In the realm of large-scale identification deployments, the EPCglobal Class-1 Generation-2 (Gen2) standard serves as a cornerstone, facilitating rapid processing of numerous passive RFID tags. The Q-Algorithm has garnered considerable attention for its potential to markedly enhance the efficiency of Gen2-based RFID systems with minimal adjustments. This paper introduces a groundbreaking iteration of the Q-Algorithm, termed Time-Efficient Q-Algorithm (SwiftQ), specifically designed to push the boundaries of time efficiency within Gen2-based RFID systems. Through exhaustive simulations, our study substantiates that SwiftQ outperforms existing algorithms by a significant margin, demonstrating exceptional expediency that positions it as a formidable contender in the landscape of large-scale identification environments. By prioritizing time efficiency, SwiftQ offers a promising solution to meet the escalating demands of contemporary Internet of Things applications, underscoring its potential to catalyze advancements in RFID technology for diverse industrial and logistical contexts.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.26
no.5
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pp.813-821
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2002
Glass fiber reinforced PET matrix composite was manufactured by rapid press consolidation technique as functions of temperature, pressure and time in pre-heating, consolidation and solidification stages. The optimal manufacturing conditions for this composite were discussed based on the void content, tensile, interlaminar shear and impact properties. In addition, the levels of crystallinity with various manufacturing conditions were measured using differential scanning calorimetry to investigate the mechanical properties of this composite material as a function of crystallinity. Among many processing parameters, the mold temperature and the cooling rate after forming were found to be the most critical factors in determining the level of crystallinity and mechanical properties. The level of crystallinity affects the tensile properties to some degree. However, impact properties are affected much more. It also affects the degree of ductility, which determines the impact energy of this material.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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v.28A
no.12
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pp.59-64
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1991
Thin (25-103$\AA$) SiO$_2$ films are grown using the rapid thermal oxidation processing at temperatures of 105$0^{\circ}C$-115$0^{\circ}C$ for 5-30 sec, in order to investigate the characteristics of ultra thin oxide. For measuring the thickness of oxide TEM, ellipsometry, and C-V method which is taken in the condition of small surface band bending are used and compared. When neglecting the small deviation affected by both interface state and moisture charge effect, those three methods described above give similar results. In order to examine the effect of rapid thermal annealing, part of samples are annealed in N$_2$ ambient. MOS capacitors are fabricated and the characteristics of I-V and C-V are measured. Measurements show that the activation energy of initial thickness of oxide grown during the ramp-up time is of 1.125eV and the activation energy of the oxidation rate is of 0.98eV. As oxidation temperature is increased, dielectric breakdown field E$_{BD}$ is decreased due to the increase of fixed charge density N$_f$ However, E$_{BD}$ is shown to be decreased as increasing the thickness of oxide. The increase of N$_f$ in the early stage of thermal annealing results in the decrease of E$_{BD}$.
Rapid mold heating has been recent issue to enable the injection molding of thin-walled parts or micro/nano structures. High-frequency induction is an efficient way to heat mold surface by electromagnetic induction in a non-contact manner, and has been recently applied to the injection molding due to its capability of rapid heating and cooling of mold surface. The present study covers a three-dimensional finite element analysis to investigate heating efficiency and structural safety of the induction heating process of an injection mold. To simulate the induction heating process, an integrated simulation method is proposed by effectively connecting an electromagnetic field analysis, a transient heat transfer analysis and a thermal stress analysis. The estimated temperature changes are compared with experimental measurements for various types of induction coil, from which heating efficiency according to the coil shape is discussed. The resulting thermal stress distributions of the mold plate for various types of induction coils are also evaluated and discussed in terms of the structural safety.
Men's clothing has been recently giving higher market shares to the ready-made clothes rather than the custom-tailored clothes. With many active studies on the human body and design, the ready-made clothes win popularity due to their rapid repairing, various design, and cheap prices, though they are not perfect suitable for some people. Therefore the ready-made has a weak point unable to consider all of the individual physical characteristics. However the custom-tailored clothes ate able to make clothing perfectly suitable lot their customers, though they require longer time-taking and expensive costs. In this context, this paper is design and implementation an automatic design edit system to provide a rapid and cheap service for customers on the ground of the custom-tailored clothes. In other words, this paper intended to use computer systems lot rapidly and precisely providing design dependent on the individual physical characteristics including a distorted bodies, types of the leg, and a height of the shoulder. To do so, the paper using not only studies on the human body and the custom-tailored clothes but also technical know-hows planned design for each individual body by LISP language and automatically process the design through CAD system. Consequently, the rapid and precise processing has reduced inventories and production costs, leading to supplying high quality clothes at lower prices.
