• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.11 no.11
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• pp.2090-2094
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• 2007

Film bulk acoustic wave resonator(FBAR) technology has attracted a great attention as a promising technology to fabricate the next-generation RF filters mainly because the FBAR technology can be integrated with current Si processing. The RF filters are basically composed of several FBAR devices connected in parallel and in series, and their characteristics depend highly on the FBAR device characteristics. Thus, it is important to design high quality FBAR devices by device or process optimization. This kind of effort may enhance the FBAR device characteristics, eventually leading to FBAR filters of high performance. In this paper, we describe the methods to more effectively improve the resonance characteristics of the FBAR devices.

• Aerospace Engineering and Technology
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• v.7 no.1
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• pp.121-128
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• 2008

In the department of mobile communication technology and satellite communication technology, wireless communication technology division is very important by transmitting and receiving the signals in wireless link environment. Most of all, the components which comprises the transmitter and receiver can decide the RF(Radio Frequency) system performances. Therefore to assure the reliability in the satellite communication field, it is essential to acquire the competitiveness by developing the highly integrated and compact components by means of MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) technology. MMIC is the designing and fabricating technology for the RF components. This paper introduces the MMIC technology and describes the technological trend and prospect in the satellite application.

• 한국ITS학회:학술대회논문집
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• 2008.11a
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• pp.611-616
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• 2008

• Proceedings of the Korean Institute of Communication Sciences Conference
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• 2006.07a
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• pp.687-687
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• 2006

• Information and Communications Magazine
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• v.19 no.11
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• pp.109-122
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• 2002

최근 Software Defined Radio(혹은 Software Radio) 관련 연구가 국내외에서 활발해지면서 RF부품 및 시스템에 적용하기 위한 연구가 새로운 주제로 부각되고 있다. 본 고에서는 이러한 추세에 맞추어 RF 대역에서 부품 및 시스템의 연구 내용 검토하며, 가장 문제가 된다고 판단되는 대역통과여파기의 설계를 중심으로 논의하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2003.10a
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• pp.818-823
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• 2003

본 논문에서는 입력 매칭(input matching) BIST(Built-In Self-Test) 회로를 이용한 RF font end의 새로운 결함 검사방법을 제안한다. BIST 회로를 가진 RF front end는 1.8GHz LNA(Low Noise Amplifier: 저 잡음 증폭기)와 이중 대칭 구조의 Gilbert 셀 믹서로 구성되어 있으며, TSMC 0.25$\mu\textrm{m}$ CMOS 기술을 이용하여 설계되었다. catastrophic 결함 및 parametric 변동을 가진 RF front end와 결함을 갖지 않은 RF front end를 판별하기 위해 RF front end의 입력 전압 특성을 조사하였다. 본 방법에서는 DUT(Device Under Test: 검사대상이 되는 소자)와 BIST 회로가 동일한 칩 상에 설계되어 있기 때문에 측정할 때 단지 디지털 전자계와 고주파 전압 발생기만이 필요하며, 측정이 간단하고 비용이 저렴하다는 장점이 있다. BIST 회로가 차지하는 면적은 RF front end가 차지하는 전체면적의 약 10%에 불과하다. 본 논문에서 제안하는 검사기술을 이용하여 시뮬레이션해 본 결과 catastrophic 결함에 대해서는 100%, parametric 변동에 대해서는 약 79%의 결함을 검출할 수 있었다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.4 no.2
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• pp.79-83
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• 1997

본 연구에서는 휴대용 전화기 및 무선 LAN 의 핵심부품인 RF-Switch Module의 초소형화 설계기술, 표면실장기술, 고주파설계기술, 소형화 SMD기술, Test 기술 및 RF-Switch Module 활용기술 등을 개발하였으며 RF-Switch Module의 설계기반 마련 및 대외 경쟁력 있는 RF-Switch Module의 초소형화 기술을 확보하였다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.31 no.6
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• pp.107-115
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• 2016

소프트웨어 기반의 이동통신 시스템 개발 기술 즉, 소프트웨어를 이용하여 재구성이 가능한 이동통신 시스템 개발 기술이 연구되어 왔다. 최근에는 소프트웨어 기반 이동 통신 시스템 개발에 가상화 기술이 적용된 가상화 기반의 이동통신 플랫폼 개발 기술에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 가상화 기반 이동통신 플랫폼 개발 기술은 소프트웨어를 이용하여 범용 하드웨어 컴퓨팅 플랫폼상에서 무선 접속 기능, 프로토콜 처리 기능 및 RF/IF 신호처리 기능의 구현이 가능할 뿐만 아니라, 가상화 플랫폼을 통하여 다양한 무선 접속 규격 수용 및 유연한 시스템 자원 활용이 가능한 기술이다. 본고에서는 가상화 기반의 이동통신 플랫폼 개발 기술에 대해 간략히 소개하고, 소프트웨어 기반 이동통신 플랫폼 개발 현황 및 가상화 기반의 이동통신 시스템 플랫폼에서 소프트웨어를 통해 RF 신호처리 기능을 용이하게 하는 상용 소프트웨어 RF 플랫폼 즉, Software Radio Frontend의 개발 동향에 대해 살펴보고자 한다.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.32 no.3
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• pp.201-206
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• 2019

This report constitutes the first demonstration in Korea of single-crystal lateral gallium oxide ($Ga_2O_3$) as a metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor (MOSFET), with a breakdown voltage in excess of 480 V. A Si-doped channel layer was grown on a Fe-doped semi-insulating ${\beta}-Ga_2O_3$ (010) substrate by molecular beam epitaxy. The single-crystal substrate was grown by the edge-defined film-fed growth method and wafered to a size of $10{\times}15mm^2$. Although we fabricated several types of power devices using the same process, we only report the characterization of a finger-type MOSFET with a gate length ($L_g$) of $2{\mu}m$ and a gate-drain spacing ($L_{gd}$) of $5{\mu}m$. The MOSFET showed a favorable drain current modulation according to the gate voltage swing. A complete drain current pinch-off feature was also obtained for $V_{gs}<-6V$, and the three-terminal off-state breakdown voltage was over 482 V in a $L_{gd}=5{\mu}m$ device measured in Fluorinert ambient at $V_{gs}=-10V$. A low drain leakage current of 4.7 nA at the off-state led to a high on/off drain current ratio of approximately $5.3{\times}10^5$. These device characteristics indicate the promising potential of $Ga_2O_3$-based electrical devices for next-generation high-power device applications, such as electrical autonomous vehicles, railroads, photovoltaics, renewable energy, and industry.

• Journal of Satellite, Information and Communications
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• v.10 no.3
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• pp.6-10
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• 2015

RF energy harvesting technology is a promising technology for generating the electrical power from ambient RF signal to operate low-power consumption devices(eg. sensor) in wireless communication networks. This paper, motivated by this and building upon existing CR(Cognitive Radio) network model, proposes a optimal control policy for RF energy harvesting CR networks model where secondary users that have low power consumption harvest ambient RF energy from transmission by nearby active primary users, while periodically sensing and opportunistically accessing the licensed spectrum to the primary user's network. We consider that primary users and secondary users are distributed as Poisson point processes and contact with their intended receivers at fixed distances. Finally we can derive the optimal frame duration, transmission power and density of secondary user from the proposed model that can maximize the secondary users's throughput under the given several conditions and suggest future directions of research.