• 전자공학회논문지 IE
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• 제45권2호
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• pp.1-5
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• 2008

본 연구에서는 SOI MOSFET를 hot carrier 현상에 의한 RF 성능 저하를 측정 분석하였다. $V_{GS}=0.8V$, f=2.5GHz에서 설계되어 진 LNA의 이득은 16.51dB이고 잡음지수는 1.195dB였다. SOI에서 스트레스 후에는 LNA의 이득과 잡음지수가 스트레스전보다 각각 15.3dB, 1.44dB로 변화하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제31권1A호
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• pp.48-57
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• 2006

진행파관 증폭기는 입력되는 RF(radio-frequency)신호를 일정한 크기로 증폭하여 안테나로 출력하는 기능을 수행한다. 본 논문에서는 위성통신용 고출력 SHF(Super High Frequency) 대역 진행파관 증폭기의 캐소드 리플 개선방안을 제안한다. 600W급 SHF대역 진행파관 증폭기의 구현 및 실험을 통하여 제안한 방안이 설계규격을 만족시키는 결과를 얻었다. 또한 RF부로 공급되는 보조전원의 잡음을 저감하여 예측치 못한 잡음성분들을 제거함으로서 RF 성능이 개선되었다. 따라서 본 논문에서 제안한 방안은 매우 효과적이며, 차후 유사장비 개발 시 적용가능 할 것으로 판단된다.

• 한국정보기술학회 영문논문지
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• 제10권1호
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• pp.37-43
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• 2020

This paper presents analysis of passive metal interconnection of the LNA block in CMOS integrated circuit. The performance of circuit is affected by the geometry of RF signal path. To investigate the effect of interconnection lines, a cascode LNA is designed, and circuit simulations with full-wave electromagnetic (EM) simulations are executed for different positions of a component. As the results, the position of an external capacitor (C_ex) changes the parasitic capacitance of electric coupling; the placement of component affects the circuit performance. This analysis of interconnection line is helpful to analyze the amount of electromagnetic coupling between the lines, and useful to choose the signal path in the layout design. The target of this work is the RF LNA enabling the seamless connection of wireless data network and the following standards have to be supported in multi-band (WCDMA: 2.11~ 2.17 GHz, CDMA200 1x : 1.84~1.87 GHz, WiBro : 2.3~2.4GHz) mobile application. This work has been simulated and verified by Cadence spectre RF tool and Ansoft HFSS. And also, this work has been implemented in a 0.13um RF CMOS technology process.

• 한국통신학회논문지
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• 제28권6A호
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• pp.397-404
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• 2003

본 논문에서는 CDMA 단말기에서 요구하는 교차변조 잡음의 레벨을 분석하고 최적설계를 위한 기준을 제시하였다. 표준안의 분석으로부터 교차변조 잡음의 레벨은 시스템 잡음지수와 VCO 위상잡음에 의해서 결정되며, 서로 트레이드-오프 관계에 있음을 확인하였다. 또한 시스템 설계 시 앞의 레벨을 만족시키기 위한 LNA의 IIP3와 듀플렉서의 격리도 값을 결정하였다. 따라서 본 논문은 cdma2000 단말기 설계 시 부품선정을 위한 기준이 될 것이다.

• 한국통신학회논문지
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• 제37권3A호
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• pp.179-187
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• 2012

본 논문에서는 위상잡음 제거와 성능 향상을 위한 LDPC (Low Density Parity Check) 부호 기반의 판정 궤환 등화기(DFE: Decision Feedback Equalizer)를 제안한다. 본 논문에서 제안된 등화기는 무선 중계기 시스템을 위해 사용된다. 무선 중계기 시스템은 데이터 전송속도를 높이고 이동 통신 서비스의 질을 향상시키기 위하여 연구가 진행되고 있다. 무선 중계기 시스템에서는 에코 (echo) 채널과 위상잡음 등과 같은 RF 불균형이 시스템 성능열화를 야기한다. 그렇기 때문에 무선 중계기 시스템에서 에코 채널과 위상잡음을 제거하기 위한 새로운 등화기를 제안한다. LDPC 부호는 터보 부호와 마찬가지로 오류 정정에 있어서 매우 좋은 성능을 보인다. 본 논문에서 제안된 등화기는 RF 불균형을 보상하고 LDPC 부호와 등화기를 독립적으로 사용할 때보다 복잡도와 성능을 향상시킨다. 게다가 제안된 등화기의 향상된 성능으로 인하여 적은 수의 LDPC 부호의 반복으로도 독립적으로 사용하였을 때의 성능을 확보할 수 있다. 그래서 제안된 등화기는 낮은 복잡도를 갖는다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제17권2호
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• pp.273-279
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• 2013

