• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.331-331
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• 2008

Transparent conductive oxide (TCO) are necessary as front electrode or anti-reflecting coating for increasing efficiency of LED and Photodiode. In this paper, aluminum-doped Zinc oxide films(AZO) were prepared by RF magnetron sputtering on Si substrate at room temperature with application of substrate bias from -60 to 60 V. Then annealed at temperature of 200, 300 and $400^{\circ}C$ for 1hr in $H_2$ ambient. Structural and electrical property of AZO thin films were investigated.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07c
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• pp.1380-1381
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• 2006

본 연구는 MgO 박막을 유도 결합 플라즈마를 이용하여, $CF_4/Ar$ 가스 혼합비로 식각하였고, RF 전력, DC-bais 전압과 Process Pressure를 변경하면서 실험하였다. 빛 방출 분석(optical emission spectroscopy, OES)을 이용하여, 플라즈마 진단과 식각 특성과의 관계를 분석하였다. OES 결과로부터 $CF_4$ 첨가비를 50%까지는 증가시킴에 따라 식각률이 증가하였고, 그 후에 Ar 이온이 감소함으로써 식각률이 감소하였다. MgO 박막의 최고 식각률은 50%의 $CF_4/(CF_{4}+Ar)$에서 700 W의 RF 전력, -150 V의 DC-bias 전압, 반응로 압력은 15 mTorr, 기판 온도는 $30^{\circ}C$로 고정시켰을 때 29nm/min이었다. 이 조건에서 MgO 박막과 $SiO_2$의 선택비는 0.06 이었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.07a
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• pp.1319-1320
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• 2007

본 연구는 ZnO 박막을 유도 결합 플라즈마를 이용하여, $BCl_3$/Ar 가스 혼합비, RF 전력, 직류 바이어스 전압과 공정 압력을 변경하면서 실험하였다. ZnO 박막의 최고 식각속도는 80%의 $BCl_{3}/(BCl_{3}+Ar)$에서 700 W의 RF 전력, -150 V의 직류 바이어스 전압, 15 mTorr의 공정 압력, $28^{\circ}C$의 기판 온도로 고정시켰을 때 50 nm/min 이었다. 이 조건에서 ZnO 박막과 $SiO_2$의 선택비는 0.75 이었다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.10 no.3
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• pp.335-340
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• 2001

$Ga_2O_3$(1 wt%)-doped ZnO(GZO) thin films were grown on ${\alpha}-Al_2O_3$ (0001) by rf magnetron sputtering at $510^{\circ}C$, whose crystal structure was polycrystalline. As-grown GZO thin film shows poor electrical properties and photoluminescence (PL) spectra. To improve these properties, GZO thin films were annealed at 800-$900^{\circ}C$ in $N_2$atmosphere for 3 min. After the rapid thermal annealing(RTA), deep defect-level emission disappears and near-band emission is greatly enhanced. Annealed GZO thin films show very low resisitivity of $2.6\times10^{-4}\Omega$/cm with $3.9\times10^{20}/\textrm{cm}^3$ carrier concentration and exceptionally high mobility of 60 $\textrm{cm}^2$/V.s. These improved physical properties are explained in terms of translation of doped-Ga atoms from interstitial to substitutional site.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.11a
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• pp.90-90
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• 2009

The $Sr_{0.7}Bi_{2.3}Nb_2O_9$(SBN) thin films are deposited on Pt-coated electrode($Pt/Ti.SiO_2/Si$) using RF sputtering method. The dielectric constant of SBN thin films were increased with the increase of annealing temperature. The maximum dielectric constant of SBN thin film is obtained by annealing at 700[$^{\circ}C$]. The dielectric constant and dielectric loss had a stable value within -5~+5[V].

