We studied white tandem organic light-emitting diodes using blue and red phosphorescent materials. Optimized white single phosphorescent OLED was fabricated using CBP : FIrpic (12 vol.%, 9 nm) / CBP : $Ir(mphmq)_2acac$ : $Ir(ppy)_3$ (1 vol.%, 1 vol.%, 1 nm) as emitting layer (EML). The single phosphorescent OLED showed maximum current efficiency of 22.5 cd/A, white emission with a Commission Internationale de l'Eclairage (CIE) coordinates of (0.342, 0.37) at $1,000cd/m^2$, and variation of CIE coordinates with ($0.339{\pm}0.008$, $0.371{\pm}0.001$) from 500 to $3,000cd/m^2$. Optimized white tandem phosphorescent OLED was fabricated using CBP : FIrpic (12 vol.%, 7 nm) / CBP : $Ir(mphmq)_2acac$ : $Ir(ppy)_3$ (1 vol.%, 1 vol.%, 3 nm) as EML. The tandem phosphorescent OLED showed maximum current efficiency of 49.2 cd/A, white emission with a CIE coordinates of (0.376, 0.366) at $1,000cd/m^2$, variation of CIE coordinates with ($0.375{\pm}0.004$, $0.367{\pm}0.002$) from 500 to $3,000cd/m^2$. Maximum current efficiency of tandem phosphorescent OLED was more twice as high as single phosphorescent OLED. Our results suggest that tandem phosphorescent OLED was possible to control CIE coordinates and produce excellent color stability.
We studied the emission characteristics of white phosphorescent organic light-emitting diodes (PHOLEDs), which were fabricated using a two-wavelength method. The best blue emitting OLED and red emitting OLED characteristics were obtained at a concentration of 12 vol.% FIrpic and 1 vol.% $Bt_2Ir$(acac) in UGH3, respectively. And the optimum thickness of the total emitting layer was 25 nm. To optimize emission characteristics of white PHOLEDs, white PHOLEDs with red/blue/red, blue/red, red/blue and co-doping emitting layer structures were fabricated using a host-dopant system. In case of white PHOLEDs with co-doping structure, the best efficiency was obtained at a structure UGH3: 12 vol. % FIrpic: 1 vol.% $Bt_2Ir$(acac) (25 nm). The maximum brightness, current efficiency, power efficiency, external quantum efficiency, and CIE (x, y) coordinate were 13,430 $cd/m^2$, 40.5 cd/A, 25.3 lm/W, 17 % and (0.49, 0.47) at 1,000 $cd/m^2$, respectively.
We studied the emission characteristics of white phosphorescent organic light-emitting diodes (PHOLEDs), which were fabricated using a two-wavelength method. To optimize emission characteristics of white PHOLEDs, white PHOLEDs with red/blue, blue/red and red/blue/red emitting layer (EML) structures were fabricated using a host-dopant system. In case of white PHOLEDs with red/blue structure, the best efficiency was obtained at a structure of red (15 nm)/blue (15 nm). But the emission color was blue-shifted white. In case of white PHOLEDs with blue/red structure, the better color purity and efficiency were observed at a blue (29 nm)/red (1 nm) structure. For additional improvement of color purity in white PHOLEDs with blue (29 nm)/red (1 nm) EMLs, we fabricated white PHOLEDs with red (1 nm)/blue (28 nm)/red (1 nm) structure. The current efficiency, external quantum efficiency, and CIE (x, y) coordinate were 27.2 cd/A, 15.1%, and (0.382, 0.369) at 1,000 $cd/m^2$, respectively.
We synthesized new materials of $Zn(HPB)_2$ and Ir-complexes as blue or red emitting material. We fabricated white Organic Light Emitting Diodes (OLED) by using $Zn(HPB)_2$ for the blue emitting layer, Ir-complexes for the red emitting layer and $Alq_3$ for the green emitting layer. We fabricated white OLED by using double emitting layers of $Zn(HPB)_2$:Ir-complexes and $Alq_3$. The doping rate of Ir-complexes was varied, such as 0.2%, 0.4%, 0.6%, and 0.8%, respectively. When the doping rate of $Zn(HPB)_2$:Ir-complexes was 0.6%, white emission was achieved. The Commission Internationale de l'Eclairage (CIE) coordinates of the white emission was (0.322, 0.312).
To study encapsulation method for large-area organic light emitting diodes (OLEDs), red emitting OLEDs were fabricated, on which LiF and Al were deposited as inorganic protective films. And then the OLED was attached to flat glass by printing method using epoxy. In case of direct coating of epoxy onto OLED by printing method, luminance and current efficiency were remarkably decreased because of the damage to the OLED by epoxy. In case of depositing LiF and Al as inorganic protective films and then coating of epoxy onto OLED, luminance and current efficiency were not changed. OLED lifetime was more increased through inorganic protective films between OLED and flat glass than that without any encapsulation (8.8 h), i.e., 47 (LiF/Al/epoxy/glass), 62 (LiF/Al/LiF/epoxy/glass), and 84 h (LiF/Al/Al/epoxy/glass). The characteristics of OLED encapsulated with inorganic protective films (attached to flat glass) showed the possibility of application of protective films.