평면형 마이크로스트립 공진기를 이용한 고주파 발진기의 단점인 위상잡음 특성을 개선하기 위해 본 논문에서는 분리형 링 공진기를 제안하고, 이것을 이용하여 위상잡음 특성이 개선된 5.8GHz 대역의 발진기를 설계, 구현하였다. 발진기의 특성은 5.8GHz 기본 주파수에서 7.22dBm의 출력과 -83.5 dBc@100kHz의 위상잡음 특성을 나타내었다. 이것은 ${\lambda}$/4 마이크로스트립 공진기를 이용한 것보다 위상잡음 특성이 9.7dB 정도 개선되었다. 제안된 공진기의 구조적 장점은 공진기의 갭 사이에 버랙터 다이오드 실장이 용이하여 전압으로 공진기의 발진주파수를 가변할 수 있기 때문에 VCO의 설계가 가능하다. 본 논문의 발진기는 평면형 구조로 쉬운 작업공정과 소형화 특성 때문에 MIC 또는 MMIC 분야의 발진기 설계에 응용될 수 있을 것이다.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2001년도 종합학술발표회 논문집 Vol.11 No.1
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• pp.58-62
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• 2001

본 논문에서는 IMT-2000 통신방식 중 cdma-2000 방식의 시스템을 이용하여 이동통신 단말기 RF System에 미치는 위상 잡음의 영향성을 분석하였다. cdma-2000의 표준안인 TIA/EIA에서 권고한 IS-98-C 를 기초로 하여 위상 잡음 특성의 요구 조건을 유도하였다. 현재 상용화 된 부품을 이용하여 RF 시스템을 설계하여 위상 잡음 특성을 분석하였고 시스템에 가장 큰 영향을 미치는 oscillator의 위상 잡음의 양을 변화시켜 시스템에 미치는 영향을 Constellation Diagram과 Eye Diagram으로 제시 하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제6권3호
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• pp.1-7
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• 1999

본 연구에서는 900MHz대역 수신기용으로 선행 개발되어진 RF 칩세트를 장착한 RF 특성평가 보드를 개발하였으며, 환경평가시험을 수행하였다. 선행 개발되어진 RF-IC 칩에는 저잡음증폭기, 하향변조 주파수혼합기, AGC Amp, SW-CAP 필터 등을 포함하고 있으며, 이에 따른 정합회로와 RF/IF SAW 필터, 듀플렉서 필터 및 전원공급회로를 RF 특성평가보드에 첨가하여 제작하였다. 공급전원은 2.7에서 3.6V이며, RF 보드의 소모전류는 42mA로 나타났으며, 동작 주파수는 RF 입력이 925~960MHz으로 제작, 측정되었다. 측정결과 일반적인 900MHz용 디지털 이동통신단말기의 RF 수신특성과 유사하게 양호한 결과를 보였다.

• 전자통신동향분석
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• 제37권5호
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• pp.11-21
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• 2022

GaN (Gallium-Nitride) is a promising candidate material in various radio frequency applications due to its inherent properties including wide bandgap, high carrier concentration, and high electron mobility/saturation velocity. Notably, AlGaN/GaN heterostructure field effect transistor exhibits high operating voltage and high power-density/power at high frequency. In next-generation radar systems, GaN power transistors and monolithic microwave integrated circuits (MMICs) are significant components of transmitting and receiving modules. In this paper, we introduce technological trends for C-/X-/Ku-band GaN MMICs including power amplifiers, low noise amplifiers and switch MMICs, focusing on the status of GaN MMIC fabrication technology and GaN foundry service. Additionally, we review the research for the localization of C-/X-/Ku-band GaN MMICs using in-house GaN transistor and MMIC fabrication technology. We also discuss the results of C-/X-/Ku-band GaN MMICs developed at Defense Materials and Components Convergence Research Department in ETRI.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 추계종합학술대회
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• pp.818-823
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• 2003

본 논문에서는 입력 매칭(input matching) BIST(Built-In Self-Test) 회로를 이용한 RF font end의 새로운 결함 검사방법을 제안한다. BIST 회로를 가진 RF front end는 1.8GHz LNA(Low Noise Amplifier: 저 잡음 증폭기)와 이중 대칭 구조의 Gilbert 셀 믹서로 구성되어 있으며, TSMC 0.25$\mu\textrm{m}$ CMOS 기술을 이용하여 설계되었다. catastrophic 결함 및 parametric 변동을 가진 RF front end와 결함을 갖지 않은 RF front end를 판별하기 위해 RF front end의 입력 전압 특성을 조사하였다. 본 방법에서는 DUT(Device Under Test: 검사대상이 되는 소자)와 BIST 회로가 동일한 칩 상에 설계되어 있기 때문에 측정할 때 단지 디지털 전자계와 고주파 전압 발생기만이 필요하며, 측정이 간단하고 비용이 저렴하다는 장점이 있다. BIST 회로가 차지하는 면적은 RF front end가 차지하는 전체면적의 약 10%에 불과하다. 본 논문에서 제안하는 검사기술을 이용하여 시뮬레이션해 본 결과 catastrophic 결함에 대해서는 100%, parametric 변동에 대해서는 약 79%의 결함을 검출할 수 있었다.