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 2003.10a
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• pp.245.2-245.2
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• 2003

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2004.05a
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• pp.240-243
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• 2004

Bias인가된 Hot filament CVD방법을 이용해 Ni을 RF sputtering법으로 고속도강에 피복하여 중간층으로 한후 다이아몬드 박막을 피복할 때 기판온도. Bias인가효과 및 계면층의 특성을 조사하였다. 증착시 Bias인가 할 경우 필라멘트에서 전자방출이 촉진되어 다이아몬드 핵생성과 성장을 촉진하였으며 본 실험에서 최적조건은 증착압력 20~40 torr, Bias인가전압 200V, 기판온도 $700^{\circ}C$로 나타났으며 강에의 다이아몬드 박막 형성시 Ni은 중간층으로써 적합한 원소로 나타났다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.1252-1253
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• 2008

The $V_{1.8}W_{0.2}O_5$ thin films deposited on $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrates by RF sputtering method with different $Ar/O_2$ ratio. The $V_{1.8}W_{0.2}O_5$ thin films were measured electrical and structural properties, fairly good Temperature coefficient of resistance(TCR). It was found that electrical and structural properties, TCR properties of thin films were strongly dependent upon the $Ar/O_2$ ratio. The dielectric constant of the $V_{1.8}W_{0.2}O_5$ thin films with 50/20 ratio were 93 with a dielectric loss of 0.535, respectively. Also, the TCR values of the $V_{1.8}W_{0.2}O_5$ thin films with 50/20 ratio were -3.15%/$^{\circ}C$.

• Microbiology and Biotechnology Letters
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• v.20 no.1
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• pp.25-33
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• 1992

One acetolactate synthase isozyme which has Rf value of 0.83 on polyacrylamide gel electrophoresis was purified from Sewatia marcescens ATCC 25419 by ammonium sulfate fractionation, DEAE-Sephacel chromatography, Phenyl-Sepharose chromatography, Sephacryt S-400 gel filtration followed by native gel elution. The native molecular weight of the enzyme was determined to be 531,400 by gel filtration method, and SDS-polyacrylamide gel electrophoresis separated the native enzyme into two polypeptides having molecular sizes of 55,000 and 38,900 respectively. In kinetic parameters, $K_m$ value for pyruvate was 2.54 mM, and $V_{max}$ was 21.75 nmoie/min/mg. The enzyme showed maximal activity around pH 8.0 and optimal temperature of the acetolactate formation was $37^{\circ}C$. Feedback inhibition studies indicate that the purified enzyme is rather resistant to branched chain amino acids when compared with acetolactate synthase isozymes of plants or other enterobacteria.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.367-367
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• 2012

TTFT에 투명반도체로 사용되고 있는 IGZO 박막의 특성을 조사하였다. IGZO박막은 비정질임에도 불구하고 높은 이동도를 가지는 것으로 알려져 있다. 본 실험에서는 RF magnetron sputtering법을 이용하여 Ar Gas 유량 변화에 따른 IGZO 박막을 유리 기판 위에 제작 하였고 투명반도체의 구조적, 광학적, 전기적 특성을 조사하였다. 소결된 타겟 으로는 In:Ga:ZnO를 각각 1:1:2mol%의 조성비로 혼합하여 이용하였으며, $30{\times}30mm$의 XG Glass 유리기판에 Sputtering 방식으로 증착하였다. 공정 조건으로는 초기합력은 $2.0{\times}10^{-6}Torr$이하로 하였으며, 증착 압력은 $2.0{\times}10^{-2}Torr$로 하였다. Rf power를 75 W로 고정시켰다. 실험 변수로는 Ar Gas를 25, 50, 75, 100 sccm으로 변화를 주어 실험을 진행하였으며, 증착온도는 실온으로 고정하였다. 분석 결과로는 Ar Gas가 75 sccm일 때 XRD분석결과 $34^{\circ}$ 부근에서 (002) c-축 방향성 구조임을 확인할 수 있었으며, AFM분석결과 0.3 nm이하의 Roughness를 가졌다. UV-Visible-NIR 측정결과 가시광선 영역에서 85%이상의 투과도를 만족 시켰으며, Hall 측정결과 Carrier concentration $8.3{\times}101^{19}cm-^{-3}$, Mobility $12.3cm^2/v-s$이며, Resistivity $0.6{\times}10^{-2}{\Omega}-cm$, 투명반도체로 사용 가능함을 확인 할 수 있었다.