• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1524-1526
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• 2002

본 논문에서는 $1.62{\times}1.0{\times}0.88mm^3$ 크기의 C-type과 $1.58{\times}0.82{\times}0.94mm^3$ 크기의 H-type RF 칩 인덕터를 제작하고 그들의 고주파 특성을 비교하였다. 본 연구에서는 저손실 $Al_2O_3$ 코아 물질과 직경 $40{\mu}m$의 구리(Cu) 코일을 사용하였다. 권선수를 $2{\sim}14$회로 하여 인덕턴스(L), 품질계수(Q), 임피던스의 크기와 위상, 커패시턴스(C)를 HP4291B Impedance/Material Analyzer로 측정하였다. 10회 권선시 C-type은 55nH, H-type은 67nH, 14회 권선시 C-type은 100nH, H-type은 122nH 정도로 측정되었다. 실험 결과 H-type이 C-type보다 동일 권선수에 대하여 높은 인덕턴스와 높은 자기공진주파수(SRF)를 나타냄을 확인하였다. 또한 최대 품질계수는 두 형태가 거의 비슷한 값($55{\sim}87$)을 가짐을 관찰하였다. 따라서 H-type이 C-type보다 우수한 성질을 나타냄을 알 수 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.266.2-266.2
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• 2016

최근 디스플레이 산업의 확대에 따라 투명 전도 산화물(Transparent Conducting Oxides:TCOs)의 수요가 급증하고 있다. 이 중 ZnO는 wide bandgap (3.37eV)와 large exciton binding energy (60meV)의 값을 가져 차세대 투명 전도 산화물, LED와 LD 등의 소자 소재로 각광받고 있다. ZnO는 electron을 내어놓는 native defect 때문에 기본적으로 n-type 물성을 띈다. 그래서 dopant를 이용해 p-type ZnO를 제작할 때 native defect를 줄이는 것이 중요한 요점이 된다. 이 때 buffer layer를 사용하여 native defect를 줄이는 방법이 사용되고 있다. 본연구에서는 RF-magnetron sputtering법을 이용하여 c-plane sapphire 기판 위에 다양한 조건의 ZnO buffer layer를 증착하고, 그 위에 ZnO:(Al,P) co-doping한 APZO를 증착하였다. ZnO buffer layer 증착조건의 변수는 증착온도와 Ar:O2의 비율을 변수로 두었다. 이러한 박막을 FE-SEM, XRD, Hall effect measurement, AFM을 통하여 미세구조와 물성을 관찰하였다. 이 때 APZO보다 낮은 증착온도에서 ZnO buffer layer가 증착되면 APZO를 증착하는 동안 chamber 내부에서 열처리하는 효과를 얻게 되고, UHV(Ultra High Vaccum)에서 열처리 될 때 ZnO buffer layer의 mophology와 결정성이 변하게 되는 모습을 관찰아혔다. 또한 본 실험을 통해 ZnO buffer layer의 증착 온도가 APZO의 증착온도보다 높을 때 제어 가능한 실험이 됨을 확인 할 수 있었다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권2호
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• pp.188-195
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• 1996

The AlSi etching process using the MERIE type reactor carried out with different process parameters such as C1$_{2}$ and N$_{2}$ gas flow rate, RF power and chamber pressure. The etching characteristics were evaluated in terms of etch rate, selectivity, uniformity and etched profile. As the N2 gas flow rate is increased, the AlSi etch rate is decreased and uniformity has remained constant within .+-.5%. The etch rate is increased and uniformity is decreased, according to increment of the C1$_{2}$ gas flow rate, RF power and chamber pressure. Selective etching of TEOS with respect to AlSi is decreased as the RF power is increased while it is increased by increment of the C1$_{2}$ gas flow rate and chamber pressure, on the other hand, selective etching of photoresist with respect to AlSi is increased by increment of the C1$_{2}$ gas flow rate and chamber pressure, it is decreased as the N$_{2}$ gas flow rate is increased.