In this paper, We have studied Electron Transport Layer(ETL) in the New Organics applied to Red phosphorescent organic light-emitting devices. The structure of ITO/2-TNATA(15nm)/CBP;$Ir(piq)_3$/DPVBi(30nm)/New ETL(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm) has been used, measured changing doping concentration of EML. The results of OLED turn-on voltage at 2.2V, and Maximum Luminance at 2.8V was $1000cd/m^2$. This high luminance at low voltage results from a high electron. conduction of the new electron transport layer.
We studied white organic light-emitting diodes using blue fluorescent and red phosphorescent materials. White single OLEDs were fabricated using SH-1 : BD-2 (3 vol.%) and CBP : $Ir(mphmq)_2(acac)$ (2 vol.%) as emitting layer (EML). The white single OLED using SH-1 : BD-2 (3 vol.% 8 nm) / CBP : $Ir(mphmq)_2(acac)$ (2 vol.% 22 nm) as emitting layer showed maximum current efficiency of 8.8 cd/A, Commission Internationale de l'Eclairage (CIE) coordinates of (0.403, 0.351) at $1,000cd/m^2$, and variation of CIE coordinates with ($0.402{\pm}0.012$, $0.35{\pm}0.002$) from 500 to $3,000cd/m^2$. The white tandem OLED using SH-1 : BD-2 (3 vol.% 12 nm) / CBP : $Ir(mphmq)_2(acac)$ (2 vol.% 18 nm) showed maximum efficiency of 19.6 cd/A, CIE coordinates of (0.354, 0.365) at $1,000cd/m^2$, and variation of CIE coordinates with ($0.356{\pm}0.016$, $0.364{\pm}0.002$) from 500 to $3,000cd/m^2$. Maximum current efficiency of the white tandem OLED was more twice as high as the single OLED. Our findings suggest that tandem OLED was possible to produce improved efficiency and excellent color stability.
To study encapsulation method for large-area organic light emitting diodes (OLEDs), red emitting OLEDs were fabricated, on which $Alq_3$ as organic buffer layer and LiF and Al as inorganic protective layers were deposited to protect the damage of OLED by epoxy. And then the OLEDs were attached to flat glass by printing method using epoxy. The basic structure of OLED doped with rubrene of 1 vol.% as emitting layer is ITO(150 nm) / 2-TNATA(50 nm) / ${\alpha}$-NPD(30 nm) / $Alq_3$:Rubrene(30 nm) / $Alq_3$(30 nm) / LiF(0.7 nm) / Al(100 nm). In case of depositing $Alq_3$, LiF and Al and then attaching of flat glass onto OLED, current density, luminance, efficiency and driving voltage were not changed and lifetime was increased according to thickness of Al as inorganic protective layers. The lifetime of OLED/$Alq_3$/LiF/Al_4/glass structure was 139 hours increased by 15.8 times more than bare OLED of 8.8 hours and 1.6 times more than edge sealed OLED of 54.5 hours.
상용 교류전원 환경에서 구동되는 조명용 OLED의 연구를 위하여 적색 형광 소자를 제작하여 교류 순방향 바이어스 인가에 따른 유기 전계발광 소자의 발광 특성을 분석하였다. 순방향 교류전원으로 구동된 유기발광 소자의 경우 직류 구동 방식과 비교하여 인가전압에 따른 전류 밀도와 발광 휘도는 유사한 특성을 나타내나, 높은 구동 전압에서 시간에 따른 열화가 빠르게 진행되는 결과를 나타내었다. 이러한 원인은 동일한 인가전압에서 교류의 경우 첨두치 전압이 높아 OLED 구동에 치명적인 열화의 원인으로 작용한다는 것을 실험적으로 확인하였다. 조명 용도로 교류전원 환경에서 OLED를 직결로 구동시키기 위해서는 소자를 안정적으로 구동할 수 있는 전압 범위의 첨두치 전압 조건에서 충분한 휘도와 효율 특성이 요구됨을 본 연구 결과를 통해 알 수 있다.
한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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pp.1133-1137
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2005
In this paper, a renovated approach in the fabrication of red organic light-emitting diodes (OLEDs) is described. The hard-to-control doping process required for dopant-based red OLEDs can be avoided due to the novel red fluorophores that are not concentration quenching in solid state. Doping is in general a must for phosphorescence OLEDs because of the triplet-triplet annihilation, a common problem for phosphorophore dopants. However, we have recently found that extraordinary red iridium complex showing relatively short emission lifetime render the non-doped phosphorescence red OLED possible.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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