과 공급을 반복하면서 성장하였다. As 차단과 공급을 1초, 2초, 그리고 3초씩 하면서 InAs 양자점을 성장하였다. 기준시료는 In과 As 공급을 중단하지 않고 20초 동안 성장하였다. As interruption mode로 성장한 시료들의 QD density는 기준시료에 비해 증가하였으며, size distribution도 기준시료에 비해 향상되었다. 기준시료와 비교하였을 때, As interruption mode로 성장한 시료들의 PL 피크는 적색이동 (red-shift)를 보였으며, PL 세기는 2배 이상 증가하였다. PL 소멸곡선은 파장이 증가함에 따라 점차 느려지다가 PL 피크에서 가장 느린 소멸을 보인 후 다시 점차 빠르게 소멸하였다. 시료의 온도를 10 K에서 60 K까지 증가하였을 때 PL 피크 에너지는 변하지 않았으며, PL 소멸시간은 서서히 증가함을 보였다. 온도를 더 증가하였을 때 PL 피크 에너지는 적색이동 하였으며 PL 소멸시간도 빠르게 감소함을 보였다. As interruption mode로 성장한 양자점 시료의 구조적 특성 변화에 의한 광학적 특성 변화를 확인하였다.
To assist the further development of hight-visibility clothing this study compared the visibility and subjective wear sensation of commercial protective vests with retro-reflecting materials or LEDs. Nine subjects compared high-visibility vests to evaluate how easy they were to see when exposed to the headlight of a car at night, and the subjects assessed the wear sensation of the vests also. The intensity and visibility of five different colored LEDs assembled on the five substrates separately were also evaluated to select the suitable LED color for night protective clothing. The intensity of illumination was measured by an illuminometer, and the visibility was evaluated by 11 participants both in a dark room and in front of a car outdoors at night. Results showed, the most effective LEDs were high intensity LEDs which shift blinking red and white were most effective. However, excessively high intensity of illumination could decrease the working efficiency. In subjective wear evaluation, the most favorable vest had a front opening, were adjustable at the sides, and had an electric power switch on the front of the vest.
In this study, we present a detailed investigation of luminescence properties of a blue light-emitting diode using InGaN/GaN (indium component is 17.43%) multiple quantum wells as the active region grown on patterned sapphire substrate by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). High-resolution X-ray diffraction (HRXRD), atomic force microscopy (AFM), scanning electron microscopy (SEM), Raman scattering (RS) and photoluminescence (PL) measurements are employed to study the crystal quality, the threading dislocation density, surface morphology, residual strain existing in the active region and optical properties. We conclude that the crystalline quality and surface morphology can be greatly improved, the red-shift of peak wavelength is eliminated and the superior blue light LED can be obtained because the residual strain that existed in the active region can be relaxed when the LED is grown on patterned sapphire substrate (PSS). We discuss the mechanisms of growing on PSS to enhance the superior luminescence properties of blue light LED from the viewpoint of residual strain in the active region.
$TiO_2/BiVO_4$ layered films were prepared by sol-gel and spin coating methods. X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and Uv-vis spectroscopy were used to investigate the crystal structure, morphology and ultraviolet-visible absorption of the $TiO_2/BiVO_4$ films. The photocatalytic activity of the prepared films was inspected according to the degradation of methylene blue. The results show that the prepared films present a net chain structure; the absorption band edge had obvious red shift. The degradation of the methylene blue solution was about 80% after 300 mins using $TiO_2/BiVO_4$ layered films under visible light, which was stronger than when using only pure $TiO_2$ film and $BiVO_4$ film.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.22
no.5
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pp.419-424
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2009
ZnO films doped with different contents of indium ($0.1{\sim}10$ at.%) were deposited on Si (111) substrate by Pulsed Laser Deposition (PLD). The structural, electrical and optical properties of the films were investigated using XRD, AFM, Hall and PL measurement. Results showed that un-doped ZnO film had (002) plane as the c-axis orientated growth, whereas indium doped ZnO films exhibited the peak of (002) and the weak (101) plane. In addition, in the indium doped ZnO films, the electron concentration is ten times higher than that of un-doped ZnO film, while the resistivity is ten times lower than that of un-doped ZnO film. The indium doped ZnO films have UV emission about 380 nm and show a red shift with increasing contents of indium. The I-V curve of the fabricated diode show the typical diode characteristics and have the turn on voltage of about 2 V.
Kim, Jung-Hee;Youn, Mi-Ryung;Lee, Young-Ae;Kim, Jong-Moon;Kim, Seog-K.
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.28
no.2
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pp.263-270
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2007
New mono- and bis-Cu(II)-triazacyclononane(tacn) complex that conjugated with 9-aminoacridine were synthesized, and their binding modes and DNA cleavage activity were investigated in this study. When the classic intercalator, 9-aminoacridine, was conjugated to mono- and bis-Cu(II)-tacn complexes, a significant red-shift and hypochromism in absorption spectrum was apparent in the acridine absorption region upon binding to DNA. Furthermore, the magnitude of the negative reduced linear dichroism signal in the substrate absorption region appeared to be larger than that in the DNA absorption region. These spectral observations indicated that the acridine moiety intercalated when the Cu(II)-tacn complex was conjugated. In contrast, from a close analysis of the circular and linear dichroism spectrum, the aminoacridine-free bis-Cu(II)-tacn complex was concluded to bind at the phosphate groups of DNA. The 9-aminoacridine-free-bis-Cu(II)-tacn complex produces the nicked and linear DNA. On the other hand, 9-aminoacridine conjugated mono-and bis-Cu(II)-tacn complexes showed unspecific binding with negligible DNA cleavage.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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