• 제어로봇시스템학회논문지
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• 제9권12호
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• pp.1009-1018
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• 2003

In a park or street, we can see many people Jogging or walking with their dogs chasing their masters. In the previous study, an entertainment robot, CARTRI that imitates the dog's behavior was created. The robot's task was chasing a moving goal that was recognized as the master. The physical structure of the CARTRI robot was three-wheel type locomotion system. The sensor system which could detect the position of the master in the outdoor space, was consists of a signal transmitter which was held by the master and five ultrasonic receivers which were mounted on the robot. In the experiment, the robot could chase a human walking in outdoor space like a park. But it could not avoid obstacles and its behavior was only goal-chasing behavior because of the limit of the sensor system. In this study, an improved RF-ultrasonic sensor system which can detect both goal and obstacle is developed in order to enable the CARTRI robot to carry out various behavior. The sensor system has increased angle resolution by using eight ultrasonic receivers instead of five in the previous study. And it can detect obstacle by using reflective type ultrasonic sensors. The sensor system is designed so that detection of goal and obstacle could be conducted in one sampling period. The Performance of the developed sensor system is evaluated through experiments.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제31권8호
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• pp.970-974
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• 2007

A mixer is a key component in the wireless communication systems. In this paper, we design a mixer which is used in a frequency modulated continuous wave(FMCW) radar system. The frequency sweep range of the radar is from 10 GHz to 11 GHz. The transmitted and received signals of the FMCW radar are applied to LO and RF ports of the mixer, respectively, but the frequency difference between the two signals, which is called "a beat frequency" is under a few KHz and depending on the distance to target. Thus the isolation between the LO and RF ports is very important factor to design this mixer. In this paper we propose a single balanced resistive mixer using GaAs MESFET for this application. We first design a single-ended type resistive mixer using a simulation tool, then design a balanced type to increase the LO-to-RF isolation of the mixer. We fabricated the mixer on the substrate of dielectric constant 10 and thickness 0.635 mm. The measured results show that the isolation and conversion loss of the mixer over the frequency band is 20dB and 10.5dB, respectively. The LO input power for operating the proposed mixer is +3dBm, which is lower than a general conventional mixer's LO power. The 1 dB compression point is 6dBm.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2012년도 추계학술대회
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• pp.842-844
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• 2012

본 논문에서는 분산증폭기 구조를 기반으로 한 5GHz FIR 필터 low noise amplifier (LNA)를 설계하고 그 특성을 분석한다. 설계된 FIR 필터 LNA는 MA(Moving Average) 필터 특성을 가져 주파수의 선택도를 높였으며, GaAs 기반 개별 소자를 이용한 proto-type 회로를 FR4 PCB와 유전율 ${\varepsilon}_r=10.2$를 가지는 고주파수용 PCB위에 구성하여 ADS(Advanced Design System)로 시뮬레이션 하였다. 시뮬레이션 결과 5GHz 주파수 대역에서 약 10dB 정도의 전력이득을 가지는 LNA 출력 특성과 MA FIR 필터 형태 주파수 선택적인 응답을 보여주었다. FIR 필터 형태의 LNA 설계를 통하여 RF 시스템에서 다양한 형태의 증폭기 및 필터 응용의 가능성을 기대해 볼 수 있다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1521-1523
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• 2002