Sol-Gel derived ferroelectric PZT thin films were fabricated on ITO/Glass substrate. Two kinds of rapid thermal annealing methods, R-I (six times of intermediate and final annealing) and R-II (one final annealing after six times of intermediate annealing) were used for preparation of multi-coated PZT thin films. 2500$\AA$-thick PZT thin films were obtained by the R-I and R-II methods and characterized by microstructure and dielectric properties. In case of using R-II, the microstructure was finer than that of R-I and there was no distinguishable difference in dielectric properties of PZT thin films between the R-I and R-II methods. But dielectric properties were enhanced by increasing perovskite phase fraction with increasing annealing temperature. Measured dielectric constant of PZT thin film annealed at 62$0^{\circ}C$ using the R-I method was 256 at 1kHz. Its remanant polarization (Pr) and coercive field (Ec) were 14.4$\mu$C/$\textrm{cm}^2$ and 64kV/cm, respectively.
Yeo, In Hwan;Park, Ju Eok;Kim, Jun Hee;Cho, Hae Sung;Lim, Donggun
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.26
no.5
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pp.410-414
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2013
Rapid thermal processing (RTP) abruptly decreases the time required to perform solar cell processes. RTP were used to form emitter of crystalline silicon solar cells. The emitter sheet resistance is studied as a function of time and temperature. The objective of this study is reduction of doping process time with same performance. Emitter difRapid thermal dfusion was carried out by using a spin on doping and a RTP. iffusion was performed in the temperature range of $700{\sim}750^{\circ}C$ for 1m 30s~15 m. Thermal budgets yielded a $50{\Omega}/sq$ emitter using a P509 source. To reduce process time and get high efficiency, rapid thermal diffusion by IR lamp was employed in air atmosphere at $700^{\circ}C$ for 15 m.
We investigated the interface defect engineering and reaction mechanism of reduced transition layer and nitride layer in the active plasma process on 4H-SiC by the plasma reaction with the rapid processing time at the room temperature. Through the combination of experiment and theoretical studies, we clearly observed that advanced active plasma process on 4H-SiC of oxidation and nitridation have improved electrical properties by the stable bond structure and decrease of the interfacial defects. In the plasma oxidation system, we showed that plasma oxide on SiC has enhanced electrical characteristics than the thermally oxidation and suppressed generation of the interface trap density. The decrease of the defect states in transition layer and stress induced leakage current (SILC) clearly showed that plasma process enhances quality of $SiO_2$ by the reduction of transition layer due to the controlled interstitial C atoms. And in another processes, the Plasma Nitridation (PN) system, we investigated the modification in bond structure in the nitride SiC surface by the rapid PN process. We observed that converted N reacted through spontaneous incorporation the SiC sub-surface, resulting in N atoms converted to C-site by the low bond energy. In particular, electrical properties exhibited that the generated trap states was suppressed with the nitrided layer. The results of active plasma oxidation and nitridation system suggest plasma processes on SiC of rapid and low temperature process, compare with the traditional gas annealing process with high temperature and long process time.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1999.11a
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pp.69-72
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1999
A Well oriented Bi$_2$re$_2$CaCu$_2$O$\sub$8/(Bi2212) superconductor thick films were formed successfully on a copper substrate by liquid reaction between a Cu-free precursor and Cu tape using method in which Cu-free BSCO powder mixture was printed on copper plate and heat-treated. And we examined the mechanism for the rapid formation of Bi2212 superconducting films from observing the surface microstructure with heat-treatment time. At heat-treatment temperature, the printing layer partially melt by reacting with CuO of the oxidizing copper plate, and the nonsuperconducting phases present in the melt are typically Bi-free phases and Cu-free phases. Following the partial melting, the Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$\sub$8/ superconducting phase is formed at Bi-free phase/liquid interface by nucleation and grows. It was confirmed that the phase colony from the phase diagram of Bi$_2$O$_3$-(SrO+CaO)/2-CuO system is similar to the observed result.
In this paper, a Software Defined Radio (SDR) architecture was designed and implemented for rapid prototyping of GNSS receiver. The proposed SDR can receive various GNSS and direct sequence spread spectrum (DSSS) signals without software modification by expanded input parameters containing information of the desired signal. Input parameters include code information, center frequency, message format, etc. To receive various signal by parameter controlling, a correlator, a data bit extractor and a receiver channel were designed considering the expanded input parameters. In navigation signal processing, pseudorange was measured based on Coordinated Universal Time (UTC) and appropriate navigation message decoder was selected by message format of input parameter so that receiver position can be calculated even if SDR is set up various GNSS combination. To validate the proposed SDR, the software was implemented using C++, CUDA C based on GPU and USRP. Experimentation has confirmed that changing the input parameters allows GPS, GLONASS, and BDS satellite signals to be received. The precision of the position from implemented SDR were measured below 5 m (Circular Error Probability; CEP) for all scenarios. This means that the implemented SDR operated normally. The implemented SDR will be used in a variety of fields by allowing prototyping of various GNSS signal only by changing input parameters.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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