본 논문에서는 1.58 ${\times}$ 0.82 ${\times}$ 0.94 $mm^3$크기의 H 형태의 솔레노이드형 RF 칩 인덕터를 코일의 직경과 권선수를 변화시키면서 제작하였고, 그들의 고주파 성능을 비교 분석하였다. 저손실 $Al_2O_3$재료를 코아로 $30{\mu}m{\sim}40{\mu}m$의 여러 직경을 가진 Cu를 코일로 사용하였다. 인덕터의 인덕턴스(L), 품질계수(Q), 저항(R), 임피던스(Z) 그리고 커패시턴스(C) 등의 주파수 특성은 HP4291B로 측정하였다. 실험결과 동일권선수에 대해 코일직경이 자을수록 L, Q, R, 그리고 Z등이 증가하였고, 그 증가폭은 권선수가 클수록 커지는 경향이 있음을 알 수 있었다. 그러나 코일직경이 작을수록 기생 커패시턴스 효과가 빨리 나타나 자기 공진주파수 효과가 감소하는 경향을 보이고 있음을 확인하였다. 코일직경이 $3{\mu}m$이고 권선수가 6인 경우에 대표적인 값들은 다음과 같다. L=31.4nH(at 250MHz), Q=49.6(at 700MHz), R=0.362${\Omega}$(at 1MHz)

• Journal of Microbiology and Biotechnology
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• 제14권2호
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• pp.363-366
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• 2004

In order to obtain an industrial strain with higher L(+)-lactic acid yield, the wild type strain Rhizopus oryzae PW352 was mutated by means of Nitrogen ions implantation (l5 Kev, $7.8 \times 10^{14} - 2.08 \times 10^{15} ions/Cm^2$ and two mutants RE3303 and RF9052 were isolated. After 36 h shake-flask cultivation, the concentration of L(+)-lactic acid reached 131-136 g/l, the conversion rate of glucose was as high as 86%-90% and the productivity was 3.61 g/l.h. It was almost a 75% increase in lactic acid production compared with the wild type strain. Maximum fermentation temperature of RF9052 was increased to $45^{\circ}C$ from original $36^{\circ}C$. At the same time, the preferred range of fermentation temperature of RF9052 was broadened compared with PW352.

• 한국추진공학회:학술대회논문집
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• 한국추진공학회 2010년도 제35회 추계학술대회논문집
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• pp.784-785
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• 2010

전북대학교 고온플라즈마 응용연구센터 구축사업단에서는 MW급 초음속 플라즈마 풍동을 구축하고 있다. 구축되는 장비는 0.4MW/2.4MW급 Huels형 DC 플라즈마 장치 및 60kW/200kW급 RF 플라즈마 장치 등으로 구성되며 이러한 장비를 지원하는 공통지원설비가 별도로 구축되게 된다. 공통지원설비는 플라즈마 풍동을 구동하기 위한 수변전설비 및 가스공급설비, 냉각수공급설비, NOx 제거용 후처리 설비, 예비전원설비 등으로 구성되어 있다.

• 한국재료학회지
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• 제21권6호
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• pp.341-346
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• 2011

In this study, we inserted a Zn buffer layer into a AZO/p-type a-si:H layer interface in order to lower the contact resistance of the interface. For the Zn layer, the deposition was conducted at 5 nm, 7 nm and 10 nm using the rf-magnetron sputtering method. The results were compared to that of the AZO film to discuss the possibility of the Zn layer being used as a transparent conductive oxide thin film for application in the silicon heterojunction solar cell. We used the rf-magnetron sputtering method to fabricate Al 2 wt.% of Al-doped ZnO (AZO) film as a transparent conductive oxide (TCO). We analyzed the electro-optical properties of the ZnO as well as the interface properties of the AZO/p-type a-Si:H layer. After inserting a buffer layer into the AZO/p-type a-Si:H layers to enhance the interface properties, we measured the contact resistance of the layers using a CTLM (circular transmission line model) pattern, the depth profile of the layers using AES (auger electron spectroscopy), and the changes in the properties of the AZO thin film through heat treatment. We investigated the effects of the interface properties of the AZO/p-type a-Si:H layer on the characteristics of silicon heterojunction solar cells and the way to improve the interface properties. When depositing AZO thin film on a-Si layer, oxygen atoms are diffused from the AZO thin film towards the a-Si layer. Thus, the characteristics of the solar cells deteriorate due to the created oxide film. While a diffusion of Zn occurs toward the a-Si in the case of AZO used as TCO, the diffusion of In occurs toward a-Si in the case of ITO used as TCO.